离子注入掺杂相关论文
在 GaN 中注入 Si~-和 Mg~+/P~+之后,在约1100℃下退火,分别形成 n 区和 p 区。每种元素的注入剂量为5×10~(14)cm~(-2)时,Si 的载......
运用红外反射谱，背散射谱和二次离子质谱等方法研究ＨｇＣｄＴｅ注入Ｂ、Ｐ、Ｉｎ和Ａｓ等元素的掺杂与损伤特性。
The doping and damage properties of Hg......
对氮离子注入掺杂的微波等离子ＣＶＤ金刚石薄膜进行了场电子发射研究。结果表明，发射具有３阶段特征，即当样品损伤层被击穿、发射体被激活后......
本文研究了氮生长掺杂和离子注入掺杂金刚石薄膜的场电子发射性能．测试结果表明，两类样品均显示良好的发射性能，即开启电压低（５０～１５０Ｖ）、发射电......
研究了可取代多晶硅扩散掺杂的离子注入掺杂工艺,通过两种掺杂方式对CCD栅介质损伤、多晶硅接触电阻及均匀性等关键参数影响的对比......
用一种导电的塑料材料聚乙炔制造电子元件的希望快要实现了,现在已到了真正的技术突破阶段。日本科学家已经研制成功第一个以加入......
研究了聚苯胺的离子注入掺杂对导电性的影响。用红外和紫外谱法探讨了聚苯胺的氧化态、本征态和还原态经离子注入后,其结构可能发......
本文用Ar~+,Fe~+,Cl~+,I~+,Na~+和K~+等离子束,在15—30keV能量范围内注入聚乙炔薄膜,剂量为1×10~(13)-3×10~(17)cm~(-2).借助红......
用一种联机计算机控制测量系统收集和分析了离子注入MOS结构的1MH_Z电容-电压(C-V)数据。这种分析算法考虑了耗尽区宽度小于两倍德......
光伏型探测器的优点在于功耗低,较易与电荷耦合器件(CCD)互连,而且有可能作为大型焦平面以及宽频带应用。除此之外,光伏型探测器......
美国橡树岭国家实验室的研究者们已用超速激光脉冲研制出一种电性能比普通半导体好的“过饱和”硅合金的生产方法。 激光过程有可......
本文介绍的是关于半导体衬底中的杂质浓度以及经外延生长、杂质扩散、离子注入等工艺过程的半导体中的杂质浓度分布的测定方法和......
本文给出一个1K×4 NMOS SRAM的设计.存贮单元采用离子注入掺杂的高阻多晶硅电阻器作负载,外围选用E/D型逻辑电路,采用5μ设计规则......
由离子注入掺杂半绝缘GaAs 所得到的材料可视为生长在半绝缘衬底上的高斯分布层.高斯掺杂分布用峰值浓度、投影射程和标准偏离三个......
实验研究了高密度(CH)_X膜的离子注入n型掺杂。在用相当低的能量(12KeV)的钠离子进行了注入的(CH)_x膜上观察到明显的掺杂效应。(C......
一、前言在半导体基片中扩散杂质形成能导电的载流子,从而形成P-n结的技术已经由来已久了,近年来,随着器件的复杂化和IC设计规则......
本文对离子注入杂质的热再分布过程提出了两种分析手段:其一是已知热再分布的工艺条件,求解扩散方程得到最终杂质分布的解析结果;......
本文对离子注入搀杂杂质分布的热再分布过程提出了两种分析手段。其一是已知热再分布的具体过程,通过求解扩散方程得到了杂质最终......
本文对多晶硅膜离子注入掺杂和扩散掺杂制备浅发射结进行了实验研究。针对新型薄发射极晶闸管特性改善对薄发射极参数的要求,重点......
晶硅太阳电池的高效率、低成本和长寿命，使其牢牢占据了绝大部分光伏市场。然而，光伏发电离平价上网还有相当的距离。因此，继续提......
薄膜材料一直是材料研究中的热点。与体材料不同，薄膜材料的检测需要应用到表面分析技术。X射线光电子能谱(XPS)在分析薄膜化学组分......
光伏发电是解决能源危机的有效途径之一。在过去的几十年中晶体硅太阳能电池发展迅速，一直在太阳能电池产业中占据着主导地位。太阳......
CsI晶体及掺杂CsI晶体为重要的无机闪烁体，与目前广泛使用的半导体光电二极管光学匹配很好，在射线探测中有很广阔的应用。
本文......
首先综合介绍了稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors, DMSs)的基本理论和应用前景,以及In2O3材料的结构、性质和用途,并介......
<正> 1971年5月在西德召开了半导体离子注入技术的第二届国际会议,根据该会的报导,离子注入技术在半导体器件制造中的用途日益广泛......
引言:目前国内外光伏企业研究的高效太阳能电池,都是基于N型衬底。N型电池具有少子寿命高、光致衰减低等优点。可制备双面电池,提......
