表面耗尽层相关论文
比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ和增强型表面沟道ｐＭＯＳＦＥＴ的导通机理，提出了一种处理沟道反型注入非均匀掺杂浓度的方法，推导了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算公......
本文报道了掺氧液相外延GaAs材料的拉曼光谱测量结果.观测到体内晶格振动的LO与等离子激元的耦合模L_+和L_-以及表面耗尽层的LO,2T......
本文导出了非简并状态反型层中电位与载流子浓度热平衡分布的解析表达式,其结果与计算机求得的精密数值解符合很好.由本文结果还可......
制作了离子注入MOS晶体管,测量了诸如阈值电压、有效迁移率等电学性质。发现在注入硼离子(~(11)B~+)的p型沟道的情况下,阈值电压V_......
本文报导了一种采用平面工艺制作的背照式φ500μm InGaAs/InP探头。该探头的光谱响应范围为1.0～1.65μm,响应度在1.3μm处为0.65～0.......
用一种新的隧道注入机构,研究了半导体表面耗尽层准二维系统的电子能谱.对Si(100)表面,在室温下,确定出了多达10个以上的子带能量.......
当前出现的结型光探测器,其结构为传统的平面p-n结。在这种表面杂质扩散层中掺掺浓度较高,光生少子寿命较低。这对于表面
The cu......
作为开关器件的E-HEMT是DCFL电路的核心,其性能好坏将对高速HEMTIC性能产生巨大影响。本文从能带理论、器件结构和外加栅压等方面......
本文提出了一种简单的模型来描述增强型MOS场效应晶体管的阈值和弱反型工作。对照两维数字模拟对这种模型进行了检查,得到了晶体管......
本文根据0.3—1.1μm栅长GaAs MESFET直流特性的测试结果,计算了不同栅长器件中电子饱和速度.实验表明,短栅GaAs MESFET中电子饱和......
本文介绍了首次提出的一种物理模型.描述经过补偿注入的N阱的C—V曲线.该模型指出,具有Pn给表面的N阱C—V曲线的物理机理与常规C—......
本文从理论上分析了利用SiO_2/Si 界面电荷造成Si表面耗尽和反型的性质,制成紫外光响应灵敏的表面型硅光电探测器的可行性,并在实......
本文设计并研制出在液氮温度（７７Ｋ）下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．７的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平［７］．测量了该器件在７７Ｋ的ＩＣ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的解释......
ＰＥＣＶＤＳｉＮ及其在ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ中的应用第Ⅱ部分：ＰＥＣＶＤＳｉＮ的性质及其对ＧａＡｓ器件性能的影响罗海云（电子部第１３研究所，石家庄，０５００５１）ＰＥＣＶＤＳｉＮａｎｄＩｔｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｉｎＧａＡｓＭＥＳＦＥＴＰａｒｔⅡ：Ｐｒ...
PECVDSiN and Its Applications in GaAsME......
本文报道了用于制造超高过集成电路的０．１μｍ栅长ＩｎＰ基ＨＥＭＴ器件技术。该技术主要包括非合金欧姆接触和具有高重复性和均匀性的Ｔ型栅技术。作为该......
三端电压控制型负阻器件（２）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第二章表面控制负阻晶体管（ＮＥＧＩＴ）［５］表面控制负阻晶体管（Ｓｕｒｆａｃｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｓａｔｉｖｅＩｍｐｅｄａｎｄｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＮＥＧＩＴ是在栅控晶...
Surface-Contr......
