杂质散射相关论文
近些年,介于金属和绝缘体中间属性的半金属体系在凝聚态领域得到了广泛的关注。随着狄拉克半金属的出现,半狄拉克半金属和抛物线型......
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利用电化学结晶的方法制备了高质量的(BEDT-TTF)[FeBr4]单晶,通过四圆单晶衍射确定了其晶体结构为三斜晶系.在高温区,晶体电阻率与......
本文给出了从２００Ｋ到１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释
In this paper, the......
研究了单层Ｓｉ分别δ－掺杂于Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱系统中的单边势垒与双边势垒的光致发光谱，并与未掺杂样品相比较，发现掺杂样品的发光峰红移，其中单边......
研究了薄膜电致发光器件中的电子散射过程，计算了ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中声学声子、极化光学声子、电离杂质及谷间散射的几率随电子能量的变化关系，对各......
通过蒙特卡洛方法研究了基于共振声子散射的太赫兹量子级联激光器中杂质散射对激光器性能的影响.使用单子带静态屏蔽模型来处理电......
据《SST-AP-NMD》2007年第5期报道,美国斯坦福大学的研究小组宣布发现了一种物质的新状态,具有“特别的”半导体性能,包括更低的能......
依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,......
研究了利用ICP(Inductively Coupled Plasma)干法刻蚀工艺制备长波碲镉汞光导器件过程中刻蚀气体压强对材料电学参数的影响。发现......
精确控制掺杂浓度是提高热电优值的有效方法之一。我们基于扩展的能带模型，采用玻尔兹曼输运方程，综合考虑声子散射和杂质散射的......
利用混合物理化学气相沉积法，在0001取向的SiC和A12O3上原位制备了高质量的c轴外延MgB2薄膜，样品具有高于41K的零转变温度，超导剩余电......
考虑到杂质和表面粗糙的散射，运用量子统计的格林函数方法，计算金属薄膜中的电导率．计算表明：在薄膜系统中，来自杂质和表面粗糙散射的电......
在１６～４００Ｋ的温度范围内，测量了用常压ＣＶＤ方法制备的氟掺杂绒面ＳｎＯ２薄膜的霍耳效应，研究了膜的电导率，载流子浓度和迁移率等电导参数对制备条件的依赖......
我省有一句广为流传的谚语:早看东南,晚看西北。看什么?主要看天空的景象。早晨和傍晚,特别是在夏季,人们常常会看到天空出现一种......
金属饱和Hg_(0.8)Cd_(0.4)Te的(p-n)值和P_(H(?))值可用一简单的非简并半导体模型来适配,这种半导体包含有双离子化的固有施主和受......
对含净杂质浓度(N_D-N_A)高于7×10~(16)cm~(-3)的补偿掺砷锗进行了电离杂质密度的分析。霍尔分析和二次离子质谱含杂相对量的分析......
本工作根据极性半导体的载流子散射机构的基本模型,计算出杂质浓度和迁移率的关系,分析了模型的实验基础,认为在55°K下由载流子的......
制作了离子注入MOS晶体管,测量了诸如阈值电压、有效迁移率等电学性质。发现在注入硼离子(~(11)B~+)的p型沟道的情况下,阈值电压V_......
由于动量守恒和能量守恒的要求,固体中自由载流子的光吸收过程总是伴随着声子或电离杂质散射过程。声子和电离杂质散射的强度很大......
一、引言在由未掺杂的窄禁带材料(如GaAs)和掺杂的n型宽禁带材料(如GaAlAs)组成的选择掺杂突变异质结构中,电子将从GaAlAs转移到......
本文系统地研究了多晶硅薄膜载流子迁移率与掺杂浓度的关系,发现不仅如前人所指出的那样,多晶硅载流子迁移率在中等掺杂区有一极小......
用N-Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结构材料制造的高电子迁移率晶体管(HEMT),由于利用了异质结界面二维电子气的高电子迁移率等特点,较......
本文主要对两种不同的常规工艺条件下制备的短沟道ＣＭＯＳ器件在室温和液氮温区的场效应迁移率、跨导、亚阈和高频特性进行比较和分析，结果......
,Sizable Residual Quasiparticle Density of States Induced by Impurity Scattering Effect in Ba(Fe1-xC
Low-temperature specific heat Cp is measured on Ba(Fe1-xCox)2As2 single crystals in a wide doping region. A sizeable res......
非常规超导体的探索和物性研究一直是超导物理乃至凝聚态物理学界炙手可热的前沿领域。继铜氧化物、MgB2多带超导体等一个个研究热......
本文运用量子统计中的格林函数方法和费曼图技术，在自洽T矩阵近似下研究了二维DDW态的非磁性杂质散射效应，计算了直流电导率，并研究了......
超导理论是一门内涵极为丰富的基础学科,其涉及的领域也是极为广泛的。它不仅为高温超导体的研究奠定了理论基础,同时也为各个当代......
近年来，有些学者提出用 d 密度波(DDw)模型来解释铜氧化合物高温超导体在赝能隙区域实验观察到的结果。二维 d 密度波态是一种电子-......
本文在理论上研究偶极长程相互作用和非磁性杂质对原子费米气体超流配对及BCS-BEC渡越的影响。第一章为引言，主要是研究背景介绍。......
在正常金属／绝缘层／s波超导隧道结中，考虑绝缘层中的体杂质散射以及粗糙界面散射，运用Blonder-Tinkham-Klapwijk（BTK）理论和Bogoliubov-d......
等离子体化学气相淀积法(PCVD法)制备的复合膜SnO2/Fe2O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果.其电导机理可用半导体......
Anomalous Hall Effect in Spin-Polarized Two-Dimensional Hole Gas with Cubic-Rashbsa Spin-Orbit Inter
<正> Based on the Kubo formalism,the anomalous Hall effect in a magnetic two-dimensional hole gas withcubic-Rashba spin-......
利用系综Monte Carlo法研究了2H-,4H-和6H SiC的电子输运特性.在模拟中考虑了对其输运过程有着重要影响的声学声子形变势散射、极......
在正常金属－Ｓ波超导隧道结中，考虑到正常金属区域的杂质散射以及两金属间有不同的费米面，运用ＢｄＧ方程和ＢＴＫ理论模型，计算正常金属－Ｓ波超导微波隧......
近年来,在量子波导管中由于杂质的弹性散射的效应能被精确地以一维散射问题来研究.文章在电子输运的量子波导理论基础上研究了介观......
Zn取代Cu的YB<sub>2</sub>Cu<sub>2</sub>O<sub>7</sub> 体系中,Zn作为杂质散射中心存在于体系中,并推算了Zn杂质的散射截面。......
拓扑绝缘体是一类新奇的量子物质态，是当前凝聚态物理研究中的一个热点问题。拓扑绝缘体和普通绝缘体一样都属于绝缘体，因此它们都有......
考虑到杂质和表面粗糙的散射，运用量子统计的格林函数方法，计算金属薄膜中的电导率，计算表明：在薄膜系统中，来自杂质和表面粗糙散射的电......
<正> The extrinsic mechanism for anomalous Hall effect in ferromagnets is extended to include the contributionsboth from......
运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了正常金属/dx2-y2+idxy混合波超导隧道结中的准粒......
考虑到杂质和表面粗糙的散射，运用量子统计的格林函数方法，计算金属薄膜中的电导率。计算表明：在薄膜系统中，来自杂质和表面粗糙散射的......
