pMOSFET相关论文
研究了注F加固PMOSFET的总剂量辐照响应特性和辐照后由氧化物电荷、界面态变化引起的阈电压漂移与时间、温度、偏置等退火条件的关......
比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ和增强型表面沟道ｐＭＯＳＦＥＴ的导通机理，提出了一种处理沟道反型注入非均匀掺杂浓度的方法，推导了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算公......
p MOSFET剂量计多管级联结构电离辐射响应特性比单管能明显提高辐射响应灵敏度。多管共衬底级联与不共衬底级联灵敏度提高倍数较大......
分析了槽栅器件中的热载流子形成机理 ,发现在三个应力区中 ,中栅压附近热载流子产生概率达到最大 .利用先进的半导体器件二维器件......
研究了热载流子应力下栅厚为 2 .1nm ,栅长为 0 .135μm的 p MOSFET中 HAL O掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系 .实验发现......
MOSFET器件继续微缩则闸极氧化层厚度将持续减小,在0.13μm的技术闸极二氧化硅的厚度必须小于2nm,然而如此薄的氧化层直接穿透电流......
本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶S......
本文概述了超高输入阻抗PMOSFET的设计与研制及目前达到的水平—阻抗最高达6×10~(16)Ω、弱电流时跨导达到20μΩ、开启电压2～3V.
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用亚阈技术分析研究了干氧栅氧化期间通入ＨＣｌ所制作的ＰＭＯＳＦＥＴ的６０Ｃｏ辐照响应。结果表明，栅介质中掺入少量ＨＣｌ能抑制辐射感生阈电压漂移和界面态增长；固......
随着器件工艺尺寸的不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于如何降低单粒子效应的研究显得越来越重要.绝缘体上硅(SO......
随着器件工艺尺寸的不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于如何降低单粒子效应的研究显得越来越重要.绝缘体上硅(sO......
随着器件尺寸的不断缩小，器件中横向电场和纵向电场逐渐增大，在pMOSFET中NBTI和HCI退化越来越突出。本文主要研究了在NBTI和HCI......
The hot-carrier effect (HCE) of deep-submicron PMOSFETs has been investigated. It is found that the HCE includes both ge......
Physically based analytical model for plateau in gate C-V characteristics of strained silicon pMOSFE
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随着集成度电路的发展，器件尺寸的缩小，芯片集成度的提高，NBTI(Negative Bias Temperature instability)效应日趋严重，逐渐成为制约器......
该文选取最有希望并入Si CMOS电路的平面SiGe PMOSFET器件进行研究,在全面总结应变SiGe材料物理参数模型基础上,以半导体器件二维......
研究了最大栅电流应力 (即 p MOSFET最坏退化情况 )下 p MOSFET栅电流的退化特性 .实验发现 ,在最大栅电流应力下 ,p MOSFET栅电流......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文重点分析了应变Si Ge PMOSFET器件热载流子形成的机制,建立了栅电流模型,该模型增加了量子阱和平均自由程对电流的影响,通过仿......
主要研究负栅压偏置不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应中的自愈合效应,研究了器件阈值电压随着恢复时间......
成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底......
针对目前国内使用的P型金属氧化物半导体(Positive channel metal oxide semiconductor,PMOS)剂量计存在的灵敏度较低的问题,在对P......
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Based on theoretical analysis and computer-aided simulation, optimized design principles for Si/SiGe PMOSFET are given i......
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用亚阈技术分析研究了干氧栅氧化期间通入ＨＣＩ所制作的ＰＭＯＳＦＥＴ的６０Ｃｏ辐照响应。结果表明，栅介质中掺入少量ＨＣＩ能抑制辐射感生阈电漂移和界面态增长；固定......
根据P沟道金属氧化物场效应晶体管(PMOSFET)在低能脉冲X射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的......
通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及Si PMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;......
采用表沟ｐ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ代替埋沟ｎ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点，因而在深亚微米ＣＭＯＳ工艺中被采纳．但是......
本文深入研究了P+栅PMOSFET中的NBTI效应,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,基于这些实验结果提出了一种可......
由于受热力学基本定律的限制,Si集成电路技术的发展已经日益接近极限,而SiGe材料的引入使得占据小于1 GHz频段的Si产品可以进一步......
为研究深亚微米尺度下应变SiGe沟改进PMOSFET器件性能的有效性,运用二维数值模拟程序MEDICI模拟和分析了0.18 μm有效沟长SiGe PMO......
从薄膜积累型(TF AM) SOI PMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发,对其在-5.0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较......
为充分利用应变SiGe材料相对于Si较高的空穴迁移率,研究了Si/SiGe/Si PMOSFET中垂直结构和参数同沟道开启及空穴分布之间的依赖关......
通过求解泊松方程，综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应，建立了小尺寸SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型，模拟结果和实验数据吻合良好。......
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上，建立了一个半经验的Si1-xGex pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。该模型重点讨论了反......
从二维模拟pMOS器件得到沟道空穴浓度和栅氧化层电场，用于计算负栅压偏置温度不稳定性NBTI（Negative bias temperature instability）......
经过特别设计的RT9058可以在3．5～36V的宽电压范围内与包括小型的陶瓷电容在内的各种电容配合实现稳定的工作，可为系统提供0～100mA的工......
就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体......
就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体......
生长在弛豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变SiPMOSTET可以得到非常好的性能。在讨论分析了应变SiPMOSF......
基于流体动力学能量输运理论,对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究,包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等.仿真结......
随着工艺的发展,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受负温度不稳定性(NBTI)效应影响而失效的现象愈来愈严重,NBTI效应的影响成为器件可靠......
利用新型的直流电流电压（DCIV）法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为，并对热载流子应力下pMOSFET......
利用新型的直流电流电压（DCIV）法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为，并对热载流子应力下pMOSFET......
研究了最大栅电流应力（即pMOSFET最坏退化情况）下pMOSFET栅电流的退化特性。实验发现，在最大栅电流应力下，pMOSFET栅电流随应力时间会......
研究了最大栅电流应力（即pMOSFET最坏退化情况）下pMOSFET栅电流的退化特性。实验发现，在最大栅电流应力下，pMOSFET栅电流随应力时间会......
