【摘 要】
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本文记述了用三元系扩散源在三种掺杂(掺Te、Ge、Sn)AI_xGa_(1-x)As外延层中进行Zn扩散的实验;给出了扩散结深随时间变化的关系曲线;并讨论了三种掺杂外延层中Zn扩散速度不同
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本文记述了用三元系扩散源在三种掺杂(掺Te、Ge、Sn)AI_xGa_(1-x)As外延层中进行Zn扩散的实验;给出了扩散结深随时间变化的关系曲线;并讨论了三种掺杂外延层中Zn扩散速度不同的原因。
In this paper, we describe the experimental results of the diffusion of Zn in three kinds of doped (Te, Ge, Sn) AI_xGa_ (1-x) As epilayers by ternary diffusion source. The reasons for the different diffusion rates of Zn in three kinds of doped epitaxial layers are discussed.
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