介质膜相关论文
以高反射率的SiO2/Ta2O5介质膜DBR作为反射镜,并利用激光剥离技术,制备了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)。在光泵条件下,实现了低......
通过攻克蓝宝石衬底剥离,优化增益区设计等关键技术,在我国大陆首次实现了宽禁带氮化物垂直腔面发射激光器的激射,光泵激射条件下所得......
理论研究太赫兹波在镀膜二维平板金属波导传输时,损耗减小的机制和条件,发现只有TM模式在大间隙的金属镀膜波导传播时,其损耗小于不镀......
通过攻克蓝宝石衬底剥离,优化增益区设计等关键技术,在我国大陆首次实现了宽禁带氮化物垂直腔面发射激光器的激射,光泵激射条件下所得......
本文用数值方法计算了由线性和非线性介质构成的三层平板结构波导中TE模的色散关系及模的演变。针对自聚焦和自散焦介质分别进行了......
一、照相机镜头为什么要镀膜?在照相机的镜头表面,一般都镀有一层均匀透明的紫色介质膜。大家知道,光线在通过不同的介质时,会发......
从加快热传导及其减小光能吸收两个方面入手,讨论了通过增镀介质膜提高铝镜和硅窗口的激光对抗能力的具体措施及其可行性。在1.06μm红外......
研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备SiOxNy膜工艺中混合气体配比与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。......
三、激光的设想 五十年代初,尽管微波激射器还刚刚兴起,已经有人开始考虑在比微波波长更短的范围内实现量子放大。上面提到的苏联......
本文介绍了光学薄膜在高重复频率脉冲激光作用下的损伤阈值,与单次脉冲激光相比下降了二个数量级。论文并探讨了在高重复频率激光作......
本文介绍了光学薄膜和光电子器件用薄膜的技术和应用,以及真空镀膜及其应用结果。
This article describes the technology and ap......
注入式激光器二维列阵是固体激光泵浦系统的关键元件,因为它的辐射特性在很大程度上决定该类激光器的输出参数和结构特点。对实际应......
本文讨论了扫描俄歇微探针(SAM)的绝缘介质膜分析,重点研究了氯化硅介质膜的SAM分析。借鉴国内外绝缘介质膜的SAM研究成果,通过多种方......
研究了长波HgCdTe光导探测器液氮温度电阻和室温电阻比值计算问题。结果表明:制成器件后,表面电导、材料电导率的变化和背景辐射都将使器件......
提出了利用Si3N4/SiO2双层介质膜作为GaAsMESFET(MetalSemiconductorFieldEffectTransistor)剥离工艺中的辅助剥离膜.研究结果表明,采用Si2N4/SiO2双层介质剥离膜,易于形成倒剪口剖面,金属剥离效果良好,是一种非常......
研究了钛宝石激光器增益介质两端的两块双色镜的相移色散,发现反射相移在中心波长附近发生了突变,由此而造成反射相移色散在此点是不......
报导了等离子体化学气相沉积(PECVD)法在锑化铟衬底上生长Si3N4和SiO2双层介质膜的实验技术。并用理化分析手段对膜层的物理化学性质进行了分析,给出......
本文介绍了采用激光化学汽相淀积(LCVD)技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。实践表明,按要求建立了LCVD的实验装置后,只要适......
对等离子体增强化学汽相起积(PECVD)法制成SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,由集成测试系统测量Ⅰ-Ⅴ特性,用晶体管特性图示仪测试击穿行为......
详细研究了飞秒脉冲激光腔镜的结构参数及光束入射角对其二、三阶色散的影响。得出了反射单一定时,二阶色散和三阶色出量随着膜料折......
本文介绍了一种保偏光纤偏振器的复合光学膜系,该膜系由一层MgF介质缓冲膜层和金属Al膜构成。理论分析和实验研究表明,该光学膜系能消去保......
首先简介原子力显微镜(AFM)的特点,然后叙述阳极键合技术的原理,以及此技术在微探针制造中的应用,最后给出该技术在CMOS新的SOI结构中的应用
Firs......
本文介绍了一种用于YAG激光器聚光腔的高反射膜系的设计与制备技术。膜系设计采用总极值法和共轭方向法相结合的优化方法,并考虑色散和......
利用光热偏转技术对红外窗口材料进行了激光损伤实时研究,通过对硅片、加半反保护膜的硅片和加全反保护膜的硅片的损伤过程的研究,发......
文章介绍了一种能测试介质膜厚度的电路,该电路是根据同步相干检测原理设计的。实验数据表明该电路工作稳定
The paper introduces......
证明了在连续蒸镀两层高、低折射率介质膜过程中,当第一层厚度不足/4厚时,刚开始蒸镀第二层膜时其反射率变化趋势与第一层膜相同。并由......
以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR Plasm a CVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜折射率n 与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和......
该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律,在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击......
本文介绍了一种新的工艺研究途径──神经网络反向传播算法(BP算法),并对其网络学习收敛速度的加快进行了讨论,取得了较好的效果;利用改......
用电子束研制不同介质膜作绝缘层的掺铒硫化锌交流电致发光薄膜器件,用X射线衍射技术测量薄膜表面结构,发现薄膜多晶的沉积有择优取向......
利用YAG脉冲激光在二种脉宽下(10ns、250μs),对Si、Ge片进行了损伤研究,分别给出了表面损伤机制,并利用镀金钢石膜、介质膜和激光预辐照进行加固,讨论了......
阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优良特性,介绍了淀积反射率小于10-4的1310nm半导体激光器端面增透膜技......
说明了如何利用法布里—珀罗干涉仪构成光纤水听器,并讨论在何种工作状态下使其能有最佳的工作特性,即,最高的接收灵敏度。
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磁控溅射法制备SiO2 膜传统上采用射频溅射工艺,但它成本较高,效率较低,无法充分满足大面积镀膜工业生产的需要。近年来,反应磁控溅射在解......
报道了一种线性度极佳的光纤光栅波长调谐技术,调谐范围近10nm,线性拟合度达到0.9998,并首次利用材料力学原理推导了这种线性调谐的理论关系式,此......
对几种氧化物介质膜料的单层膜、增透膜及高反膜的激光损伤特性进行了实验研究,分别测试了单脉冲和多脉冲1064nm激光的损伤阈值,分......
为了逻辑器件高速化 ,必须做到布线低阻化及层间介质膜低电导率。为此 ,本次采用低阻Cu布线和低电导率HSQ (HydrogenSilsequioxane) ,首次制作了Cu/HSQ结构。采用如......
1 前言所谓0.4~0.5μm 时代,就 DRAM 而言,恰处于从64M 到256M 的过渡阶段。长期以来,DRAM被誉为半导体技术的“技术驱动器”。事......
报道了使用SiO2 介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验 ,得到 2 0 0nm的最大带隙波长蓝移 .另外 ,采用量子阱......
表面加工是商业和科学技术领域普遍需要的,但是加工方法在过去几十年里很少变化。不但应用介质膜之前有一个清洗熔石英基片的问题......
提出了铝箔形成的阳极反应是在铝基体和氧化膜界面上生成γ′-Al_2O_3等,在氧化膜和形成液界面上生成含溶质产物的环状铝酸三水合......