FinFET相关论文
随着器件特征尺寸进入5 nm及以下技术节点,SiGe高迁移率沟道FinFET或GAA三维器件成为了研究热点。总结了适用于三维器件的SiGe高迁......
基于FinFET平台，阐述镶嵌式源漏区锗硅外延工艺L1种子层的优化，通过开发出循环式外延锗硅工艺，对L1种子层B浓度提升带来的选择性失效......
近几十年来随着CMOS器件尺寸日益缩小,芯片制造工艺中的变异源给器件性能的稳定性和可靠性带来巨大挑战。因此,工艺变异影响的定量......
近年来,在无线通信产业的带动下,半导体相关产业开始了飞速发展,随着晶体管特征尺寸的减小,平面型器件的短沟道效应愈发严重,其性......
静态随机存储器（Static Random-Access Memory,SRAM）,在便携式移动电子设备、可穿戴电子设备以及片上系统（Systems On Chip,SOC）等嵌入......
Dependence of short channel length on negative/positive bias temperature instability (NBTI/PBTI) for
A comprehensive study of the negative and positive bias temperature instability (NBTI/PBTI) of 3D FinFET devices with di......
工作于空间辐射环境中的半导体器件因有源区受到高能粒子轰击而产生的单粒子效应是影响航天器件可靠性的重要因素。随着数字集成电......
近三十年来,半导体技术的发展遵循着摩尔定律,即器件特征尺寸大概每两年缩短一半。尺寸微缩造成有源器件面临着严峻的自热效应,会......
为评估鳍式场效应晶体管(FinFET)的本征抗辐射能力,本文通过三维工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真研究了14 nm FinFET工艺的单粒子瞬......
鳍式场效应晶体管（FinFET）是目前半导体行业中16/14技术节点中的主流器件结构。然而,随着晶体管器件尺寸的不断缩小,硅基FinFET技术......
随着传统的平面金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）缩小到20nm以下,栅极氧化物厚度减小,栅极对沟道区域的控制能力减弱。短沟道......
学位
随着MOSFET 等半导体器件按摩尔定律持续等比缩小,单个芯片上集成的晶体管数量成指数增加,同时产品的功耗也逐渐降低。当MOS ......
设备的连续精简在过去的 40 年里支撑了 Moores 法律。当力量驱散变得越来越严肃，很多新兴的技术在过去的十年被采用了解决短隧道效......
对FinFET器件(或称三栅MOSFET器件)的二维截面做了解析静电学分析以得出阈电压的计算公式.结果显示,由于三栅结构在高度方向的限制......
台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.)在“IEDM2012”上公布,使用与硅基FinFET相同的工艺技术在硅基板上制成了锗......
阈值电压是MOSFET最重要的电学参数,它在器件模拟和电路设计方面起着举足轻重的作用。本文分析总结了目前比较常用的阈值电压的提......
基于商用工艺线生产抗辐射器件具有一定的通用性,需要对商用工艺本征的抗辐射能力进行评估。综述了当前最新绝缘体上硅鳍式场效应......
在鳍型场效应晶体管(SOI FinFET)相关静电防护技术研究基础上,提出了一种新型的体区接触固定型绝缘体上硅鳍型场效应晶体管泄放钳......
使用中国散裂中子源提供的宽能谱中子束流,开展14 nm FinFET工艺和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比研究,发现......
拥有3D结构的FinFET不仅本身具有较低的阈值斜率,同时,还有可以加强栅极电压控制、减少短通道效应、提高能量效率、降低栅极延迟等......
在后摩尔时代,为了满足成本、技术等方面的需求,人们对MOSFET在尺寸方面的要求不断提高,短沟道效应的影响日益显著,为了回避短沟道......
几十年来,摩尔定律作为集成电路行业的“黄金准则”一直引领着半导体器件向着不断缩小的方向发展。传统平面MOSFET在深亚微米尺寸......
节约利用能源是社会长远发展的一项重要任务。在信息技术获得广泛应用的今天,集成电路芯片的功耗是各类电子信息产品的重要能耗源......
在短短的半个多世纪里MOS器件飞速发展,出于性能和成本的考虑MOS器件的尺寸越来越小,然而伴随着尺寸的缩小平面MOSFET的问题越来越......
学位
随着航天事业的蓬勃发展,人们越来越认识到辐射环境中高能粒子对电子系统的瞬时辐射损伤不容忽视,辐射导致的软错误甚至永久性损伤......
2014年5月20日,全球电子设计企业Cadence设计系统公司宣布,立即推出基于台积电16 nm FinFET制程的DDR4 PHY IP(知识产权)。16 nm技......
The influence of positive bias temperature instability(PBTI)on 1/f noise performance is systematically investigated on n......
We investigate the hot carrier injection effect (HCI) and how X-ray radiation impacts the HCI of 22-nm nFinFETs as a fun......
In this work,AlGaN/GaN FinFETs with different fin widths have been successfully fabricated,and the recessed-gate FinFETs......
High crystalline quality of SiGe fin fabrication with Si-rich composition area using replacement fin
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（国家知识产权局专利局专利审查协作湖北中心 湖北武汉 430000） 摘 要：由于智能电子技术的不断发展，采用传统晶体管的摩尔定律已经......
在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题.文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Me......
Simulation and characterization of stress in FinFETs using novel LKMC and nanobeam diffraction metho
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
The impact of process variations on input impedance and mitigation using a circuit technique in FinF
The effect of process variations of a FinFET-based low noise amplifier(LNA) are mitigated by using the device in an inde......
This paper delineates the effect of nonplanar structure of Fin FETs on noise performance. We demonstrate the thermal noi......
Reliability evaluation of high-performance, low-power FinFET standard cells based on mixed RBB/FBB t
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Subthreshold conduction is governed by the potential distribution. We focus on full two-dimensional(2D) analytical model......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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日前,Achronix正式对外公布其Speedster22i FPGA系列的细节,该系列分为HD和HP两个产品系列,采用了英特尔22nm3D工艺制造,而在Achro......
This paper presents a 1.2 V high accuracy thermal sensor analog front-end circuit with 7 probes placed around the microp......
Arm、Cadence Design Systems和Xilinx联合推出基于全新Arm Neoverse N1的系统开发平台,该平台将面向下一代云到边缘基础设施,并已......
High crystalline quality of SiGe fin fabrication with Si-rich composition area using replacement fin
A high crystalline quality of SiGe fin with an Si-rich composition area using the replacement fin processing is systemat......
