场效应器件相关论文
本文设计了一款N沟道抗辐照功率VDMOS器件，并对该器件进行了总剂量实验。实验结果表明该器件的抗辐照性能良好。本文同时使用中带电......
本文采用阈值电压漂移量△Vth作为器件寿命评价的标准,研究了PMOSFET中NBTI效应的寿命。结果表明,影响PMOSFET的NBTI寿命的因素主......
本文主要分析了温度和热效应在6H-SiC MOS器件不同晶面上对其击穿特性的影响.当考虑到器件内部热流的影响时,迁移率因具有负温度系......
制约碳化硅MOS器件特性的主要因素是SiO/SiO的界面特性和栅氧化层的质量,本文主要对6H-SiC MOSFET器件沟道热载流子的产生和其对栅......
通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程模拟计算了AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质HEHT结构。采用AlGaN缓冲层代替传统的GaN缓冲层，有效......
本文测试了SiC衬底,0.2μm栅长的AlN/GaN HEMT器件的小信号S参数。对比不同栅宽器件的频率特性,发现fmax随器件栅宽的增加而下降,......
随着工艺的进步,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受NBTI(Negative Bias Temperature Instability)效应影响而失效的现象愈发严重,NBTI......
本文分析了一种新颖的电流驱动同步整流方法.它在输入和负载的波动的情况下,仍可以获得固定的驱动电压;该电流驱动模块直接可以应......
碳化硅材料的卓越性能和碳化硅器件初露的优良性能及其更大的潜在优势激励着人们对碳化硅电力电子.器件的研究与开发.本文简要介绍......
本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动......
本文基于超导场效应的小信号传输线模型的电流电压方程，建立了各种电路组态的本征的统一Ｙ参数和小信号等效电路，提出了频变电阻、频变......
研制了一种高T_c超导薄膜/砷化镓场效应器件混合的微波振荡器,整个电路采用微带电路形式,制备在一片10mm×15mm的YBa_2Cu_3O_(7-δ......
本文基于我们建立的超导场效应器件的统一小信号理论，引进了动态导纳参数．对高温超导场效应晶体管的低频电流电压特性进行了数值模......
一、MOS集成电路的发展过程及其特点 半导体场效应器件的发展历史远比双极晶体管为早（双极晶体管于四十年代末出现）,大约在二十年代......
本文报导在 Si 衬底上拉制聚酰胺 LB 膜的电容-电压特性,结果表明:它具有与其它绝缘膜相似的特性,为聚酰胺 LB 膜应用于场效应器件......
二维模型的出现对减小器件的尺寸和宽长比就更加注意。虽然这些模型能够精确地叙述和预言各种各样的双极型和场效应器件的状态,但......
这篇文章讨论了一种正在发展中的新型场效应晶体管,它是从另一种场效应管——Tecnetron 发展过来的。它利用了向心收缩原理,并具有......
随着半导体微波技术的迅速发展,近年来人们一直期望获得一种性能优良的半导体材料,以制造性能较好的半导体微波器件。InP材料虽问......
根据1970年上半年国外报导的一些固体器件归纳如下,供工作中参考。二极管(肖特基势垒二极管、齐纳二极管、雪崩二极管、恢复二极......
本文的分析可以用来研究处在载流子速度极限情况下的场效应器件的物理量的饱和效应。为此,采用了由两个平行的圆柱体栅限定的短沟......
本文提出一个用增加电极长度来提高微波场效应器件输出功率的新方法。从一个具有分布参数的电极系统模型出发,求得一组描述电极系......
不太久以前,低噪声接收机还使用小型平面陶瓷三极管。凡是在三极管和半导体器件竞争的地方,栅控三极管都已为低噪声晶体管或场效......
一、前言栅网结构多沟道场效应晶体管(多沟道面结型——栅场效应器件)这是一种新型场效应晶体管,它是从另一种场效应管——Tecnet......
本文提出了一个关于 GaAs FET’s的新的分析模型。与传统的一维“肖克来模型”不同,这个模型从一个新的概念——“非线性可变沟道......
GaAs FET是一种多用途的器件,可在C波段到Ku波段内作微波低噪声放大器、微波大功率放大器、振荡器、混频器、限幅器、倍频器、鉴......
由于硅平面器件(双极型和场效应器件都是如此)工艺的重要性日益增长,人们对于材料的特性和用来制造这些器件的工艺已作了大量的研......
调制掺杂(Al,Ga)As-GaAs异质结二维电子气场效应晶体管(TEGFET)是一种基于(Al,Ga)As-GaAs的界面处存在着高载流子迁移率二线电子气......
三、铁电薄膜的潜在应用薄膜工艺的发展为制作高质量铁电薄膜建立了技术基础,而优质铁电薄膜将推动和发展铁电材料的多功能效应并......
VVMOSFET是一种新型的场效应器件。它具有高输入阻抗、高电流增益、高开关速度、无二次击穿等一系列优点。国内外的工作已经表明:......
本文用双室Ga/AsCl_3/H_2开管系统实现了各种等电子掺杂浓度的GaAs汽相外延,并首次对此进行了较为详细的动力学理论和实验研究。对......
澳大利亚科学家最近报导了一种新的扩散技术,在 GaAs 材料上实现非合金欧姆接触。把一种掺杂感光乳胶膜复在 GaAs 片上,用脉冲激......
本文介绍以AgCl难溶盐镀层作为电极第一层,以双酚A型环氧树脂、氯化十八烷基二甲基苯甲胺和聚酰胺的混合物作为电极第二层而制出的......
在制造GaAs场效应器件中,单层或双层同性抗蚀剂剥离技术已获得广泛的应用.蒸发金属栅和源漏金属化时,利用SiO_2及抗融剂所形成的阶......
本文首先简要介绍了铁电场效应器件用于热释电探测器的发展情况,然后讨论了其结构与工作原理。对n沟道增强型铁电场效应器件的沟道......
本文将氧化物的表面基模型同离子敏场效应器件的运用条件结合起来,进行了综合的理论与实验分析,证实了绝缘层表面同溶液间的界面行......
SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入......
本文介绍一种有别于GaAs MESFET又相似于HEMT结构的器件。采用MBE技术生长i-GaAs/i-GaAlAs/i-GaAs结构,用溅射技术淀积WSi_x,用自......
新型微真空场效应器件——真空微电子学的发展主要取决于其微型、冷的、强电子源(阴极)的可用性。正在进行的关于微细加工场发射极......
采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层载流于......
ＭＭＤＳ技术的新发展□罗新民（西安交通大学信通系７１００４９）目前，ＭＭＤＳ系统正朝着以下几个技术方面发展。１．宽频带技术目前由于采用了大功率砷化镓场效应器件......
