界面钝化相关论文
提升钙钛矿太阳电池（PSC）的光电转换效率（PCE）和稳定性是钙钛矿电池制备走向商业化的关键。寻找合适的材料对电池的界面进行钝化被认为......
凭借在转换效率、稳定性以及规模化加工技术等方面所占据的压倒性优势,晶体硅太阳电池一直是世界光伏发电市场的主角。近十年来,由......
随着器件特征尺寸进入5 nm及以下技术节点,SiGe高迁移率沟道FinFET或GAA三维器件成为了研究热点。总结了适用于三维器件的SiGe高迁......
在目前的光伏技术中,钙钛矿太阳能电池（PSCs）具有生产工艺简单、原料易获取、制备成本低以及光电转换效率高等特点被认为是极具商业......
钙钛矿太阳电池（PSCs）起源于染料敏化太阳能电池,2009年,Miyasaka教授首次采用金属卤化物（CH3NH3Pb I3）取代染料作为光敏催化剂,并制备......
随着CMOS技术节点按比例缩小逐渐走向终结,后摩尔时代新器件将影响和决定未来微电子器件技术发展和集成电路产业格局。传统Si O2栅......
以n-i-p平面型钙钛矿太阳能为标准器件[FTO/SnO2/Cs0.05(FA0.8MA0.15)Pb(I0.85Br0.15)3/Spiro-OMeTAD/Au],利用有机富勒烯材料PCBM......
在本文中,为了钝化MAPbI3薄膜中的晶界（GBs）以及钙钛矿层与空穴传输层（HTL）界面缺陷态,减少载流子的非辐射复合,提高器件的光电性能,我......
学位
硅基异质结（HAC）太阳电池具有高光电转化效率、无光致衰减（LID）以及低的温度系数等优点,其关键技术在于a-Si:H薄膜的沉积。本文通过热......
随着对有机无机杂化钙钛矿（Organic-inorganic hybrid halogen perovskite,OIHP）材料的系统研究,钙钛矿太阳能电池（PSCs）的光电转换效......
近年来,由于二维钙钛矿相较于传统的三维钙钛矿具有更好的稳定性,而其本身也具有优异的光电性能,已经广泛的应用到了光电子器件中......
钙钛矿太阳电池（PSCs）凭借其优异的光电特性、卓越的光电转换效率（最高认证效率为25.5%）、低成本加工以及广泛的应用前景等优点已迅速......
针对钙钛矿太阳能电池的电子传输层/钙钛矿层界面处存在的大量缺陷,提出了一种无机盐界面钝化的优化策略.该策略选用低成本的氯化......
叠层太阳电池是提高晶硅电池转换效率的一个有效思路。本文从效率、大面积、成本和稳定性等方面详细阐述了钙钛矿/硅叠层电池的国......
会议
本文提出一种协同钝化的机制，通过在二氧化锡(SnO2)电子传输层(ETL)中引入氯化钾(KCl)，同时实现对ETL/钙钛矿的界面和钙钛矿材料本体......
在本实验中我们使用一种苯烷基胺(4-溴苯胺,BrAL)作为典型的界面改性剂层,以修饰CsPbI2Br 薄膜与碳电极之间的界面。 4-溴苯胺分子......
钙钛矿中缺陷态的存在增加了载流子的复合几率,从而降低了器件的稳定性并限制了性能的进一步提高.研究表明,硫原子可以充当路易斯......
界面钝化在降低钙钛矿光伏活性层和电荷传输层的表面界面缺陷方面起着重要作用[1-2]。其中氧化铝(Al2O3)作为一种具有绝缘性，良好电......
会议
界面钝化是消除界面缺陷并获得高性能钙钛矿太阳能电池的有效方法，而钝化效果的稳定性是器件稳定性工程的新关注点。在此，我们证明了......
TOPCon太阳电池具有优越的界面钝化和载流子输运能力,和HIT电池相比，能兼容高温制备工艺，一维的结构设计，利于后续的优化。例如，对背电......
核-壳纳米材料的等离子共振效应能有效地提高激子的产生/分离和载流子的转移/收集。本文旨在提出一种基于核壳Au@CdS 纳米球的界面......
