氧化层错相关论文
本文研究了硅片在多次热循环工艺前后的表层变化，确定了硅片精密机械加工后在浅表层遗留的残余损伤会在热工艺后演化成缺陷，验证了调......
本文介绍了硅片背面激光损伤吸杂实验,用金相显微镜观察证实了高温退火后激光损伤的热稳定性,研究了激光损伤对氧化层错(OSF)和载......
国外硅单晶质量研究进展（续Ⅰ）王旗（高工），陈振，浦树德，杨晴初（西南技术物理所，成都６１００４１）３硅金属及其它杂质３．１过渡元素的一般概况过渡元素在硅中的污......
我们对多晶硅吸荣和SiO_2背封二种工艺进行了系统的深入的实用性研究，解决了VLSI用外延片衬底的关键技术，提高了硅片质量并实现产业......
原电子工业部第46研究所长期承担抗辐射加固硅单晶制备技术研究任务,曾取得一系列成果,其研究水平和产品均居国内领先,是我国唯一......
消除氧化雾缺陷是提高单晶硅片质量的关键之一。氧化雾缺陷是由重金属杂质引起的,它的危害在于它能导致氧化层错,使器件成品率下......
对硅片表面氧化层错形成机理进行了探讨。并通过中子辐照在直拉硅中引入缺陷，利用辐照缺陷和硅中氧的相互作用，强烈抑制硅片表面氧化......
本文就P-Mos集成电路使用无位错直拉单晶时P-N结漏电流的机理进行了分析。通过实验指出,影响P-N结漏电流的主要原因与氧化层错和位......
用150瓦连续波CO_2激光束照射硅片,观察到了其氧化层错的消除现象,并对消除机理进行了探讨。
A 150-watt continuous wave CO2 la......
线阵CCD摄象传感器的栅氧化,是制作整个器件的一个关键工艺,采用了三氯乙烯(以下简称TCE)参与氧化,已能获得高质量的二氧化硅层,其......
众所周知,半导体器件和集成电路的成品率和优品率与外延层的质量密切相关,但氧化感生层错和外延堆垛层错却会严重影响外延层的质......
随着LSI电路的发展,不仅对硅单晶材料质量提出较高的要求,而且对器件工艺中诱生的“二次”缺陷也愈来愈引起人们的重视.“二次”......
本文利用集成电路制备中首次高温工序,控制升降温速度,将无位错硅单晶增殖出少量均匀分布的热应力滑移位错,并在退火时将这些位错......
一、引言 在毛主席革命路线的指引下,我国的半导体材料和器件生产取得了飞速的发展,但是与国外水平还有很大差距,尤其表现在集成......
对掺HCl硅氧化诱生堆垛层错生长的动力学作了进一步的研究,重建了描写掺HC硅氧化诱生堆垛层错生长的动力学方程。
The kinetics o......
本文采用予氧化吸除法和慢速升降温法,吸除工艺中引进的二次缺陷,改善二极管电学参数,提高MOS电容的弛豫时间。 为探讨二次缺陷对M......
本文叙述硅器件制造过程中,硅晶体中二次缺陷形成、生长和缩小的条件。实验指出:(1)用细致的化学腐蚀方法可有效地减少表面型氧化......
激光退火可以使离子注入半导体的损伤层再结晶,从而获得完整的单晶结构,引起了人们很大的重视.是否可以采用激光退火来控制半导体......
本文叙述了为研究热氧化工艺中生长的氧化层错与固定电荷的成因及其抑制、消除或减少途径而设计的有关实验,对所得到的各实验结果,......
半导体硅片的抛光是半导体器件生产中的一道重要工序.二氧化硅无纺布衬垫抛光是替代铬离子长毛绒抛光的有效途径,其优点是:抛光片......
本文对P型(100)无位错硅晶片的热氧化堆垛层错长度生长和收缩规律进行了研究.给出层错长度、氧化时间,氧化温度之间的关系为L=kt~n......
本文讨论了硼在硅中的扩散运动对氧化层错生长和收缩动力学的影响.一方面,硼的扩散运动降低氧化层错的激活能,使层错的生长速度增......
本文介绍了双吸除技术在CCD制造中的应用结果,证明了双吸除技术的通用性;通过对缺陷蚀象形貌的实验观察及电镜微观研究,证明磷比缺......
上海有色金属研究所研究成功的“直径76.2毫米吸杂硅片新工艺”已于1986年10月在九江通过鉴定。鉴定会由上海市科委委托上海有色......
本文从半导体线性集成电路生产观点,较详细地介绍了上海有色金属研究所的综合吸杂硅片和常规片在我厂SL322、SL325发光显示驱动电......
本文提出用三氯乙烯氧化剥层的方法,对硅外延层微缺陷进行吸除处理,并同其它吸除方法作了实验比较及分析讨论,表明这是吸除效果、......
本文比较了各种吸杂技术,详细介绍了芯片背面激光损伤的吸除效果,使MOS电容器载流子产生寿命提高了二个数量级,达10~3μsec。把LID......
一、前言近年来为了解决硅器件工艺中的重金属沾污问题,国内外开展了大量的有关吸杂的研究工作。由于内吸杂技术具有独特的优点,......
本文综述了近两年来ULSI/VLSI的发展.叙述了ULSI发展中的极限与困难以及ULSI研究工作的一些基本情况.
This article summarizes t......
单晶硅是目前制造半导体器件、集成电路的最重要的基本材料.但是,利用硅单晶来制造器件,必须经过切片、磨片、抛光等多道工艺,把它......
利用中子嬗变掺杂(NTD)制备的CZSi(NTDCZSi)中大量存在的辐照缺陷在高温短时间(1100℃,4～8h)退火就可以完成NTDCZSi的IG处理,与CZSi......
阐述了硅片的结构特性、电学特性、化学特性及机械性能等表征硅片质量水平的参数对IC工艺控制参数的影响,总结了制造IC对硅片特性......
本文介绍了近年来CYG压力传感器在批量生产工艺上的主要改进措施:二氧化硅悬浮液抛光,TCE预处理及应力退火技术。并简要叙述了采取......
研究了硅片高温氢气退火的工艺技术,实验显示,在高温1150℃,在高纯氢气氛中退火处理至少60min,在硅片表面产生约50μm以上的洁净层......
在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽.在多晶硅层完全去除后在硅衬底中......
直拉硅单晶抛光片经过高温氧化后,腐蚀显示出氧化诱生缺陷,包括漩涡缺陷和氧化层错(oxidation induced stacking faults,OISF),其......
<正> 随着电子工业的发展,中大规模集成电路对抛光片的质量要求愈来愈高,特别是表面效应型的MOS大规模集成电路对抛光片的质量要求......
本文用样品表面对(111)晶面的小角度偏离解释了高温退火和热氧化过程中出现的弧形和弓形OSF,分析了它们的形貌特征,并确定了弧形OS......
