水汽氧化相关论文
在模拟器件工艺用“OS”法检测CZ硅单晶中旋涡缺陷时,常有雾状缺陷的干扰。本文对雾状缺陷的分布形态及产生原因作了初步研究。为......
栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素,提高栅氧化层的均匀性可极大地改善栅氧化层的性能。通过引入N2等惰性......
表格的修改东南大学出版社洪文逵表格设计的优劣和正确与否，会直接影响书刊的质量。设计精良的表格，除内容、数据等必须可靠、准确外......
工 作 报 告 期(页)相容器件技术与优值型集成电路……………………………………………………一(1)旋涡状微缺陷的消除……………......
据报导,最近采用的能在高达25个大气压下工作的高压低温水汽氧化系统可代替各种普通的扩散炉。不象较早的HiPOx氢氧氧化系统那样,......
引言多年来,单块集成电路主要是由双极型和MOS 型两大类型分别发展起来的。由于它们各自有其优点而互相竞争和发展,然而,在某些电......
MOS和双极做在同一芯片上,对数字和线性电路设计者提供很多优点。但是,实现相容的MOS-双极工艺有几个困难。最主要的一个困难是MO......
研究了P型、直拉Si单晶中旋涡缺陷形成的因素。发现晶体的冷却速度对旋涡缺陷的形成起了决定性作用。氧浓度在0.5～1.7×10~(18)cm~(......
通过大量实验,研究了硅片在700℃和20个大气压的水汽中加速氧化后的完整性。全部实验都是采用直径为3吋的片子。对所研究的所有不......
本文简要地介绍了硅的高压氧化概况。着重叙述我们目前采用的一种高压水汽氧化方法及其一些实验结果。实验表明本方法对于制备厚膜......
本文报导MOS器件最常用的〈100〉晶向,8～10Ω-cm电阻率的Si片在900℃～1200℃温度区域里氫—氧合成水汽氧化工艺。此工艺与常用的氧气......
用一种简易高压水汽氧化装置进行了硅的氧化实验;测量了氧化速率和氧化膜质量。由此而制得的氧化膜已用于EGL100k系列电路的氧化物......
硅片中氧的最佳浓度可改善其机械强度和本征吸除性能。
The optimal concentration of oxygen in the wafer improves its mechan......
本文报导了我们自行设计和制造的不锈钢高压室式、微处理机控制的高压氧化系统,及其基本结构、主要技术参数和某些工艺结果。
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用化学腐蚀法、光学显微技术、透射电子显微技术(TEM)和能量分散X线(EDX)分析方法,研究了在1100℃水汽氧化后在N型(100)硅片上发现......
要减小VLSI器件中的结漂移，需要较低的工艺温度。本文概述了高压氧化技术在MOS器件制造中的应用。本文描述了氧化的动力学。说明了......
通过实验对热氧化工艺中的两种不同方法,即干氧氧化和水汽氧化进行了比较研究,证明了利用这种工艺形成硅基片硬质掩膜的可行性.......
将原位XRD反应装置与在线气相色谱技术结合,研究了不同H 2O含量(4.36%、1.68%、0.56%)条件下单一相Fe 5C 2的氧化速率,并考察了不......
