MBE相关论文
拓扑材料,包括拓扑绝缘体、拓扑半金属和拓扑超导体等,因其独特的电子结构和物理性质已成为凝聚态物理研究的前沿课题。AMnPn2（A=Ca......
High performance LW HgCdTe IRFPAs on ZnCdTe were demonstrated by many published papers.Compared with the results on alte......
本文采用MBE生长技术,比较了在InP衬底上生长晶格匹配的LM-HEMT与在GaAs衬底上生长大失配的MM-HEMT的材料的性能.结果发现,二者的......
本文用GEN-ⅡMBE设备生长AlGaAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的材料,并用范德堡法、电化学C-V法和PL谱法研究了该材料的性......
Recently,the epitaxial growth of rare earth (RE) metal oxide films,such as Y2O3,Gd2O3 and Pr2O3 on Si,has gained attenti......
(III,Mn)V dilute magnetic semiconductors(DMSs)featuring carrier-mediated ferromagnetism have been acting as an ideal pla......
Transition metal dichalcogenides(TMDs) is emerging as a new big group of two-dimensional material and attracts extensive......
Magnetic properties of Mn3O4 film under compressive stress grown on MgAl2O4(001)by molecular beam ep
Magnetic spinels with geometrical frustration and mixed valence elements have attracted considerable attention due to th......
Ge dots have been widely investigated for their potential applications in devices compatible with the Si integration tec......
Silicene,a single sheet of silicon atoms arranged in a honeycomb lattice,was supposed to have similar physical propertie......
Topological insulators(TIs)are a novel kind of quantum matter with a bulk energy gap and gapless surface states residing......
红外焦平面探测器的光谱一致性是评价材料制备水平的重要参数之一。探测器材料因制备工艺的不同而存在差异。由于光谱仪光斑尺寸的......
摘 要：由于InAs/GaSb II类超晶格材料有较高的表面态密度， 易在表面生成导电氧化层， 在将其制备成红外器件的过程中， 首先要解决钝化问......
期刊
利用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了高质量的InAs/InAsSb(无Ga)Ⅱ类超晶格.超晶格的结构由100个周期组成,每个周期分别是3.8 nm......
本文采用高真空分子束外延设备生长InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料,对InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱结构进行生长温度、......
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分束延生长法生长出ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半......
本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生......
在ＭＢＥ生长“ＤＢＲ型结构性材料”的过程中，由于生长中的多层结构干涉效应，使高温黑体辐射谱呈现振荡现象，利用此现象辅以计算机数据拟合，可以实......
本文报道了非平面衬底上分子束外延生长ＧａＡｓ脊形量子线结构的实验研究．已成功地在ＧａＡｓ（００１）刻蚀条形衬底上生长出了由（１１１）面和（１１３）面构成的两种脊形量子线......
分子束外延（ＭＢＥ）过程中杂质扩散系数的确定，可以归结为动边界杂质扩散问题的反问题ｕｔ＝Ｄｕｘｘｘ＞ｖ（ｔ０－ｔ），ｔ０＞０，ｔ＞０（１）ｕ（ｘ，０）＝ｎ０ｘ＞ｖｔ０，ｎ０＝Ｃｏｎｓｔ．（２）ｕ（ｖ（ｔ０－ｔ），ｔ）＝Ｎ０ｔ＞０，Ｎ０＝Ｃｏｎｓｔ．（３）ｕ（ｘ，ｔ０）＝Ｎ（ｘ）ｘ＞０（４）我们采用粒子数守恒定律精确地确定样品的生长速率；利用......
本文报道ＺｎＳｅ基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、ｐ型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ＺｎＳｅ材料的生长。实验证明国产ＭＢＥ设......
采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温......
用分子束外延的方法在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上研制了Ｐ型长波ＨｇＣｄＴｅ材料，及３２×３２小规模长波混成红外焦平面列阵，其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好......
对ＭＢＥ生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金膜用Ｒａｍａｎ光谱分析了其中的组分和应力，发现较厚的ＧｅＳｉ膜应变较小，说明随着膜厚的增加，合金膜内原子排列发生了弛豫。２０ｎｍ厚的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６样品经过......
本文概述了我们最新引进的英国VG公司制造的V80H型分子束外延（MBE）设备的技术特点和性能，主要介绍了我们利用这套设备所进行的半导体......
本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×......
本文首次报道了在腐蚀图形的（３１１）Ａ衬底上，一种新型三角形点结构的ＭＢＥ生长及其量子阱限制能量的横向变化研究．原子力显微镜三维图象清晰地显示......
利用ＧａＡｓ 衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓ Ｈａｌｌ器件的１．５ 倍），不等位电压温漂小等优点．可用于电流传......
本文阐述了分子束外延（ ＭＢＥ） 技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ 设备， 实现了单量子阱（ＳＱＷ） 和多量子阱（ ＭＱＷ） ......
我们对 PHEMT材料中应变沟道 In Ga As层生长条件进行了优化 ,并采用了 LT-Ga As中缺陷扩散的阻挡层。功率 PHEMT器件结果为在栅长......
为研制ＺｎＳｅ基蓝绿色半导体激光器，必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长，包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等．ＺｎＳｅ是制备......
通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料。在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;......
采用固态磷源分子束外延技术在InP(100)衬底上生长了高质量的InP外延材料.实验结果表明InP/InP外延材料的电学性质与诸多生长参数......
用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上外延生长了InSb薄膜,并研究了异质外延InSb薄膜生长中缓冲层对材料质量的影响.采用原子力......
采用分子束外延(MBE)法,在优化Ge衬底退火工艺的基础上,通过对比在(001)面偏方向分别为0°、2°、4°和6°的Ge衬底上生长的GaAs薄......
MBE Coal&Minerals Technology GmbH MBE煤炭和矿物加工技术有限公司I RS 925 HPGR2016年6月,MBE煤炭和矿物加工技术有限公司和一......
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