实验样品相关论文
煤燃烧排放的氮氧化物(NO_X)对生态环境造成严重的污染,其中劣质散煤直接燃烧排放的污染物是达到超净排放的大型锅炉等量燃烧后的1......
SachinGupta等人用各种实验样品和理论abinitio计算研究RRhGe（R=Tb，Dy，Er，Tm）化合物。研究表明，这些化合物呈现很有趣的磁性和传输特性，都......
一、引言 磁芯是电子计算机上要存貯元件之一。目前这种存貯元件,正向着缩短开关时间,小型化,改善温度系数等方面发展。由于计算......
本文研究了连续化学气相沉积过程中Nb_3Sn的某些生长特点与其载流能力之间的关系,发现由于沉积条件在沉积室空间内的自然变化,造成......
在烧结时把某些金属粘结到陶瓷上,这种粘结对电子器件中的各种陶瓷件是非常重要的。但对粘结机理的了解还是有限的。本文是一篇有......
本文研究了酒钢含重晶石铁精矿在加热烧结过程中重晶石的分解条件和分解机理。结果表明,在氧化气氛烧结过程中,两组分的铁矿物-重......
焦炭的性质主要取决于它的微观结构,就细镶嵌状结构焦炭来说,其热膨胀系数随消光轮廓间距增大而降低,而石墨化度则随消光轮廓间距......
本实验就短碳纤维/树脂碳复合材料(SCFRC)的结构特征和断裂机制进行了探索。研究表明,热模压法制得的SCFRC具有平面取向层状结构。......
本文利用正电子湮没技术研究,Fe-V稀合金渗N后出现的V-N-空位复合结构。测定了这种复合结构的正电子湮没寿命值和估算了空位形成能......
Al-Sn 合金多晶样品中,在传统晶界峰的高温侧发现了两个不同类型的内耗峰(记作 P_1,P_2峰),它们在单晶中均消失,因而与晶界相关。P......
烧结陶瓷(如SiC)的强度已有了明显改善,可约低于理论强度两个数量级。但同样生产出的实验样品的断裂强度差异有时竟达35％,这些差异......
铜绿乃是铜在潮湿空气中腐蚀的结果表面生成的一种绿锈.金属的此种腐蚀情况是属于大气腐蚀的范畴.教科书上一般都认为铜绿的主要......
通过光学浮区法生长了直径为6mm,长度约为75mm的晶体,结构分析表明实验样品呈单相的正交钙钛矿结构,并通过劳厄定向仪对ErFeO3晶体......
为保持碘盐的稳定性,找出影响碘盐稳定性的因素,增加稳定性的方法,我们于1982年5月至1983年5月对碘化食盐的稳定性进行了实验观察......
作者对32例胰岛素依赖型糖尿病患者(年龄:20—76岁,女性21例)和26例非糖尿病者(年龄:17—50岁,女性10例),同时用硫代巴比妥酸比色......
<正> 在出土的中国古代铜镜中,有一种表面漆黑发亮、具有光滑晶莹的玉质感,这种铜镜被称为"黑漆古"铜镜。"黑漆古"是古玩收藏家对......
作为人体体液之一的尿液中含有多种人体新陈代谢的产物以及体内排出的毒素,如果能够对这些组分进行定性分析,就能够在一定程度上有......
金沙遗址出土金属器的实验样品全部选自金沙遗址Ⅰ区“梅苑”地点2001年机械施工时挖出的器物。根据部分出土金器、铜器的实际情况......
本文研究壳聚糖-左氧氟沙星长效缓释敷料的皮肤刺激性和烧伤治疗效果。通过参照GB/T16886.10-2005评价该敷料的皮肤刺激性,同时制......
建立了热裂解/气相色谱-质谱法联用技术快速测定食品级聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)再生树脂中D-柠檬烯的定性分析方法。通过热裂解......
研制成以ＬｉＮｂｏ３质子交换光波导Ｆ－Ｐ型干涉调制器阵列为核心结构的电光模数转换器。简述了Ｆ－Ｐ型模数转换器的原理，报导了实验样品的设计参数、制备......
