室温铁磁性相关论文
非层状过渡金属氧化物VO2（M）是一种典型的强相关材料。其发生在近室温（TMIT=68℃）处的金属-绝缘相变（MIT）,使其光学特性从半导体M相（T＜TMIT......
作为二维过渡金属硫化物（TMDs）家族中的重要成员之一,单层二硫化钼（MoS2）因其独特电子结构和优异的物理特性而被广泛研究,并被成功应用......
由于ZnO宽禁带半导体在发光二极管,激光二极管以及稀磁半导体器件领域有着广泛的应用前景,近年来备受关注成为研究热点。本论文针......
过渡金属氧化物为新型功能材料的研究提供了丰富的资源。过渡金属氧化物异质结因其中d电子的丰富物理性质而具备显著的可调节性。......
TiO2基稀磁半导体（Diluted magnetic semiconductors,DMSs）材料目前虽然已经在理论和实验层面取得了一定的研究成果,然而在这一领域......
四方超结构Sr3YCo4O10.5+δ材料因其有序结构和高Tc～335 K被广泛研究,发现A位（Sr/Y）有序和氧空位有序是室温铁磁性产生的关键因素;此......
采用双能态离子注入法向MOCVD生长的n-型。p-型和非有意掺杂的GaN薄膜中注入了稀土元素Yb,并对样品进行了900℃的快速热退火处理。......
通过电沉积的方法制备了直径约为100 nm的Cu掺杂ZnO纳米线阵列.发现非磁性的Cu离子掺杂在六角纤锌矿结构的Zn1-xCuxO系列纳米线中......
ZnO稀磁半导体是目前最有希望集成到传统半导体中的一种新型材料,具有室温铁磁性能的ZnO稀磁半导体不仅可以大幅减小电子元器件的......
中国科学技术大学国家同步辐射实验室教授闫文盛研究组与副研究员孙治湖合作,通过磁性金属原子精确可控掺杂的策略,实现了二维石墨......
采用高温固相反应法制备出稀释磁性半导体(In0.9-xFe0.1Cux)2O3(x=0~0.03)。分别用XRD和VSM对样品的结构和性能进行了表征。研究表......
针对Science创刊125周年之际公布的125个最具挑战性的科学问题之一“是否可能制造出室温下的磁性半导体?”进行了解读.主要从传统......
近年来，石墨烯一直是科技工作者研究的热点，最近有研究发现部分氢化的石墨烯将会出现室温铁磁性，这一发现将改变人们对磁性来源的......
采用固相反应法制备了不同烧结温度(950~1180℃)、烧结时间、烧结次数共7种工艺的Sr3YCo4O10.5+δ多晶块材,通过热分析、XRD、SEM......
随着硅基半导体材料的发展,电子集成器件的设计越来越复杂,元器件本身搭载的功能也越来越丰富,不过时至今日,大部分的半导体器件仍......
在半导体中引入磁性可以获得稀磁半导体（DMS）,由于DMS能够同时调控电流和自旋两种自由度,为开辟半导体技术新领域以及制备新型电子器......
复杂钙钛矿结构的Co基氧化物Sr3/RCo4O105+δ(R为Y或者Ln)具有独特的室温铁磁性和掺杂热电效应等,是由于其结构中的CoO4.5四面体层......
材料的界面与表面特性无论是在技术应用,还是在基本物理现象方面都具有与周期性结构的块体材料至少同等重要的意义。近年来,研究者......
氧化物稀磁半导体材料具有优异的光、电磁性能,在新型自旋电子学器件、光电磁信息材料、化学和生物领域都具有广泛的应用,是当前新......
学位
稀磁半导体作为自旋相关器件的材料基础,完美地实现了半导体微电子学和磁电子学的结合。其实用化的关键是实验上寻找到具有室温铁......
以阳极氧化铝为模板通过电泳沉积法制备Zn0.95Co0.05O纳米线和纳米管,并对电泳沉积法制备纳米线(管)的机理进行研究。系统的结构表......
用溶胶–凝胶法制备的钴掺杂氧化锌薄膜在不同气氛下退火后均显示室温铁磁性,并且具有不同的载流子浓度。通过对薄膜进行电、磁、......
在Si-Al2O3复合薄膜中观察到室温铁磁性.Si的体积百分比为15%的Si-Al2O3复合薄膜的磁性最强.Si的含量影响样品的磁有序,在样品中观......
利用溶胶凝胶法制备了Zn_(1-x)Co_xO(x=0.01-0.05,原子分数)纳米晶体粉末,利用XRD,TEM和SEM对其结构、结晶状态、形貌和成分进行了......
利用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了TiO2薄膜,并对其进行了Co离子注入,最后在真空中500℃退火50min,得到系列薄膜样品.利用剥......
非极性方向生长的ZnO基多量子阱消除了量子限域Stark效应,可以提高光电器件的发光效率.据此我们采用脉冲激光沉积方法在r面蓝宝石......
通过水热离子交换方法,制得不同含量的过渡金属离子Ni2+掺杂的、锐钛矿型的TiO2纳米带.使用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),......
以阳极氧化铝为模板通过电泳沉积法制备Zn0.95Co0.05O纳米线和纳米管,并对电泳沉积法制备纳米线(管)的机理进行研究.系统的结......
本文对磁控溅射法制备的外延Sn1-xMgxO2薄膜的光学性质和室温铁磁性进行了研究。分析结果表明薄膜样品的可见光透射率均高于80......
铁磁性半导体被认为是下一代利用电子的自旋自由度所制备的自旋电子学器件的主要材料.继续寻找一种居里温度(Tc)高于室温、具有可......
近几年来,多铁材料受到了广泛的关注.多铁材料可以是磁有序和铁电共存,但是这种单相多铁材料数量比较少.一般,理想块体钙钛矿d0铁......
采用水热法制备了Co掺杂的SnO2纳米棒。随着Co掺杂浓度的增加，样品的室温铁磁性先增加后降低，当Co掺杂浓度为4％时，样品的饱和磁化......
本研究采用脉冲激光沉积技术在蓝宝石衬底上制备了过渡族金属Mn掺杂ZnO薄膜，采用X-射线衍射、紫外-可见光学吸收和Raman散射技术对......
由于具有室温铁磁性和在与电子自旋相关的电子器件上的潜在应用,稀磁半导体氧化物的研究引起了人们的高度关注.实验上已经成功地制......
稀磁量子点是指在零维非磁性半导体量子点中掺杂少量磁性离子制备而成的新型光-磁双功能材料。磁性离子的掺杂使量子点具有电子自......
稀磁半导体由于可以同时利用电子的自旋和电荷属性而引起了人们的关注。2000年，Dielt等人通过理论计算预言了Mn掺杂p型ZnO中室温铁......
作为地壳中含量最多的一种稀土氧化物，二氧化铈(CeO2)因其独特的物理化学性质和晶体结构，而在荧光材料、燃料电池、光催化材料以及磁......
ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,属于六角纤锌矿结构,具有较大的激子束缚能,带隙宽度为3.37eV,可以实现室温下的紫外受激辐射。它还......
稀磁半导体可同时利用电子的电荷和自旋两个自由度而有望用作新型电子信息材料器件，因此倍受人们的关注。本文采用溶胶-凝胶旋涂法......
最近几年,特别是具有室温铁磁性的稀磁半导体材料,由于它们在自旋电子学器件方面具有潜在的应用前景,引起人们的广泛关注。宽带隙T......
