超晶格结构相关论文
环境问题的日益突出,能源储备的日益紧张,能源需求的日益增多,使得热电材料受到越来越广泛的关注。热电材料的热电转换效率通过热......
近年来,钠离子电池由于具有资源丰富,成本低廉,及与锂离子电池相似的储能机理等特点,引起了研究者的广泛关注。电极材料是影响其电......
相变存储器(PCRAM)作为下一代最具有竞争实力的新型存储器技术之一,在近几年中得到迅猛的发展,有关产品也已经问世并且实现批量生产......
利用分子束外延技术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过变结构参数和生长参数,可改变量子点......
Si-Ge 超晶格薄膜结构在1150nm 和1550nm 附近出现尖锐的发光峰。使用光致发光光谱进行测量。该发光有着三能级结构的发光特性(如......
DNA由于具有高度的可编程性、良好的稳定性被越来越多的研究者用于纳米材料的自组装。然而,研究者多将精力集中在用小片段DNA实现对......
反铁电材料由于在驱动器,换能器以及储能等方面的应用而得到广泛研究,单晶因为特定的轴取向而具有比陶瓷更优越的性能。但是,由于......
本文对BTO/LAO超晶格的耦合相互作用进行了研究。把LaAlO3(LAO)近似当作简立方结构,考虑了四体相互作用、应力及不同耗散因子的影响......
在当下的科技浪潮中,自动驾驶汽车、智能机器人等智能化系统的兴起使得以激光雷达为代表的激光探测和传感器件颇受关注。对于激光雷......
超晶格涂层刀具因其独特的二维物相结构,具有超高的硬度及耐磨性等力学性能,广泛应用于高速切削和干切削的机械加工.试验表明,通过......
ZnO是具有3.37eV的宽禁带半导体材料,近年来引起了众多研究者的兴趣。Zn1-XCdxO和Zn1-xMgxO很好地实现了对ZnO能带减小和增大的......
本文报导了我们用常压MOCVD生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。我们首次制备了阱宽低达10(?)的ZnSe-ZnS应变超晶格。
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将由两个一维介质层光子晶体组成的异质结拓展为超晶格结构,分析了该结构的能带和透射谱。该超晶格结构可以产生多个界面隧穿态,它......
实际上合成的TiS2,由于层间有过剩Ti,必定形成Ti1+xS2,向传输带输送电子,成为退化半导体。单层TiS2单晶在费米能级附近具有高的态......
对由GaAs,Al0.21Ga0.79As及AlxGa1-xAs(x由0.0~0.21之间变化)三种材料构成的超晶格能带结构进行了研究。结果发现:如果超晶格单胞对其中点不具有对称性,对应自旋向上和向下的能......
本文利用高分辨电子显微镜(TEM)从原子尺度对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-Znse应变超晶格的精细结构进行了细致观察.通过对缺陷的种......
由于非晶态半导体超晶格具有量子尺寸效应及简便的制备方法,因此具有独特的优点。简要综述了非晶态半导体超晶格的制备、光致发光......
由电子在一维三势阱、三势垒体系中能量状态的数值结果,说明了超晶格和多量子阱属性的区别。
The numerical results of the energ......
用分子束外延方法在GaAS(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/Znse(x=0.16,x=0.14)超晶格结构.用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布......
介绍了研制的单量子阱半导体激光器(SQWHL)的基本结构及能带图.为了理论分析的方便,采用有效质量方法进行了理论分析和计算.其中,将超晶格的一......
用半导体超晶格实现250fs全光开关日本电报电话公司(NTT)研究人员已发展一种用于1.spin波长信号的光开关,据称这是半导体与选通器件中世界最快处理速......
文章以GeSi材料为基础,从理论和实践两方面讨论将波导、调制器、探测器集成在一起的可能性。分析结果表明,三者之间的光集成在理论上是可......
在13~300K温度下研究了稀磁半导体ZnTe/Zn1-xMnxTe超晶格的喇曼散射,观测到多个声子喇曼峰.在近共振条件下,峰的强度增强,线宽显著变窄,并观测到更多不同声子组......
文章定性和定量地分析了GexSi1-x/Si超晶格PIN波导探测器的电输运过程,具体说明了量子效率、光电流、频率响应带宽等重要参数的物理意义.并将理论分......
报道了选用有机小分子材料8-羟基喹啉铝(Alq3)和聚合物材料聚乙烯基咔唑(PVK)分别作为阱层材料和垒层材料,利用多源型高真空有机分子沉积系统进行......
从PIN波导探测器性能参数的定义出发,阐述了各参数之间的内在联系,说明量子效率与带宽、灵敏度等物理量之间的矛盾现象。通过对具体结构......
本文介绍了一种使用X射线宽角测角仪和双晶测角仪相配合的检测半导体异质外延薄膜的方法.其特点是快速且不损伤样品,特别适合大失配度......
通过引入转移矩阵改进了边界匹配方法,并利用这种方法研究了不规则半导体超晶格中电子的局域性。结果表明,在只有一层垒层宽度改变时......
本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Zn0.77Cd0.23Se/ZnSe和ZnSe/ZnS0.12Se0.88的光致发光谱.分析了影响激子线型展宽的主要因素.定量表征了4.4K下合金涨落和阱厚涨落对线型......
对与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料进行了热稳定性能的研究,通过光荧光谱(PL)的测量发现:量子阱材料在650 ℃以上的常规退火条件下,有最大可达155 ......
在量子阱半导体激光器结构中采用优化超晶格缓冲层来掩埋衬底缺陷,获得了性能优良的激光器。对超晶格缓冲层所具有的“量子阱陷阱效......
用分子束外延法将GeSi/Si超晶格结构生长在n+/nSi材料上,先后用反应离子刻蚀法形成探测器波导和硅脊波导,经适当工艺实现硅波导与PIN探测器之间的光电......
用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe Cd0 .65Zn0 .3 5Se超晶格结构。利用X射线衍射 (XRD)、77K下变密度激发的光致发光光谱和变......
从Y1铁电薄膜材料、外延铁电薄膜、介电超晶格、铁电薄膜的制备工艺及原位检测几个方面介绍了铁电薄膜研究的一些新动向。
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利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了a-Si:H/SiO2多量子阱结构材料.对a-Si:H/SiO2多量子阱样品分别进行了3种不同的热处理,其......
基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD......
基于碰撞离化理论研究设计了In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As电子倍增超晶格结构雪崩光电二极管,使用MOCVD外延得到实验片,经过工艺......
最近,R3M4X13体系(R=稀土元素,M=过渡金属,x =锡)由于其多样的物理性质,例如,由简单立方到超晶格结构的相变,低温下异常的电阻......
DNA作为一种由A、T、G、C四种脱氧核苷酸组成的生物大分子,是生物体内储存和传递遗传信息的基因载体,在生物体的生长、发育和遗传......
▲华东六省一市物理学会第三届联合会于1985年十一月中旬在杭州召开。中国物理学会名誉理事、北京大学褚圣麟教授作了访美观感报......
本文用红外(IR)和拉曼(Raman)谱研究了反应溅射 a-Si∶H/a-Ge∶H 超晶格的界面特性.定量分析发现,界面处没有因应力释放引起的 H ......
近年来,铁电薄膜制备技术的迅速发展使得人工介电超晶格的生长成为现实。简要介绍了有关介电多层膜和人工介电超晶格的制备、结构和......
用激光分子束外延技术生长了BaTiO3 /SrTiO3 超晶格并首次对之采用二次谐波产生的方法进行了研究 .实验表明其结构为类似BaTiO3 的......