扩散深度相关论文
本文在实际生产条件下,模拟性地研究了热压AgCu5-QSn6.5-0.1复合材料中。Ag、Cu、Sn透过复合界面的扩散规律。利用扩散规律,可选择......
微珠是一种超细微粒的玻璃珠。主要化学成分是SiO2和Al2O3。用于水泥混凝土中,可以降低用水量、提高流动性,提高强度和耐久性;利用......
报道了采用十八酸作为质子源制作的铌酸锂光波导的性能及其退火对波导性能的影响，给出了退火前后波导层中非常光有效折射率的剖面分......
从Ti∶LiNbO3波导截面折射率分布的特点出发，得出一套计算传播常数简单而精确的方法。文中对该法进行了分析，并应用该方法计算了钛扩......
知识的传承、应用与学科发展息息相关。对作者层面的知识扩散规律进行探析,有助于发现作者间的知识扩散过程、追溯学科知识来源、......
引言关于Nb—W—Ti—Zr—Mo—O和Nb—W—Ti—Zr—Mo—Al—O多元合金系氧化过程中所形成相的结构和性能未见详细的报导,只有一些关......
本文报导了银合金和锡磷青铜合金的复合材料界面结构和界面附近元素扩散的研究结果。认为复合材料界面形成了金属间的固溶体结合,......
一、前言通常把气氛氧化法简单地叫做氧化法,而实际操作有两种方式。一为保护氧化法,把试样埋人保护剂中加热;一为暴露氧化法,把......
自1980年起,日本有关厂和公司就不断从我国购入小批量(几吨至数十吨)的稀土合金加以实验研究。这些研究已取得了进展,近年来相继......
本文用扫描电子显微镜配合波谱仪与能谱仪研究柴油机排气阀4Cr10Si2Mo高合金钢表面敷涂Ni、Cr、B粉末在高温烧结后的扩散,分别从扩......
研究了Al-Li合金为芯体、Al-Mg-Cu-Si合金为包壳的扩散偶,经共挤压及520℃/2h固溶处理后,芯体与包壳间的互扩散现象。实验证明,芯......
用金相、扫描电镜和X光衍射等方法分析了Cu,Fe在Pt阳极复层中的扩散情况。结果表明:在650℃/2 h+800℃/1 h真空退火条件下,Cu,Fe在......
一、引言 热等静压扩散连接是材料连接工艺的一个重要方面。这种工艺是将所要连接的材料表面置于真空之下,然后在热等静压系统中......
本文用色差显示法测定了Cl~-离子在水泥砂浆中的扩散深度,可检测的Cl~-离子浓度约为1200 ppm。用此法测得Cl~-离子扩散深度与直接......
对处于不同环境下的变电站在役钢筋混凝土构架进行了氯离子含量检测,分析了侵蚀深度与氯离子含量的关系及环境因素对氯离子侵蚀的......
一、选择题（6小题，共计48分） 1. 下图为人工培养的肝细胞中DNA含量随时间变化曲线，培养中所有细胞都处于细胞周期的同一阶段。以下......
采用氯离子浸泡、加载杂散电流及显色法研究了杂散电流存在情况下氯离子在混凝土内部的迁移过程以及粉煤灰对该过程的影响。结果表......
根据Na~+-Li~+离子交换后,原子吸收光谱和电子探针测定的Na~+和Li~+含量随扩散深度的分布,试用高斯纸上C/C_0—x t~(1/2)分布曲线,......
用电子探针微分析方法研究了铬在含〈100〉对称倾斜晶界的铌双晶中的晶界扩散。测定了在1273℃下的扩散深度和扩散系数。除了在重......
利用溶胶－凝胶工艺在Ｙ切铌酸锂单晶基片衬底上制备氧化镁薄膜，经镁离子内扩散后，进行了其表面改性研究。由Ｘ射线衍射和电子探针显微分析......
结合金刚石与硬质合金复合材料的研究，对含轻元素的界面扩散问题提出了能谱仪与波谱仪原位互补分析研究的方法，从扩散深度和扩散浓度......
