自由载流子相关论文
过渡金属硫化物(TMDC)是继石墨烯之后又一可通过机械剥离获得单层的二维材料,随着块体变化到单层,其带隙也由间接带隙过渡到直接带......
会议
硅光子是新一代大规模光/电集成技术, 可实现各种常见光器件, 其中基于自由载流子等离子体色散效应的硅基马赫曾德尔电光调制器(MZ......
半导体的光学性质是半导体最重要的物理性质之一,主要研究辐射场与半导体的相互作用过程。对半导体光学性质的研究一方面探索辐射......
少层石墨烯插层化合物是将不同的原子或分子插入少层石墨烯层间,形成一层新的插层剂层的复合材料。插层剂的存在使得石墨烯层间距......
本文采用１．３μｍＨｅ－Ｎｅ激光或ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ半导体激光作探针，实时、无损地测量硅半导体器件中的自由载流子浓度的变化．从理论上分析了器件内自由载流子浓度变......
近来对在谐振腔中引入借助AB族半介电质晶体产生的非线性光学负反馈的谐振腔Q值控制法正进行紧张的研究。它能够显著地延长脉冲激......
文章介绍了硅基光电子器件——ｐ－ＧｅＳｉ／ｎ＋－Ｓｉ异质结电光调制器的初步试验研究之后，给出了所研制调制器的调制深度为９０％时的调制电流约１８０ｍＡ。为了进一步减......
文章以ＧｅＳｉ材料为基础，从理论和实践两方面讨论将波导、调制器、探测器集成在一起的可能性。分析结果表明，三者之间的光集成在理论上是可......
报道了入射角分别为７°、１２°、３０°的ｃ轴取向ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３薄膜材料的红外和远红外反射谱．薄膜样品的基底是Ｙ－ＺｒＯ２．在入射角为１２°和７°的反射谱中观察到６个反射峰......
用常压ＭＯＣＶＤ在半绝缘ＧａＡｓ衬底上生长了Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ（ｘ＝０．４７６～０．５２）外延层，对外延层进行了Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光（ＰＬ）测试。７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ￣２／Ｖ．ｓ（浓度为１．４×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３））。载流子浓度随生长温度升......
本文首次报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重......
在ＧａＡｓ集成电路和器件研制中，离子注入是关键技术之一．介绍了用离子注入ＧａＡｓ形成ｎ型和ｐ型区，以及离子注入ｐ型和ｎ型ＧａＡｓ形成绝缘层、形成ｎ＋ＧａＡｓ深埋层等重要技......
在研究了Ｓｉ的等离子体色散效应之后，我们预计ＧｅｘＳｉ１－ｘ也会有这一效应。理论分析和实践的结果都表明ＧｅｘＳｉ１－ｘ具有比Ｓｉ更强的等离子体色散效应。
After st......
硅材料在微电子学领域获得了巨大的成功。近年来,将这种成功拓展到光电子学领域已成为众多研究人员追求的目标。基于硅材料及其工......
重掺杂半导体的反射率在最小反射率附近随入射波长的改变有较大的变化，而半导体材料的最小反射率波长λｍｉｎ决定于自由载流子浓度，故掺杂......
以B2O3作掺杂剂，用热丝辅助化学气相沉积法成功合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜．用VanderPauw法测量了掺硼金刚石薄膜的电阻率、霍耳迁......
文章介绍了磷化铟中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点、原理和退火过程，并简要介绍了国外的研究情况和取得的研究结果。
The article introduces t......
在２８４Ｋ～４５５Ｋ温度范围内，对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔一范德堡测量．根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系．发现计算结果与......
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs霍耳参数温度关系。研究结果表明 ,杂质和缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响 ,......
根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用 ,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气 (2DEG)迁移率的散射模型 .计算了在不......
推导出用于测量半导体载流子输运特性(载流子寿命、载流子扩散系数和前表面复合速度)的调制自由载流子吸收(modulatedfree carrier......
根据调制自由载流子吸收(modulatedfree carrier absorption,MFCA)检测技术的三维理论模型,采用变间距频率扫描方式测量单晶硅样品......
建立了包含载流子浓度脉动(CDP)、自由载流子吸收(FCA)、受激辐射(SE)、双光子吸收(TPA)、光谱烧孔(SHB)和超快非线性折射(UNR)过......
分别制备了荧光器件ITO/NPB/Alq3/LiF/Al和磷光器件ITO/NPB/CBP:Ir(ppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al,测试了50mT磁场作用下器件的I-V和L-V特......
研究了ITO/NPB（40 nm）/BAlq（60 nm）/BCP（5 nm）/LiF（0.8 nm）/Al有机电致发光器件（OLED）的磁效应。实验结果表明,磁场在10 mT时,器件的效率最大......
利用数值方法研究了SOI脊形光波导损耗问题,重点讨论了PIN结构对自由载流子损耗控制的影响情况。研究表明SOI脊形波导在引入PIN结......
表面等离激元是金属或半导体纳米结构中自由载流子的共谐振荡，具有一系列新奇的光学性质，例如对光的选择性吸收和散射、局域电磁......
ZnSe晶体是典型的宽禁带Ⅱ－Ⅵ族直接带隙半导体,室温下的禁带宽度为2.7eV.随着非线性四波混频、Z 扫描、泵浦-探测等实验表征技......
在压电半导体中,自由载流子的存在引起声阻尼,因此降低他们用作机电换能器的效率。由于载流子用超声速度漂移,当改变能量的转换过......
利用声表面波非线性效应,特别是声表面波与半导体表面中自由载流子的非线性相互作用来实现一类新型的信号处理器—卷积器/相关器,......
由于液氦和液氢范围内物理的和机械方面研究在我国不断增长,低温温度的准确测量日益重要,特别是13.81K以下的温度测量,我国还缺乏......
本工作用红外光谱法,在4000—200 cm~(-1)区域内,对一百多块单晶材料进行了测试。通过对影响单晶透过率变化因素的研究,总结出一些......
线性相容集成注入逻揖可能成为制作高牲能单片模——数转换器的理想工艺。双极工艺,它能制作出优于任何金属氧化物半导体工艺的模......
利用传输矩阵方法研究了掺杂半导体n-GaAs/聚碳酸脂一维光子晶体的太赫兹波透射谱.研究结果发现,与一般由两种介电材料组成的一维......
迁移率分析结果表明,在掺砷锗中,砷施主三重态能级与单态能级间的裂距对其低温性能的影响是不可略的.它是引起掺砷锗电阻温度计.在......
本文研究了离子注入MES FET的性能与离子注入能量和剂量的关系,包括衬底中深能级陷阱浓度的影响。采用了LSS理论与一种分布模型来......
热电探测器是热探测器,它对吸收辐射变热产生的极化变化响应。在平衡态,极化被自由载流子补偿。当入射辐射迅速波动时(比自由载流......
通过硫(施主)和锌(受主)的双掺杂,用液封直拉法生长了低腐蚀坑密度、低光吸收的InP单晶。腐蚀坑密度由杂质总含量N_D+N_A决定,而决......
在分立的介质空间电荷耦合旋转体中,表面声波(SAW)和附近的半导体中的自由载流子的相互作用引起了声波的衰减。衰减的大小取决于表......
本文报导了采用聚焦激光束在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体表面上形成欧姆接触。我们利用脉冲红宝石激光器(λ=0.6943微米),脉冲钇铝石榴石......
