雪崩击穿相关论文
横向双扩散金属氧化物半导体（Lateral Double-Diffusion Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）因其高耐压,低导通电阻,功耗低以及高集成......
针式打印机是一种不同于激光、喷墨和热敏打印机的产品。它是靠机械作用力撞击色带,进而把色带上的油墨压印到纸上来显示信息。这......
本文主要分析了温度和热效应在6H-SiC MOS器件不同晶面上对其击穿特性的影响.当考虑到器件内部热流的影响时,迁移率因具有负温度系......
本实验研究了800nm 和400nm 飞秒激光作用下石英玻璃、氟化钙的破坏机制和烧蚀规律。发展了雪崩击穿模型，计算了材料的烧蚀阈值与脉......
为解决常规AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因源极电子注入栅极右侧高场区造成的雪崩击穿,并提高器件的击穿电压,提出了一种具......
对（HgCd）Te探测器峰值响应波长的Franz－Keldysh偏移进行了实验研究。实验结果表明，在强电场中，（HyCd）Te具有很强的Franz－Keldysh效应，因而可......
首次建立了ＲＥＳＵＲＦ二极管的低温优化模型，推导出７７Ｋ～３００Ｋ范围内击穿电压和漂移区长度的优化公式，给出了一定耐压下最小漂移区长度随温度的变化曲线。......
对ＧＡＴ结构晶体管中栅的引入和栅参数改变对击穿电压的影响进行了定量计算，报告了计算的结果，以及对结果的理论分析。计算采用数值分析方......
从ＧＴＯ的内部工作机理入手，结合外电路特性，研究了拖尾电流及其对关断性能的影响。给出了一种识别Ｊ３结反向雪崩击穿的新方法。
Starting f......
叙述了具有雪崩击穿特性的高压二极管的设计及一次全扩散工艺概况以及实际应用的效果。
The design of the high-voltage diode w......
通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型,定量研究了GAT的基区穿通电压VPI以及GAT的雪崩击......
在对慢调Ｑ腔倒空激光器输出脉冲波形进行整形的过程中，用通频带宽度为５００ ＭＨｚ的示波器观察，发现调制电波形出现混沌。在分析和实验的基础上，......
光控半导体开关在脉冲功率等方面具有广泛的应用前景，越来越受到人们的重视。本文对光控半导体开关进行了简要介绍，包括ＧａＡｓ∶Ｓｉ∶Ｃｕ开关的原......
在实验研究的基础上，对晶体管二次击穿现象的原因提出一种新的观点，并进而讨论避免二次击穿的思路。
Based on the experimental re......
利用ＹＡＧ脉冲激光在二种脉宽下（１０ｎｓ、２５０μｓ），对Ｓｉ、Ｇｅ片进行了损伤研究，分别给出了表面损伤机制，并利用镀金钢石膜、介质膜和激光预辐照进行加固，讨论了......
通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、......
基于碳化硅材料电离系数和迁移率的温度依赖性 ,利用有效电离系数的 Fulop近似 ,推出了 6 H- Si C单极性功率器件击穿电压和比导通......
随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部......
本文在研究IMOS器件结构的基础上,分析了该器件不同区域的表面电场,结合雪崩击穿条件,建立了P-IMOS的阈值电压解析模型.应用MATLAB......
采用联华电子公司(UMC)0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了多晶硅PIN-LED,测试结果表明,i区宽为10μm器件的正向导通电压为1.5V,反向......
硅基雪崩光电探测器的器件性能与倍增层的掺杂浓度有着密切联系。研究了硅基雪崩光电探测器倍增层的掺杂浓度对雪崩击穿电压和光谱......
采用集成器件结构和先进工艺研制了一款等效低压二极管。该等效低压二极管的等效电路实质是一个普通npn三极管和一个普通二极管并......
功率SiC MOSFET具有更低的导通电阻,更快的开关速度和更强的耐高温能力。由于其芯片面积较小、栅极氧化层厚度更薄,SiC MOSFET在短......
二维模型的出现对减小器件的尺寸和宽长比就更加注意。虽然这些模型能够精确地叙述和预言各种各样的双极型和场效应器件的状态,但......
叠栅注入MOS晶体管,在读、编码和清除时,利用叠在浮动栅上的控制栅来选择单元。编码是通过由沟道向浮动栅注入热电子来完成的,这就......
本文介绍一种采用双层n沟道多晶硅栅工艺的全译码(与TTL相容)电改写8K位MOS ROM。存储单元由叠栅结构的单管组成,其浮动栅只盖住沟......
一、问题的提出当硅体内击穿电压满足了额定容量要求之后,与硅表面相连的结末端将成为突出的薄弱环结.为减少表面效应、降低表面......
采用稳态温度梯度技术的镓溶液外延已成功地用于生长高质量的150微米厚的砷化镓层,其电子浓度的变化小于5%。使用激光探针的光电导......
本文分析了制造非穿通型超增益器件的几个重要问题,即:直流电流增益h_(FE),氧化膜中正离子感生的h_(FE)在低集流下的降落和抵抗钠......
用于NMOS和CMOS微电路的N沟MOS晶体管在其漏-源击穿特性上有一个负阻区。启动这种工作方式,源-漏电压就会下降,同时产生较大的漏极......
一般处理P-N结反向问题时,认为P-N结中载流子是完全耗尽的。在P-N结发生击穿以前用这模型来描述是接近于实际情况的。但是在处理......
用非稳态电子动力学并将电离系数取作为电子平均能量的函数的方法研究了GaAs MESFET中的沟道雪崩击穿。计算了在击穿时不同形状的......
垂直结型栅场效应晶体管是一种新型大功率器件。它们显示不同于一般场效应晶体管而类似于三极管的特性。本文应用二维数值分析研究......
本文提出了利用恒流瞬态技术测量硅片电学参数及MOS特性的新方法。改变位移电流的大小,使MOS结构处于不同瞬态,从而完成硅片电学参......
近来,J.F.Verwey等首次提出了关于P-n结击穿电压蠕变的定量模型,从理论上计算出△V_(BV)(t)～t半对数曲线。和实验结果比较,在曲线的......
近来我们对本厂生产的部分平面2CK管芯进行电参数测试,发现其中相当数量的管芯存在击穿电压蠕变特性,PN结的雪崩击穿电压可由原来......
由离子注入掺杂半绝缘GaAs 所得到的材料可视为生长在半绝缘衬底上的高斯分布层.高斯掺杂分布用峰值浓度、投影射程和标准偏离三个......
本文通过实验测量了GaAs体效应器件的畴雪崩击穿电压及相应的光发射,并进行了器件的烧毁实验,比较了阴极深几何凹槽和一般的Gunn器......
目前,Supertex 公司正在制作一种可处理高达400V 电压的CMOS IC.该电路采用一种结隔离工艺.用此工艺提高了结的雪崩击穿电压,同时......
本文用辉光放电(G·D)法在(100)晶向p型InP衬底上淀积n型a-Si:H,形成较为良好的异质p-n结。测试结果为:a-Si:H/InP异质p-n结的正向......
本文用横向扩展的雪崩模型分析了GaAs MESFET的功率限制因素:栅-漏间未耗尽外延电荷量、有效雪崩电场及表面效应,实验研究了凹槽尺......