由CO2离化团束辐照Si表面形成的氧化层的厚度与CO2团束大小及团束能量相关，而其成分接近SiO2在低辐照剂量下，氧化层增厚服从反应规律......
采用热丝化学气相沉积生长出优异的金刚石薄膜。研究了薄膜的分层生长过程，薄膜的层状结构及膜厚随沉积时间的变化特性。
Hot wire......
以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800......
本文研究了Ａｌ金属化系统中的回流效应，提出了一种全新三层金属化系统抗电迁徙结构，同时对新旧两种结构的金属化系统进行了各种动态应力......
在室温下测量了掺氧非晶硅薄膜的正电子寿命谱．实验发现，随着掺氧量的增加，正电子寿命减小，对应的相对强度增加．据此，本文从电子密度、悬......
本文对结构相同的覆四种不同金属层（金、铝、镍、铬）的Ｐ型硅楔形体阵列进行了实验比较研究，表明金、铝、镍可望成为低真空和大气压环境......
测量了掺锗ＣＺＳｉ中锗的纵向分布形式，发现硅中锗的分布是头部低尾部高，其有效分凝系数Ｋｅ≈０．６６±０．０１．
The longitudinal distribution of germanium......
用ＰＥＣＶＤ法在Ｓｉ衬底上沉积了纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，其室温暗电导可达１０－３～１０－１Ω－１ｃｍ－１，高于本征单晶硅的电导，将其制成遂道二极管，其Ｉ－Ｖ曲线在７７Ｋ呈现出量子台阶，对这一新颖物理......
本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构．当ＩｎＡｓ的覆盖度小于１．７ＭＬ（Ｍｏｎｏ－Ｌａｙｅｒ）时，ＩｎＡｓ层仍保持二维生长模式，而当ＩｎＡｓ的覆盖度大于１．７ＭＬ时，ＩｎＡｓ层将会成岛生......
为采用HFCVD技术在Si（111）衬底上外延3C－SiC薄层而在Si表面首先进行碳化处理．实验样品用H2稀释的碳化物气氛进行碳化处理，热丝温度约为2......
本文报道采用离子注入法在Ⅲ—V半导体(GaAs,InP)中掺Er,用优良退火技术可得到效果较好的光致发光材料.
In this paper, Er (Ⅲ) ......
介绍荧光寿命成像显微（FLIM）技术及其在生物物理、生物化学及临床医学诊断等领域的最新研究成果和发展现状，并就其未来的发展及应用研......
半导体垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬＳ）近几年来取得了很大的进展，其重要的原因就是引人了高铝组分的ＡＩＧａＡＳ湿氧化技术．ＡＩＡｓ选择性氧化所形成的电流窗口，其直......
运用红外反射谱，背散射谱和二次离子质谱等方法研究ＨｇＣｄＴｅ注入Ｂ、Ｐ、Ｉｎ和Ａｓ等元素的掺杂与损伤特性。
The doping and damage properties of Hg......
我们对 Si O2 覆盖退火增强 In Ga As/In Ga As P/In P激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究 .相对于原始样品 ,退火时无 Si O2......
本文理论上导出了边缘固定金属压电陶瓷双迭片圆板弯曲振动换能器在忽略辐射阻尼和损耗及满足薄板小挠度和轴对称条件下位移的一般......
半导体产业界的研究机构,International Sematech,(位于美国德克萨斯州的Austin)利用从一个6W氟激光光源获得的175nm紫外线,进行......
随着ＶＬＳＩ技术的发展，电迁移已成为集成电路最主要的失效原因之一，其可靠性评估技术也显得愈加重要。要改进该技术，不仅需要确定可靠性物理......
纳米科学的快速进步已促使对超高分辨光学显微镜技术兴趣的急增。在近场通过一亚波长孔径照明在锐金属探针端部的物体 ,能超越衍射......
