微波大功率相关论文
报告了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/......
设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极,同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构......
采用微波功率管二次发射极镇流和掺砷多晶硅发射极覆盖树枝状结构等新工艺技术,研制出用于工程的实用化P波段脉冲大功率晶体管。该......
介绍了一种新的亚微米发射极窗口刻蚀工艺。利用RIE技术和边墙隔离技术,无须对位光刻,使发射极窗口精确地位于发射区中央。该工艺简单,具......
目录1.SOC系统设计技术..·····...····....··············.·····················......
由于AlGaN具有高的击穿电场(3 MV/cm,是GaAs的7.5倍),且在AlGaN/GaN异质结处存在高浓度的极化诱导二维电子气,AlGaN基高电子迁移率......
据《Compound Semiconductor》2006年第8期报道,美国GaAs芯片制造商TriQuint公司与海军研究实验室签订了一项价值为3100万美元的合......
采用GaAs标准MMIC工艺制作了具有片上RC并联稳定网络的InGaP/GaAs HBT微波功率管单胞.依据K稳定因子,RC网络使功率管在较宽的频带......
本文基于4H-SiC射频功率MESFET器件的工作机理,提出了一种新型的大信号经验电容模型。针对此模型参数的提取采用最小二乘法和遗传算......
目前,AlGaN/GaN HEMT因为其具有非常优良的电性能而使得它在微波大功率应用方面极受关注。但其性能一直受到一些因素的限制,之中最......
微波作为一种电磁波,不仅具有良好的波的特性,同时具有能量,已在通信传输、广播电视以及一些食品加工和医疗辅助治疗方面广泛应用......
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半导体上导电和导热层的制备是现代电子器件制造工艺的一个基本的组成部分。本文讨论了:(1)欲具有优良性能的要求;(2)进而实现高效......
緒言正确了解微波大功率行波管中的剩余气体,对于鑑定管子的設計和工艺是有用的。另外,还希望借助对热态电子管中剩余气体的了解,......
美国加利佛里亚州多伦斯功率合成公司(Power Hybrids,Torrance,Calif,)为空间战术测距装置研制了一种新型的微波大功率晶体管PH11......
美国通信晶体管公司和维利安公司共同研制出一种适用于微波大功率的晶体管管壳。封装是在陶瓷衬底上“金饼”键合而成,其温度为40......
本文介绍利用电子倍增放电效应的大功率微波开关的研制。这种开关能产生毫微秒的上升,恢复和开关的时间。这种器件是一个重入式的......
由于采用新的设计以及金属化系统的改进,微波功率晶体管的平均失效时间正在增加。本文就长期和短期可靠性问题以及它们之间的相互......
GaAs FET是一种多用途的器件,可在C波段到Ku波段内作微波低噪声放大器、微波大功率放大器、振荡器、混频器、限幅器、倍频器、鉴......
在伟大领袖毛主席“独立自主、自力更生”伟大方针的指引下,我国电子工业近年来有了迅速发展。雷达、卫星通迅等电子设备需要大量......
据报道,与目前大功率器件所采用的多单元结构和发射极镇流电阻技术相比,大功率晶体管管壳的引人注目的动向是在管壳内部将MOS电容......
本文论述微带式微波大功率放大器原理分析和设计方法,提供了固态化微波功率合成的途径,并给出所实现的结构电路。
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SIT是一种场效应晶体管,当前国内外共有三种结构类型:埋栅结构、表面栅结构和垂直沟栅结构。后者优于前两者。前几年GTE报导了用......
第1期评中国半导体三十年………………’··’…’…’……………………本刊主编 林金庭(1)64k动态随机存贮器一CM4864………·、......
研制和测试了K波段频率范围的微波高电子迁移率晶体管(HEMT)。这种HEMT具有选择低掺杂(AlGa)As/GaAs/(AlGa)As双异质结的独特结构,......
电子部13所1994年科研成果简介在1994年12月电子部13所第34次科研成果鉴定会上,专家们评审出具有国际先进水平的成果1项,达到九十年代初期国际同类产品......
600MHz150W硅脉冲功率晶体管王因生,陈正东,张树丹,谭卫东,郑承志,刘六亭,康小虎,周德红,陈统华(南京电子器件研究所,210016)A600MHz150WSiliconBipolarPulsedPowerTransistor¥WangYin...
600MHz150W Silicon Pulse Po......
赵元富一直从事器件物理和半导体集成电路设计及工艺研究工作。他参加并主持了多项预研课题和新品开发课题,同时负责大量集成电路......
奉文报导了首创采用玻璃钢作吸收体的微波波导水负载长度达3.55米,驻波系数小于1.1。吸收平均功率超过50KW,脉冲功率2.8MW。性能优......
对微波大功率单刀三掷开关烧毁失效作了系统的分析和验证试验,确定了失效是由过电压击穿引起,针对这种失效原因,采取调整设计、优......
简要介绍了微波大功率的测试方法,并通过一套实际组建的2cm大功率信号测试通道 说明其组成、设计原则及校准方法。......
本文论述一种获取大功率MESFET管芯S参数的方法,通过测量大管芯的小单元、控制测量误差和数据处理,得到了拟合成大管芯的S参数,通......
随着半导体技术的进步和信息产业的飞速发展,射频/微波半导体器件应用于越来越广泛的领域,因此人们对器件参数的测量愈发关注。不......
<正>氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的......
报道了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/Au肖特......
GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方......
本文针对以水介质为吸收材料吸收大功率微波能量的微波波导负载进行设计阐述。该负载由矩形波导与圆锥形微波能量吸收腔,中间采用......