电子束蒸发相关论文
利用电子束蒸镀设备沉积金属薄膜是微电子领域最常见的薄膜沉积工艺之一。然而使用普通钨坩埚电子束蒸镀铜薄膜时，沉积速度非常低。......
基于光催化的废水处理系统具有高效、简便和低成本的优点,已成为环保领域最有前途的技术。作为被公认的半导体光催化剂,二氧化钛（Ti......
持续增长的全球能源消耗总量和全球气候变暖等问题,不断推动着全球科学家大力发展绿色可再生能源。光电催化水分解（Photoelectroche......
利用电子束蒸发法在蓝宝石（Al2O3）衬底上制备了ZnO：Eu3+薄膜。其中靶材选用ZnO和Eu2O3混合制成的陶瓷靶，反应气体为O2。用X射线衍射仪......
热敏电阻是一类电阻率随温度上升而呈指数性下降的材料,因其具有这种特殊的电学性能使得该材料可以应用到各种温度测控领域。此外,......
随着半导体激光器应用领域的不断拓展,对器件输出功率和可靠性的要求也越来越高。而激光器腔面的工作稳定性是制约器件高功率输出......
采用钨坩埚和电子束蒸发设备蒸镀金属银薄膜时，银在熔融状态下和钨坩埚是浸润的，坩埚内熔融金属的液面呈凹陷形状。这类凹陷形状的蒸......
我们使用电子束蒸发交替蒸镀多层的碲、镍亚层，经过热处理制备出了碲镍化合物。研究了不同碲、镍原子比的薄膜经过不同温度退火的结......
实现硅基光互连现在亟待解决的问题是获得与当今集成电路制造工艺兼容的高效硅基光源.掺铒硅基材料由于其发光峰位于1.54μm光通信......
利用电子束蒸发技术以不同的沉积方式并经高温退火处理制备FeSi2薄膜，用XRD、FESEM和AFM手段对薄膜样品进行了表征，主要探讨了不同的......
用放电等离子体烧结技术（SPS）制备Si:Co靶，并用电子束蒸发技术制备了Si:Co稀磁半导体薄膜。薄膜分别在200 oC、300 oC、400 oC下退火1......
钇系涂层导体，是在柔性Ni合金基带上制备YBCO超导层形成的带材。与传统铋系高温超导材料相比，钇系超导材料在强磁场下临界电流不会急......
采用电子束蒸发沉积制备了不同基底温度的ZrO2单层薄膜.计算了薄膜在三倍频处的折射率、消光系数,分析了基底温度对薄膜带隙的影响......
本文通过改进设备用电子束蒸发在衬底温度为100℃、氧分压为5×10-2Pa工艺条件下制备ITO薄膜,并使用台阶仪、分光光度计、XRD等测......
有序排列的磁性纳米结构由于它们丰富的物理性质和例如磁信息存储方面的潜在应用而受到很大关注。自组织生长是可以形成大面积的有......
以Ta2O5为初始膜料, 采用电子束蒸发制备了Ta2O5薄膜, 以空气和氩气分别作退火保护气氛, 以X射线粉末衍射仪(XRD)为测试手段研究了......
Al2O3 films are deposited using ion beam sputtering (IBS), ion beam reactive sputtering (IBRS), and electron beam evapor......
采用电子束蒸发沉积技术制备了平板偏振膜。用Lambda900分光光度计测试了其光学性能。在中心波长1053 nm处P偏振光的透过率TP......
充氧口位置直接影响了真空室内的氧气分布，进而对薄膜的光学性能造成重要影响。为了研究充氧口位置对HfO2薄膜性质的影响，在2个典型......
碲锗铅（Pb1-xGexTe）是IV-VI族窄禁带半导体材料PbTe与GeTe的赝二元合金固溶体，是一种具有优势且机械强度高的高折射率光学薄膜材料。......
采用玻璃碳坩埚和电子束蒸发设备沉积金膜时,随着黄金物料的消耗,在相同沉积速率下蒸镀所得金膜表面颗粒越来越多,严重影响了薄膜......
光学薄膜的缺陷是光学系统性能提高的瓶颈, 一直是实验和理论研究的重点。选取电子束蒸发工艺制备光学多层膜的典型缺陷, 用扫描电......
