【摘 要】
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按照一定的掺杂比例制备了一种双掺硅单晶.单晶片经热氧化或惰性气体中热处理,可以在其表面获得P-N结.这种P-N结具有下述特点:(1)可重复地得到大面积、均匀的浅结,P-N结结深
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按照一定的掺杂比例制备了一种双掺硅单晶.单晶片经热氧化或惰性气体中热处理,可以在其表面获得P-N结.这种P-N结具有下述特点:(1)可重复地得到大面积、均匀的浅结,P-N结结深最浅可以控制在0.1微米以下,甚至百埃(?)数量级.(2)表面是n型低浓度区,体内是P型高浓度,与扩散结、离子注入结和合金结的浓度分布不同.
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