少数载流子相关论文
有机场效应晶体管型非易失性存储器具有可低温加工、适宜大面积生产、生产成本低和可与柔性衬底兼容等突出优点，已经成为国内外的研......
宽带半导体ｐ－ｎ结中少数截流子扩散长度和寿命的测定＝［刊，俄］／－１９９３．２２（２）．－３８～４２少数载流子的扩散长度Ｌ和寿命τ，是决定许多半导体器件性能的最重要的材料参数之......
本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较，可以看出注入光敏器件的特征所......
制备了不同电极、不同厚度、以８－羟基喹啉铝螯合物（Ａｌｑ３）为发光层的有机薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件．分析了它们的电流密度－电压关系．不同阳极器件的电流......
少数载流子扫出效应是限制碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）光导器件性能提高的重要因素之一。交叠结构的光导器件能有效地消除少数载流子扫出效应。就结构的......
介绍ＣｒｙｏＲａｄｌ低温绝对辐射计（ＨＡＣＲ），给出通过激光功率控制器（ＬＰＣ）调制过的Ｈｅ－Ｎｅ激光对所研制的Ｓｉ光电二极管陷阱探测系统进行定标的实验及结果分析
CryoRadl l......
介绍了用微波反射法测量HgCdTe中的少数载流子寿命 ,分析了其测量原理 ,并与接触式的光电导衰减法进行了对比。
The minority car......
利用动态控制阳极短路的基本原理 ,提出了一种实现高速 IGBT的新思路 .该结构的关键是引入了一个常开型 p- MOSFET,在 IGBT导通时......
本文采用17个原子的原子蔟,用电荷-组态自洽的EHMO方法,计算了中性过渡金属原子Cr、Mn、Fe、Co、Ni在半导体GaAs中的深杂质态,所得......
窄禁带碲镉汞（HgCdTe）为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于弱p型材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级,更......
持续光电导现象是影响多晶金刚石紫外探测器时间响应性能的一个不利因素,它的存在会大大延长探测器的响应时间.本文在微米晶金刚石......
为建立载流子辐射检测Si基太阳能电池的理论模型，基于太阳能电池非线性耦合方程对调制激光激励下Si太阳能电池过剩少数载流子的空间......
介绍了结势垒控制肖特基整流器(JBS)和JBS集成碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(SiC JMOS)的特性。JMOS通过将DMOS和JB......
把具有光电转换效能的有机染料或导电高聚物作为光敏剂修饰到半导体超微粒多孔膜上，使宽禁带宽度半导体吸收光波长扩展至可见和红外......
本文所述紫外增感硅光二极管(以下简称二极管)绝对光谱灵敏度测定的新技术,与以前所有的辐射绝对测量法(无论是黑体热物理学的传......
研究出一种使用硅光电二极管自校准技术建立激光微小功率标准的新方法。本文阐述自校准的原理和方法,并给出了4只硅光电二极管(UV-......
考虑到晶界效应,可以将多晶硅中非平衡少数载流子的行为看作单晶硅中非平衡少数载流子的行为叠加一个晶界作用的总效应。由此,用Kr......
本文讨论一种新的静态双极存储器的设计,它在密度方面可以与动态场效应晶体管存储器相当,而在性能与功耗方面较优越。少数载流子直......
本文讨论采用p-n-p-n开关作为双稳态元件的四位静态两相移位寄存器。这些元件间采用新的电流镜象耦合后(Current Mirror Coupling)......
本文讨论了关于结式晶体管是一种由电荷控制的电流源的概念。饱和与非饱和运用的主要区别在于少数载流子和多数载流子在基区中的分......
本文分析了射极跟随器的工作性能,并解决了在带电容性负戴时,传送大幅度脉冲信号的工作状态的选择问题。
This paper analyzes th......
一、前言在太阳电池普及应用中,最大的障碍是它的成本太高。因此,如何降低成本是当前最重要的研究课题之一。降低太阳电池的成本,......
序言自从集成注入逻辑(I~2L)[1]和并合三极管逻辑(MTL)[2]对双极型集成电路产生巨大影响以来,围绕着进一步提高器件的密度和速度......
在n-型硅衬底上制作了由紧密相邻的MOS电容器组成的结构。当在一个电极的下面形成耗尽区时,少数载流子(空穴)可以存储在由此形成的......
引言计算技术和集成电路技术的迅速发展,要求并有可能实现半导体随机存贮器朝高密度、低功耗、快速操作方向发展,一般双极电路,由......
集成注入逻辑电路自三年前发表以来(1972年发表),已开始离开实验阶段,逐步变成产品市售。这种电路采用双极大规模集成技术,其性能......
一、引言 TED探测器的出现对英国热成象技术的发展有着较大的推动作用。最佳利用这些探测器的成象系统的设计考虑与普通探测器很......
直流场致发光的条件 在适当条件下,当电子从高能态落到低能态时,就产生光发射。为了增多高能态的电子,需要额外的载流子。在半导......
根据俄歇限制的带—带过程确定n 型材料中的载流子寿命的假设,分析了0.1电子伏特碲镉汞光电探测器的最终D~*。光导器件和光电二极......
本文描述一种以n型CMT(碲镉汞)为基础的新型红外器件。该器件在串扫热成象系统或串并扫热成象系统中同时起探测和时间延迟与积分的......
本文介绍两种成结方法:离子注入同质结和双层液相外延异质结。报导了受背景辐射限制的探测度。测量了预定包括1～3(短波长)、3～5(中波......
引言为了揭示双极电路于低成本逻辑运用的潜力,需要考虑新的电路概念,这种电路较之目前应用的电路,应允许更高的功能集成但要求较......
本文对MIS结构的C-t过程作了动力学分析.结果表明:一般情况下,界面态只在界面的耗尽和半导体表面反型的过程中对C-t特性有不可忽视......
本文是一篇Ⅱ-Ⅵ族化合物注入式发光的情况报告。对用于注入式发光器件的已知的和潜在的材料作了简要的评论,并对Ⅱ-Ⅵ族化合物与......
观察了样品几何尺寸、表面复合速度及光的贯穿程度,对半导体少数载流子光电导衰退中高次模的影响。在测量时使用贯穿光、大尺寸样......
CO_2激光辐射的探测,在激光测距和风速测量等应用中日显重要。测距用脉冲激光器可直接接收,测风速要用连续激光器,须用外差接收。......
第1期多声子复合理论中绝热近似是否失效的问题··,····,·························……黄昆(1)低......
针对缓变结和突变结,计算了碲锡铅扩散结光生伏特探测器在零偏压时的电阻——面积之乘积R_oA。对抗缓变结而言,提出的公式论证了少......
本文报导第一次实现用液相外延技术制备的背面照射型HgCdTe/CdTe光电二极管。在其他条件都相同的情况下,这些二极管的热噪声要比Hg......
理论和实验结果1.材料鉴定在光电二极管的制造中,选择Hg_(1-x)Cd_xTe的理论标准为:响应时间、杂质浓度、量子效率和决定适用光谱......