钙钛矿太阳能电池具有价格低廉,易制备,可在柔性衬底上制备等有点,成为光伏领域的研究热点。界面调控是一种常用于提升钙钛矿太阳......
带本征薄层的a-Si/c-Si 异质结太阳能电池HIT 由于其高效率、低成本的优势引起了广泛的研究，最高转换效率已达23％.HIT 太阳能电池的......
场效应晶体管是一种通过电压控制电路的电子开关,是现代电子技术的关键元件。随着新型半导体材料的发展,场效应晶体管沟道材料的选......
钙钛矿太阳能电池凭借其高光电转化效率和易制备、低成本的优势,在目前已成为最具前途的光伏器件之一。研究表明钙钛矿层的界面修......
一种新奇的两步法本征(i)层生长工艺被应用来改善非晶硅/晶体硅(a-Si∶H/c-Si)界面钝化.研究了不同H2稀释流量比率R(R=[H2/SiH4])......
作为有机会替代晶硅太阳能电池的钙钛矿太阳能电池,近年来发展十分迅速,效率目前已经超过25%。面对商业化的挑战,钙钛矿太阳能电池......
钙钛矿太阳能电池（PSC）是将钙钛矿储能材料作为光电转换层,将太阳能转化为电能的一种能量转换装置。目前认证的钙钛矿太阳能电池最高......
指出锗硅高迁移率材料与高k栅介质之间界面接触存在问题,并介绍了能够优化界面的方法,即钝化工艺.总结了目前针对锗硅材料的四种钝......
随着互补型金属氧化物半导体(CMOS)器件特征尺寸的不断缩小，Si MOS器件的发展已接近其物理极限。Ge因其高迁移率有可能取代Si成为下......
太阳能作为一种取之不尽、用之不竭的可再生能源，其开发利用受到广泛的关注。太阳能电池利用光伏效应将太阳能直接转换为电能，在过去......
作为近些年来最耀眼的明星材料之一,钙钛矿以其优异独特的光电特性成功吸引研究人员的广泛关注.自2009年报道了第一篇光电转换效率......
采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在低温、低功率的条件下制备了一系列本征硅薄膜,研究了硅烷浓度（CS）对薄膜微结构、光......
最近,旋涂法制备的钙钛矿/平面硅异质结高效叠层太阳电池引起人们广泛关注,主要原因是相比于绒面硅衬底制备的钙钛矿/硅叠层太阳电......
随着CMOS器件特征尺寸缩小到10 nm工艺节点,Si基MOSFET已接近其物理极限。由于Ge的高空穴迁移率、Ⅲ-Ⅴ族材料的高电子迁移率,将高......
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半个世纪以来,摩尔定律推动着集成电路技术飞速发展,硅基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)特征尺寸不断缩小。然而,进入到......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
HIT(Heterojunction with intrinsic thin-layer)太阳能电池,即具有本征非晶硅薄层的异质结太阳能电池,利用了非晶硅薄膜/单晶硅衬......
钙钛矿太阳能电池经过十余年的发展,光电转换效率突破25%,达到新型太阳能电池中的领军器件之一。但是,相比于硅晶电池、砷化镓电池......
硅异质结SHJ(Silicon Heterojunction)太阳电池,由单晶硅片和非晶硅薄膜(a-Si:H)构成,因具有低成本、高效率的特点而备受国内外研......
开发低成本、稳定以及高效的太阳能电池是光伏领域研究的目标，而HIT太阳电池既具有晶硅太阳电池的高效特性又具有薄膜太阳电池的低......
带本征薄层异质结(HIT)太阳能电池采用低温工艺制造,工艺简单,价格低廉,且最高转换效率已达到22.3%。与单晶硅太阳能电池相比,HIT......
近年来,随着CMOS集成电路的飞速发展,器件特征尺寸已经进入纳米量级。传统SiO2栅介质由于厚度的减小产生很高的隧穿电流,因此高k栅......
学位
在有机无机杂化钙钛矿(Perovskite)薄膜太阳能电池中,光敏层与电子传输层(ETL)或空穴传输层(HTL)之间界面处存在相对较大的缺陷密......