在复合板进行钎焊或堆焊时成份要发生扩散，焊接的方法不同，各种元素的扩散情况也不同。本文主要是研究在爆炸的复合板上开槽钎焊和堆......
通过电阻率测量研究了Ｋ原子在Ｃ６０单晶中的扩散深度与时间的关系，得出温度为２３０℃时Ｋ原子在Ｃ６０单晶中的扩散系数约为１０－１５ｍ２ｓ－１．由扩散系数估算出制备０．１ｍｍ厚Ｋ３Ｃ６０单晶......
为了使Ga-As-PCl_3-H_2外延系统生长的掺碲GaAs_(1-x)Px(x=0.4)形成P—n结,发现采用Ga-P-Zn三元合金源来扩散锌是有效的。扩散是......
日本电气公司,研究成功了一种新开管扩散技术,制备出低价格,高亮度的红色发光二极管。 这种技术的基本点在于用开管方法代替过去......
在355～455℃的密封安瓿中,对利用Zn和Sb元素在n-型InSb中扩散Zn进行了系统的研究。把数据整理成扩散源中Sb与Zn的克分子比N_(Sb)/N_......
用两维空间模拟和电荷控制原面来揭示决定I~2L最小延迟的因素,并且用实验进行了验证。本文采用数值分析说明:改善I~2L速度的重要因......
结型场效应晶体管(简称J-FET)具有低噪声、高输入阻抗以及高截止频率、高输出阻抗的特点。把它做进模拟集成电路里,用于输入级、......
本文系统研究了在355～455℃的温度范围内于密闭安瓶中用元素Zn和Sb在n型InSb中进行Zn扩散。当N_(Sb)/N_(Zn)≤0.5或N_(Sb)/N_(Zn)≥......
本文介绍短沟道Si—栅MOS大规模集成电路的一种新的制造工艺技术。该工艺技术的特点在于用两个单一的磷扩散工艺,形成源和漏区并把......
为了发展光电子器件中不可缺少的InP工艺, 我们报导了一种用CdP_2和P作源向InP中扩散Cd的方法。此方法获得P=10~(18)—10~(19)cm~(......
渗杂工艺是制造半导体器件必不可少的工序,目前广泛采用的是扩散法,这是一种在高温下利用分子扩散的原理向晶体中渗入杂质的方法......
本文讨论了:(1)用阳极氧化法在硅片表面去层的技术;(2)用四探针测量扩散层面电导的方法;(3)用阳极氧化去层及四探针测量面电导方法......
用俄歇电子谱仪(AES)研究了Al/Si、Al/poly-si和Al-Si/Si结构的Al金属片中Si的溶解和扩散现象。同时还研究了Al-Si界面区的冶金学......
用氮化硼和乙硼烷作扩散源,将硼扩散到5.5微米厚的多晶硅中。扩散深度与扩散时间的平方根成正比。多晶硅层中的硼扩散可用熟知的补......
提出了一种用限定室进行AlGaAs和GaAs开管Zn扩散的新方法。在700℃下,把Zn在GaAs和Al_xGa_(1-x)As (0.1≤x≤0.5)的扩散深度和质量......
一、前言在半导体基片中扩散杂质形成能导电的载流子,从而形成P-n结的技术已经由来已久了,近年来,随着器件的复杂化和IC设计规则......
本文对在GaAs中进行Zn扩散的工艺作了研究和分析,给出了扩散深度和时间、温度的关系曲线,对改善GaAs器件的性能有一定参考价值。
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本文介绍了PbO-PbS复合靶近红外视像管靶面结构与管子性能之间的关系,探讨了提高性能的可能途径。通过改进PbO蒸发工艺,采用新的硫......
“Ａｕ－ｎ~＋（薄）－Ｉｎｐ”结构及界面特性分析夏瑞东，陈定钦（首都师范大学物理系１０００３７）（中国科学院半导体所１０００８３）摘要采用＂ＡＥＳ＂技术分析了Ａｕ－ＩｎＰ接触在不同温度下热处理得到的......
