二次缺陷相关论文
本文主要分析了经过热氧化后的硅单晶抛光片出现的位错、层错等二次缺陷的形成原因,以及二次缺陷对晶体管生产工艺中管芯成品率的......
采用扫描电子显微术对布里奇曼法、固态再结晶法和碲溶剂法生长的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体的结构性质进行了研究，结果表明位错和亚晶界是三种方法所得晶......
中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050～1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0......
国外硅单晶质量研究进展（续Ⅰ）王旗（高工），陈振，浦树德，杨晴初（西南技术物理所，成都６１００４１）３硅金属及其它杂质３．１过渡元素的一般概况过渡元素在硅中的污......
线性偏微分算子理论概况························……,’’····················......
本文根据该厂几年来对平锻机修理的经验体会简要说明了平锻机主要零(部)件的修理方法.这些零(部)件包括:机身、主滑块、连杆和连杆......
1、绪言在Al-Cu-Sn(Cd,In)合金中见到的高温时效促进现象,很早以前就有所了解。而且对其机理也有所提示:(1)Sn(Cd,In)原子吸着在......
对GaN基白光二极管(LED)分别施加-1 600、-1 200、-800、-400、400、800、1 200和1 600V静电打击,每次静电打击后,测量LED电学参数......
Fe-10％Cr铁素体合金经室温注氢后,在620-720K进行电子辐照时,会出现一种新的共格偏析现像。与此偏析相对应,在电子衍射图像中可以观......
硅衬底片背部的机械加工损伤除在外延及其后的热处理过程中会向晶片完整区域传播引起位错的增殖,产生一种二次缺陷外,还会对晶片......
缺陷管理为了在媒体出现缺陷、伤痕或因多次写入而导致的劣化现象时仍然能够保证数据的可靠性,DVD-RAM 采用缺陷管理方式,可以利......
工 作 报 告 M页)[采用滴水氧化和三氯乙烯处理方法制备优质厚二氧化硅层………………………一(1)——,。—。、—。。。。a。。、......
一、硅的等离体及低温工艺的必要性 低温和等离子体工艺现在成为LSI技术中很引人注目的技术。它们可以为LSI提供一个有力的工艺手......
第1期多声子跃迁高温强藕合近似的判据···························……顾宗权黄昆(1)低剂最中子辐照......
用150瓦连续波CO_2激光束照射硅片,观察到了其氧化层错的消除现象,并对消除机理进行了探讨。
A 150-watt continuous wave CO2 la......
通过离子探针分析,少子寿命监测和对诱生缺陷形成情况的观察分析证明,经过双吸除技术处理的晶片,在经受了器件制造工艺条件下的多......
提高成品率是集成电路生产和研制中十分重要的课题。本文从基础工艺出发,概述了影响集成电路成品率的基本因素,提出了提高成品率的......
关于如何实现双极晶体管的低频低噪声问题,一直是半导体领域中人们关心和研究的重要课题之一。本文扼要地分析了晶体管的噪声及其......
D触发器用途广泛,需求量很大,因此如何提高其成品率就成为一个重要的课题。从现有工艺实际出发,我们对提高双极型D触发器成品率采......
成品率是衡量一种产品的生产水平和工艺技术水平的最重要标志,也是产品质量、稳定性及可靠性的重要标志,更是决定大规模集成电路试......
随着硅器件性能的不断提高,尤其在硅平面工艺出现之后,硅器件已经在很大应用领域内取代了锗器件。目前,锗被取代的趋势仍在继续。......
本文采用予氧化吸除法和慢速升降温法,吸除工艺中引进的二次缺陷,改善二极管电学参数,提高MOS电容的弛豫时间。 为探讨二次缺陷对M......
本文叙述硅器件制造过程中,硅晶体中二次缺陷形成、生长和缩小的条件。实验指出:(1)用细致的化学腐蚀方法可有效地减少表面型氧化......
目前,在国内集成电路生产中,通常采用PN结隔离工艺和介质隔离工艺.其中PN结隔离工艺又以锑隐埋单面隔离为常见.磷隐埋对通隔离工......
硅器件工艺的高温热氧化,将在芯片表面产生氧化缺陷。本文观测了高温氮气退火对二次缺陷的消除作用,采用了初次热氧化后接着通干氮......
抛光片表面的平整度和完整性是硅单晶片的重要参数之一.晶片制备过程中残留在表面的划痕、浅坑等机械损伤,不仅可直接造成Pn结不......
目前,国内生产100W以上的硅低频功率管,一般都采用三重扩散工艺,由于其背衬的制作,需经近百小时的高温扩散,不仅生产周期长,材科......
本文介绍了氯化氢在集成电路制备中的各种具体应用、浓度的精确测定、对硅片的腐蚀速率、对钠离子的钝化模型及其他的作用机理,并......
一、引言自1948年第一只 Ge 晶体管问世以来,半导体材料正式登上了电子工业的历史舞台。但是,Si 以它独到的特性,很快在半导体材......
硅半导体平面器件的制作,随着完美晶体的应用,克服了原生缺陷,但由于在晶片加工过程中(如切、磨、抛),硅片表面的机械损伤、杂质......
本文结合氧化工艺中所碰到的若干问题,阐述了解决这些问题的措施和方法,同时,提出我们的认识和理解,进行讨论。我们认识到,在氧化......
一、引言硅热氧化层错是在硅器件热氧化工艺中产生的一种二次缺陷,它是由1/3[111]Frank不全位错环围绕的非本征填隙型层错。由于......
本文从理论上和实验上论证了现行的高温磷扩散工艺对逻辑集成电路开关速度的诸多不良影响;提出一种改进了的磷扩散工艺——“低温......
一、前言 高磷扩散是硅PNP晶体管制造过程中不可缺少的工序。对于普通硅PNP晶体管来说,高磷扩散的目的是使基区与铝电极引线之间......
近年来,随着大规模集成电路、CCD二极管阵列显示器件和微波功率晶体管的发展,这些大面积器件对半导体材料提出了更高的要求,促使......
本文叙述了在注砷多晶硅发射区、注硼基区、深磷扩散收集区等工艺研究和器件特性分析的基础上,研制出达到设计参数标准的D.I.2902......
在LSI和VLSI中都必须使用介质膜,其中使用最多的是氧化硅膜.制备氧化硅膜的方法很多,主要包括热氧化和淀积氧化.但它们的生长温度......
概述了我国真空摄象管研制和生产的发展过程及当前存在的问题。指出影响摄象管质量的主要原因是疵点,并对今后的工作提出了自己的......
本文研究了1～3MeV高能硼离子注入n-型硅衬底后n-p-n埋层结构的形成,发现采用适当的退火条件可得到良好的埋层载流子浓度及分布;并可......
一、实验方法本实验所使用的材料为P型硅单晶,电阻率p=5-10Ω-cm,选用160keV,150keV,80keV的能量;5×10~(15)-1×10~(1(?))cm~(-2......
