杂质扩散相关论文
太阳能电池由于其成本低、清洁、可再生、环保等优点成为解决能源需求紧张的主要方式之一。硅化物半导体材料二硅化钡(BaSi2)由储量......
随着能源问题的日益加重,核能由于其高效,清洁等优点受到广泛关注。核反应堆安全性一直是关注的焦点,尤其是日本福岛核事故发生后,......
增加真空深度可以极大地促进挥发性金属杂质的去除。通过下列过程来去除这些杂质:1)杂质向表面转移,这个过程由两个程序构成,一个......
针对VDMOS-NMOS兼容集成结构建立了对接沟道NMOS晶体管工艺模型,根据其工艺模型,采用面向对象的C++编程对对接沟道NMOS结构的杂质分布进行了二维数值模拟,给......
针对现行P型杂质扩散工艺的不足,开展了受主双质掺杂新技术的研究.经对比实验和工艺论证,首先研究成功开管铝镓一步扩散法.应用证明,该项......
分子束外延(MBE)过程中杂质扩散系数的确定,可以归结为动边界杂质扩散问题的反问题ut=Duxxx>v(t0-t),t0>0,t>0(1)u(x,0)=n0x>vt0,n0=Const.(2)u(v(t0-t),t)=N0t>0,N0=Const.(3)u(x,t0)=N(x)x>0(4)我们采用粒子数守恒定律精确地确定样品的生长速率;利用......
针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺,对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管(GTR)的三重扩散工艺进行了模拟......
回顾了1550nm波段掺锌光纤放大器(EDFA)的最新进展,集中讨论了掺铒光纤放大器的设计和工作条件。EDFA已对长距离光纤传输系统和用户网络的系统配置产......
本文对AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)进行了研究.设计并制备了AlGaInP为发射极的叉指结构HBT器件.研究结果表明,AlGaInP/GaAsHBT具有较高的电流增益和较好的温度特性.同时,由于......
研究了p型Si1-xGex应变层中补偿浅能级杂质(P、As、Sb)的低温陷阱效应。研究发现,1)三种补偿浅能级杂质P、As、Sb相比较,Sb的陷阱效应最小,As的最大;2)Ge组份x越大,低温陷......
据报道,日本冲电气工业新开发了发光效率提高10倍以上的发光二极管阵列。过去开发的GaAsxP(1-x)LED)阵列,驱动电流为3mA时的每单位电流的......
前言半导体材料的应用领域非常广泛,它包括电子学材料、磁性材料及光电材料等,其中,以硅为主要基础材料的电子学领域的发展最迅速......
为研究热退火对太阳电池用多晶硅的影响,在750~1150℃,N2和O2环境下分别对硅片进行热处理.用傅里叶红外光谱仪和准稳态光电导衰减法......
Al-Zn-Mg-Cu系铝合金作为一种重要的铝合金材料,其具有比强度高、加工性能好、低密度以及较好的抗疲劳性能等一系列优点,目前已被......
精确测量P—N结的深度,在杂质扩散过程的研究和器件制造工艺上是一项重要的工作。对于硅的扩散P—N结的深度,一般以采用磨角、染......
为了进行低温的测量,有时需要在4.2—300K 整个范围内具有高灵敏度和易于使用的电阻值的温度计。一些纯金属,如铂、铜、镍等,它们......
本文用剥层法、扩展电阻测定法验证了利用开管方式扩散镓,能使元素镓的杂质分布服从典型高斯分布,这一分布应用于晶闸管器件生产中......
我们研究了SiH_4-NH_3体系低压化学气相淀积氮化硅薄膜。由于高浓硅烷易燃易爆,从安全出发,我们不用文献介绍的20%和100%的硅烷,而......
激光退火技术最早是由苏联的一个研究小组提案的,它的显著退火效果引人注目。作为当时的研究是采用调 Q 红宝石进行退火的,目前除......
发明的详细说明本发明主要谈图形缺陷检查设备方面的问题,更详细地说就是关于检查半导体光掩模上的微细图形中所含有的针孔及残渣......
本文研究了在用布里兹曼法生长的p型Pb(1-x)Sn_xTe里,用闭管法扩散Pb或Sb所制成的台面光电二极管的光谱响应特性,并研究了光谱响应......
Si_3N_4薄膜已广泛用于半导体集成电路中。它是非常致密的绝缘层,能有效地阻挡钠离子渗透,用于器件的表面钝化和保护可以提高成品......
目前,集成电路中最常使用的隔离技术仍是PN结隔离。这种方法是利用反向偏压PN结来实现元件之间的隔离,虽然它是用通常杂质扩散技......
有证据表明,在空穴浓度约10~(16)厘米~(-3)(77°K)的材料薄片上,使用杂质扩散方法制成的Pb_(0.79)Sn_(0.21)Te 平面型光电二极管,......
在PbSnTe衬底上用液相外延生长铅-锡碲层并通过很好限定的氧化物窗进行杂质扩散,已制备成可再现的高质量光伏探测器。外延层的载流......
本文叙述了致发光单元及由七个发光单元组成的“8”字型数字指示器的制造工艺,用该法制造的仪器在热、电和机械过载时具有很高的稳......
引言一年前,我们报导了扩散自排列金属氧化物半导体(DSA-MOS)晶体管。以前的MOS晶体管的频率特性受到源-漏间距的限制,而源-漏的......
一、前言自从晶体管采用把杂质扩散到固体内形成 PN 结的方法以来,它的性能和制作技术有了很大的进步。由于光刻腐蚀技术和选择扩......
笔者本月参观访问了扩散技术公司。该公司如其名称那样,正研究与扩散有关的技术,特别是研制所谓“旋转涂敷法”(Spin Rite)的杂质......
引言HgCdTe是一种具有独特性能的材料,制备P—n结又常用Hg扩散方法,它与常规的杂质扩散又有不同,加之材料的组分、结构及其固有的......
本文叙述硅器件制造过程中,硅晶体中二次缺陷形成、生长和缩小的条件。实验指出:(1)用细致的化学腐蚀方法可有效地减少表面型氧化......
本专利提出一种以AlO_3膜作为栅电极绝缘体的MOS晶体管的制备方法,包括汽相淀积氧化物工艺,以及尔后在湿气气氛中于700℃左右热处......
我们研究了用SiCl_4-NH_3体系低压化学气相淀积氮化硅薄膜。通过实验,找到了淀积氮化硅薄膜的较佳工艺条件。该工艺在N-沟硅栅MOS......
本文介绍的是关于半导体衬底中的杂质浓度以及经外延生长、杂质扩散、离子注入等工艺过程的半导体中的杂质浓度分布的测定方法和......
由于直拉重掺锑硅单晶存在截面电阻率均匀性差、杂质管道、杂质条纹、析出、位错等问题,在生产中不仅产品成品率低,而且产品的质量......
一、引言在过去比较长的时间内,我们一直采用液态硼酸三甲脂作为P型杂质扩散源。在实践过程中,我们感到硼酸三甲脂作为P型杂质扩......
预测技术的未来,可以说唯一确信的事是技术革新。这种技术革新是我们从事的半导体器件产生的特点之一。不过,对我们来说,可以非常......
硼磷硅玻璃膜(BPSG)是在等离子增强型化学汽相淀积(PECVD)系统中淀积的。在一个可容纳70个园片(片径100毫米)的淀积区内,膜厚度均......
一、引言制造集成电路的工艺周期长又复杂,在各个制造工艺中影响最终的电特性的主要因素很多。为了提高集成电路的电特性,找到这......