肖特基二极管相关论文
二维材料物性奇特,在催化、能源储存和转换领域、微电子领域有着巨大的科学研究、工业应用以及经济价值。本论文立足于二维材料研......
氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表,具有宽带隙、高临界击穿电场及高饱和电子漂移速率等优异特性,特别是AlGaN/GaN异质结具有......
现阶段接收链路的动态功率范围越来越大,对接收机限幅器的线性度带来挑战。要求限幅器在满足高功率的前提下,开启电平尽量高。GaN肖......
当今高功率微波技术发展迅速,电子设备所面临的威胁巨大。GaN肖特基二极管具有较小的开启电压和较高的击穿电压,特别适用于大功率整......
屏蔽栅场效应管SGT-MOSFET(Shield-gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),作为新型功率开关MOSFET,通过在槽栅......
随着信息技术的不断发展与提高,通讯系统对工作频带要求逐渐提高,W波段等短毫米波频段拥有着巨大的频谱资源,是热门的研究课题,而......
肖特基二极管由于其独特的整流、限幅特性,在集成电路中有着广泛的应用。随着集成电路中电子元器件密度的不断提高,传统的硅基半导......
随着当今科技的飞速发展和第三代半导体的广泛应用,电力电子系统和集成电路系统对功率半导体器件的要求日益提升。4H-Si C结势垒肖......
随着微波能量传输(MPT)技术的不断发展,其应用不再局限于空间太阳能电站的研发,也逐步应用到日常的生产生活中,如具有无线充电功能的......
GaN基材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和稳定性好等优势。基于GaN材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构在微波通信和大功率应用等领......
E波段覆盖工作频段为60GHz-90GHz,其中71GHz-76GHz、81GHz-86GHz两个频段拓展了无线传输紧张的频谱资源,应用与发展前景非常广阔。......
传统的并联肖特基二极管(Schottky diode,SD)对的模拟预失真(analog predistortion,APD)电路,其可调性不高,产生的非线性信号有限.......
碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,有着宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率等特点,是发展大功率、高频高温以及抗强辐射等技术......
随着5G时代的到来,无线通信技术在各个领域所展现出来的重要性也愈发明显,人们希望可以对电磁波实现更高要求的调控,其中对电磁波......
通过设计圆形阳极以及相同面积不同周长的指形阳极,研究了不同阳极周长面积比对太赫兹频段内GaN肖特基二极管串联电阻的影响.在阳......
宽禁带氮化镓(GaN)基半导体物理特性优异,具有强击穿电场,高电子饱和速率和电子迁移率等,因此,非常适合制备功率微波电子器件,比如Al......
提出一种基于图案化石墨烯/氮化镓肖特基二极管与类电磁诱导透明超表面集成的新型太赫兹调制器.通过施加连续激光或偏置电压改变异......
本论文研究了不同维度下纳米结构(零维、一维、二维)器件对气敏响应性能的影响,在研究工作中分别对薄膜型金属氧化物三氧化钨纳米片......
微波无线能量传输系统(MWPT)由发射端和接收端两部分组成,其接收端包括:接收天线、整流电路和阻抗匹配电路。因为能够进行远距离传输......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,因其具有高禁带宽度、高电子迁移率、高电子饱和速度、高击穿场强等一系列优良的电学特性,......
针对太赫兹GaAs肖特基二极管倍频器芯片散热能力差导致输出功率低的问题,开展了GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片研究.通过稳态热......
氧化镓作为新一代宽禁带材料,其器件具有优越的性能.本文仿真研究了n+高浓度外延薄层对氧化镓肖特基二极管的势垒调控.模拟结果显......
基于太赫兹肖特基二极管的强非线性特性,采用多次谐波倍频和混频的方式,研制了可应用于连续波频率调制雷达探测的紧凑型220 GHz收......
近年来,随着新能源汽车、轨道交通、能源互联网和国防军工等应用领域的快速发展,碳化硅(SiC)凭借着卓越的材料性能受到产业界和学术......
模拟预失真器具有带宽宽、结构简单、功耗低和延时少等优点,满足第五代移动通信系统(5G)及超5G的功放线性化对大带宽、低功耗和低......
二维范德华层状材料具有亚纳米或纳米尺寸的厚度,超薄的厚度使得其表现出明显不同于块体材料的物理化学特性,在未来新一代电子器件......
氮化镓材料相对于传统半导体材料具有高击穿场强、高电子迁移率和饱和速度,高温和辐照下高可靠性等显著优势,在电力电子和射频微波......
提出了一种肖特基二极管的毫米波等效电路模型参数提取方法.该方法利用开路测试结构确定焊盘电容,并结合短路测试结构确定馈线电感......
本文设计了一种用于太赫兹接收机的准光混频器,该准光混频器主要由肖特基二极管集成平面天线和高阻硅透镜两部分组成,其中肖特基二......
为了满足功率模块在高功率高效率应用领域的要求,研制了一种由碳化硅(SiC)结势垒肖特基二极管(JBS)与硅(Si)基绝缘栅双极型晶体管(......
本文将扩展的时域谱元法用于微波混频器电路的时域电磁仿真.根据场-电路耦合原理,在电场矢量波动方程中引入集总电流,并将混频器电......
通过氧化一刻蚀一沸水处理的方法(BW法)将欧姆接触合金温度从800℃-1200℃降到100℃下.本文在100℃以下制备了比较接触电阻ρ=5~8......
采用传统I-V拟舍的方法和基于导纳谱的肖特基势垒高度提取方法,对n型及p型衬底上的W/Si以及WSi2/Si二极管分别测量肖特基势垒高度。......
对肖特基二极管的设计原理、制造工艺、在高温反偏试验(HTRB,high temperature reverse bias)中形成热点从而导致损坏的机理进行分......
本文介绍了一种基于太赫兹频段低寄生参量的肖特基二极管220GHz次谐波混频器的仿真设计.首先,通过HFSS软件对无源电路进行设计.然......
在THz频段,全单片天线由于其良好的一致性和易于集成的特点,是现阶段的研究热点。但目前THz源功率普遍较低,因此THz器件的测试也是一......
设计了一种超宽带高斯脉冲发生器,此脉冲发生器主要元件是SRD(Step Recovery Diode).肖特基二极管,双极性晶体管和微带线。利用SRD元......
本文设计了一个基于肖特基二极管的毫米波三倍频电路,输入频率为33.3-36.7GHz,输出频率为100-110GHz。电路结构采用反向并联二极管对......
高速瞬态取样门主要应用于激光聚变实验和高能物理实验中对单次脉冲进行实时取样。本文提出了一种新颖的基于肖特基二极管桥的平衡......
本文设计了一个基于肖特基二极管的3mm三倍频电路,输入频率为33.3-36.7GHz,输出频率为100-100GHz.电路结构采用反向并联二极管对,......
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别......
本文主要介绍了利用真空蒸镀法制作可应用于Lechner有源矩阵的有机二极管——A1/A10x/C60/Cu结构的C60肖特基二极管的方法并分析了......
在对肖特基二极管电磁模型和电路模型精确建模的基础上, 设计并制作了W波段宽带八次谐波混频器.通过对肖特基二极管物理结构的分析......
离子辐照会影响半导体器件的性能,进而使得器件在空间辐射等特定环境条件下的工作寿命和可靠性退化.研究了经过1 MeV Xe离子辐照后......
基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制宽带360~440 GHz分谐波混频器。详细描述二极管......