扩散结相关论文
首次建立了ＲＥＳＵＲＦ二极管的低温优化模型，推导出７７Ｋ～３００Ｋ范围内击穿电压和漂移区长度的优化公式，给出了一定耐压下最小漂移区长度随温度的变化曲线。......
用含Ｚｎ的固态杂质源，在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行了连续波（ＣＷ）１０．６μｍ激光诱导扩散，做出了Ｐ－Ｎ结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品......
利用１．０６μｍ脉冲Ｎｄ∶ＹＡＧ激光，以含Ｚｎ的固态杂质源在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行诱导扩散，作出了Ｐ－Ｎ结。获得了亚微米的扩散结结深及１０２０ｃｍ－３量级的表面掺杂浓度，并......
国际整流器公司(InternationalRectifier)推出全新低成本软恢复(soft recovery)整流二极管产品系列,特别适用于V_f值较低、反向恢......
通过有效掺杂浓度梯度的定义和耗尽近似求解 ,得到非对称线性缓变结击穿电压的简洁表达式。借助计算的有效掺杂浓度梯度和双边对称......
前言锆-2合金已广泛地用作重水慢化型反应堆和轻水堆的中心反应区压力管。该合金具有适用于反应区的综合性能:低的中子浮获截面;......
本文阐述太阳电池光谱响应的双光路测量法,以及采用等能方法测量的原理和性能,将测量结果进行了对比,证明双光路等能方法测量太阳......
本文用剥层法、扩展电阻测定法验证了利用开管方式扩散镓,能使元素镓的杂质分布服从典型高斯分布,这一分布应用于晶闸管器件生产中......
日本钢管公司开发出两种生产复合钢管的新方法:曼内斯曼轧制法和扩散结合法。曼内斯曼轧制法,将高强度碳素钢外管和镍、铬含量高......
９４１０４金属基复合材料铸造技术（日）／Ａ，Ｊ．ｃｌｅｇｇ／铸物／ｖｍ，６３．ＮＯ。１２．１００２金属基复合材料．是以金属或其合金为母体，加入增强材料的复合材料。目前，重点研究并已实用化的母体材......
无机纤维增强的金属基复合材料通常作为钛、铝、镁等金属基体强化用的纤维，多用预先经过表面处理的碳化硅之类纤维，但这类增强纤维往......
一、引言 工艺问题是MOS集成电路（以下简称MOSIC)CMOSIC的关现问题。这里包括二方器的问题,一是工艺参数,材料参数的正确高计,二是......
本文叙述了在n型InP和InGaAsP进行低温平面扩散的实验方法,对低温下Zn在InP和InGaAsP中的扩散机理及其扩散分布图进行了讨论。实验......
本文給出了硅合金結n—p—n型晶体管及扩散結n—p—n型晶体管低频h参数溫度关系(—70℃～+170℃)的实驗结果。结果表明这两种晶体管......
硅晶体管的温度应用范围比锗晶体管要宽广得多。因此硅晶体管参数的温度变化的研究对其更广的温度应用范围及大功率运用具有很大......
光伏型探测器的优点在于功耗低,较易与电荷耦合器件(CCD)互连,而且有可能作为大型焦平面以及宽频带应用。除此之外,光伏型探测器......
用P型Pb_(1-x)Ge_xTe(0.05≤x≤0.11)通过锑杂质扩散形成n-p结已制成光伏红外探测器。在77和195K之间的温度下进行了测量,其长波响......
本文记述了用三元系扩散源在三种掺杂(掺Te、Ge、Sn)AI_xGa_(1-x)As外延层中进行Zn扩散的实验;给出了扩散结深随时间变化的关系曲......
一、引言本文讨论汞扩散结的CMT探测器,以I—V参数为基础,再根据C—V特性分析说明汞扩散p—n结既非突变结又非缓变结。CMT扩散结......
一、引言 在半导体器件和集成电路制造过程中,金属杂质的沾污是造成器件性能低劣,成品率低和可靠性差的重要原因之一。因此,消除......
本文着重研究了Cd在InP和InGaAsP中的低温(550～570℃)扩散。扩散源是由CdP:和Cd、P组成。采用这种方法对InP和InGaAsP进行Cd扩散,载......
发现在氢氧化钾(KOH)溶液中锑化铟阳极氧化的速度与半导体的掺杂浓度有关系。氧化处理法为显示锑化铟以及砷和磷这种材料的结提供......
我所自81年4月份开展InP-GalnAs液相外延生长以来,已于8月中旬在InP衬底上生长出与衬底晶格相匹配的Ga_(0.47)In_(0.53)AS/InP的液......
按照一定的掺杂比例制备了一种双掺硅单晶.单晶片经热氧化或惰性气体中热处理,可以在其表面获得P-N结.这种P-N结具有下述特点:(1)......
The work reported was undertaken to establish an independent and reliable means for checking the impurity doping level i......
本文描述了用于双极集成电路制造的氧化物隔离等平面Ⅰ工艺过程。隔离氧化是用Si_3N_4膜掩蔽、由低温、高压水汽氧化实现的。为解......
一、引言近年来,在GaP,InP,化合物半导体光电器件的制备过程中,闭管扩散有其极大的优越性。(1) 能防止InP,GaP,在扩散温度下大量......
本文确定了i区长度Wi=0→∞及掺杂比N_A/N_D=0→∞的任何突变pin结的平衡态严格解,和薄i区结的偏置态解. (Ⅰ)设有如下杂质分布为......
一、前言 磷扩散是半导体器件和集成电路的基本工艺之一,磷扩散的分布状况对半导体器件和集成电路的性能、成品率有很大影响。半......
本文介绍用元素磷和锌在闭管真空石英管中合成ZnP_2晶体的过程。X—射线检验证实一种是红色四方晶形ZnP_2,另一种是黑色单斜晶形Zn......
本文从理论上和实验上论证了现行的高温磷扩散工艺对逻辑集成电路开关速度的诸多不良影响;提出一种改进了的磷扩散工艺——“低温......
我们在试制3DD101管的过程中,摸索出一种选择发射区磷扩散工艺条件的新方法。只要根据基区硼扩散后实测的方块电阻和结深计算出磷......
通过实验,证明了n/n~+外延层经Sirtl浸蚀剂浸蚀后,所形成的“雾状”微缺陷,可导至p-n结的软击穿和低击穿,是降低器件成品率的重要......
在已证实Si中与间隙Pd有关的E_(TA)(0.37)和E_(TB)(0.62)能级为同一双施主中心的(0/ +)态与(+/++)态的基础上,本文通过一系列实验......
利用InSb晶片阳极氧化时的氧化速率依赖于晶片的载流子浓度这一特性,成功地显示出InSb扩散结剖面及其形貌,并由此测出了在不同条件......
InSb多元器件的制作较复杂,其中某些关键工艺对器件的性能,成品率及可靠性影响极大。为了找到一种适用于InSb多元器件制作的较理......
本文提出用三氯乙烯氧化剥层的方法,对硅外延层微缺陷进行吸除处理,并同其它吸除方法作了实验比较及分析讨论,表明这是吸除效果、......
采用开管扩散在GaAs中扩散获得成功。比较了不同温度及不同的扩散条件下的扩散结深,扩散浓度的关系;并测量了不同扩散时间Zn的损耗......
本文报导了锑乳胶源埋层扩散的实验结果,讨论了影响扩散质量的若干因素,并与箱法锑扩进行了比较.实验获得埋层薄层电阻为20Ω/□,......
本文报导了我们自行设计和制造的不锈钢高压室式、微处理机控制的高压氧化系统,及其基本结构、主要技术参数和某些工艺结果。
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