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GAAFET相关论文

SiGe沟道三维器件关键集成技术研究进展

随着器件特征尺寸进入5 nm及以下技术节点,SiGe高迁移率沟道FinFET或GAA三维器件成为了研究热点。总结了适用于三维器件的SiGe高迁......

期刊

SiGe FinFET GAAFET 沟道导入界面钝化低阻接触

7纳米GAAFET器件NBTI及HCI效应研究

当器件特征尺寸不断微缩至深纳米时,短沟道效应严重恶化了传统平面MOSFET器件的性能,非平面鳍式场效应晶体管(FinFET)成为了20纳米......

学位

GAAFET 可靠性 NBTI效应热载流子效应 TCAD

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