A broadband (~176 nm, R...
为简化主动频率选择表面(FSS)器件结构,提高其谐振频率的操控性能,提出一种利用光电导薄膜的光照导电特性控制FSS结构尺寸变化的光......
Until now, there are few reports on the effect of process conditions on abrasion resistance, which is the most important......
采用长短波通膜系组合结构,对膜系光学性能进行了优化设计以及仿真分析。采用电子束蒸发,离子束辅助沉积工艺在Si基底两面分别沉积......
对公转结构电子束蒸发镀膜机的膜厚误差进行研究.提出一种基于非余弦膜厚分布理论的膜厚误差分析方法,并用数学方法对膜厚误差的分......
三代微光像增强管需在所使用的微通道板(microchannel plate,MCP)输入面制备离子阻挡膜,以阻挡正离子轰击NEA光电阴极,维持和提高......
Al2O3薄膜是最为成功的无机EL绝缘薄膜之一.用脉冲反应溅射法制备了厚为50-340 nm的Al2O3薄膜.研究了功率密度、气压和氧气含量等......
聚醚醚酮(PEEK)材料具有出色的力学性能和良好的生物相容性,且因其与天然牙颜色相近,具有作为美学种植修复材料的潜力.值得注意的......
本研究中用电子束反应蒸发的方法制备ITO 薄膜，测试了膜的可见光透过率、电阻率，讨论氧分压对薄膜光电性能及结构的影响。并在衬底温......
开发高可靠性的绝缘层薄膜几十年来一直是TFEL显示器研制中的重要努力方向之一。采用双靶脉冲电子束蒸发法制备了Al2O3/TiO2单元结......
SiO2薄膜是重要的低折射率材料之一,针对离子束溅射(IBS)和电子束蒸发(EB)的SiO2薄膜,采用红外光谱反演技术获得在400—1500 cm 1......
离子束溅射(IBS)与电子束蒸发(EBE)是常用的SiO2薄膜制备方法。基于椭圆偏振法和全光谱拟合法,研究了离子束溅射和电子束蒸发两种......
SiO2驻极体具有优异的电荷储存能力,其具有器件制作工艺可与微机械加工技术兼容、适合集成化生产等优点,一直是微器件和传感器领域......
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用蒸发方法制备非晶硅薄膜,具有制备方法简单,淀积速率快,实验周期短,成本低等特点.但也存在一些问题,主要是用蒸发方法制备的非......
在实验上研究了不同材料构成的一维窄带光子晶体带隙特性,采用电子束热蒸发技术,制备了一系列可见光范围内的窄带光子晶体反射镜。......
报道了采用反应电子束蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果。典型的结果：电阻率低达２×１０－４Ω．ｃｍ，霍尔电子迁移率为５２ｃｍ２（Ｖｓ）－１，厚４０００×１０－１０ｍ膜的方块电......
对采用二源电子束蒸发方法制作的双重绝缘层结构的Zns：Mn交流薄膜电致发光（ACTFEL）显示器件，进行了两种不同的表面保护，发现不同的保护......
随着超大型集成电路的发展,需要选用介电性能合适的薄膜材料来制备微型电容器。以前,制备这种电容器所用的材料SiO_2和Ta_2O_5本......
采用低压反应离子镀沉积技术，制备光学薄膜质量有着显著的改善。我们利用此技术沉积的ＴｉＯ２、ＳｉＯ２和Ａｌ２Ｏ３膜，其折射率分别为２５５、１４９（５５０ｎｍ）和１６７（１１００ｎｍ），比传统的电子......
采用电子束蒸发淀积WO3薄膜。根据已有的WO3薄膜脱水过程结论而选择适当温度对薄膜进行退火处理。在大量含水的和不含水的两类Li+......
用低压 MOCVD 法生长了 n 型 GaN 薄膜,对其肖特基势垒进行了表征和推导。真空度低于1×10~(-6)Torr 时,用电子束蒸发淀积 Pt 或 P......
在三种条件下采用电子束蒸发方法制备钼氧化物薄膜。从烧结靶淀积出的薄膜为多晶状态；从粉末压结靶淀积出非晶态薄膜。在LiClO4－PC电......
