离子能量相关论文
离子源作为一种离子束发射装置,常用于光学薄膜的制备中,但离子束中包含各种能量的离子,在光学薄膜制备过程中严重影响着薄膜成型......
典型的全电推进通信卫星通常设计使用寿命约为15年,对霍尔电推力器的使用寿命要求达到了104h量级,因此,长寿命设计技术是影响其能......
电推进带电离子羽流严重改变航天器周围的等离子体环境,造成诸如卫星表面带电、沉积污染、干扰力矩、电磁干扰等一系列效应.本文针......
建立了气体放电阴极鞘层离子的自洽蒙特卡罗模拟模型,考虑了离子与中性原子的电荷交换碰撞和弹性散射,用到了精确依赖于离子能量的电......
本文介绍各种类型ECR等离子体源和工艺研究,以及由此发展形成的几种新型刻蚀技术。
This article describes the various types of EC......
讨论离子注入在介质中输运的数值模拟方法,采用扩散理论和交替方向隐式的 D- R 差分法,以砷离子注入在硅单晶中输运为实例,数值模拟结果......
西德Darmstadt重离子研究所(GSI)于1984年进行了下列核反应获得成功: ~(208)Pb(~(58)Fe, n)~(265)108~(58)Fe离子能量为5.02MeV/u......
分析试剂所起作用的解释,是分析化学理论的重要任务之一。曾有一种学说,企图单纯以离子与周围的静电作用来解决这个问题。按此,则......
一、引言戈斯(Ghose,S.)在测定斜方辉石的结构时,首次发现Fe~(2+)离子择优占据M~2晶位,而Mg~(2+)离子择优占据M1晶位。这一事实,......
本文介绍一种适用于航天医学研究的实验仪器——DZF型单极质谱计,其结构简单,性能较稳定。实验中对此仪器的某些特点作了观察。
I......
西德 Darmstadt 重离子研究所(GSI)于1984年进行了下列核反应,获得成功:~(208)Pb(~(56)Fe,n)~(265)108~(58)Fe 离子能量为5.02MeV......
从热力学角度讨论了 CIMS中含不同官能团 X的系列有机化合物质子化分子 离子 RXH+脱中性分子反应随 PA(HX)的增加而减小的规律,用 R=C4H9 的系列化合物在CIMS......
本文应用“20~420keV离子注入机”对铁,镍,18Cr-8Ni不锈钢进行了硼离子能量为100keV,剂量分别为4×10~(15)离子/cm~2及1×10~(16)离......
为了实验室和工业的需要,现代化的等离子热处理工艺对设备提出了新的特殊要求。直流脉冲技术用于大电流辉光放电,可以满足这些要求......
本文主要论述,应用透射电镜,对热处理M2高速钢经一系列氮离子注入工艺下的注层显微组织形态及合金相结构进行的一些研究。离子注......
为了研究超短超强激光与固体靶相互作用辐射压离子加速中的相对论效应,用理论方法对辐射压离子加速的非相对论和相对论模型做一些......
为了探索地球磁层和极区的等离子体结构和动力学过程,研究地球激波、磁层顶边界、极尖、磁尾及等离子体的形成和组成,进而促进日......
为了提高电推进羽流诊断自动化程度,解决传统等离子体诊断方法测试周期长、精度低和数据处理复杂等问题,以LabVIEW为开发平台研制......
防暑降温新警服印度设计师研制出了一款新式警服,有防暑降温功能,还能散发出香味。新式警服的后肩部呈透气的开口样式,帮助交警散......
1.阴树脂离子交换法阴树脂去除水中的阴离子能量很大,但对氟离子去除率却非常低,因为阴树脂的选择顺序是:硫酸根>氯根>碳酸氢根>氟......
离子刻蚀是利用众所周知的阴极溅射效应对表面进行选择性的剥离加工。由于轰击粒子小和离子刻蚀过程的计量极为精确,因此,用这种方......
本文对半导体中离子注入瞬时掺杂时靶片的瞬时温度进行理论计算,给出了靶片瞬时温度跟注入离子能量、束流密度以及靶片材料性能参......
我们曾报道过靶温为室温时HR-1型不锈钢的He捕获特性。(n,α)反应或α等离子体轰击聚变堆第一壁时,核材料可处于高于室温的环境温......
在有和无离子束辅助两种情形下 ,在冷轧Ni基底上制备了CeO2 薄膜 ,结果表明 ,无离子束辅助沉积时 ,薄膜表现出 (111)取向 ,在离子......
本文介绍了真空电弧镀膜(VAD)环境下用法拉第杯分析等离子参数的实验系统。利用该系统,着重测量了气压、电流等参数对离子能量的影响,......
本文使用SIMION软件,对ICPMS离子光学系统中的离子轨迹进行模拟,定性研究了Einzel透镜和Bessel箱的位置及不同离子能量对离子收集......
The multiphoton ionization and fragmentation pathway of furan at 450nm is analyzed on the basis of statistical theory an......
激光离子加速已经受到国际关注,成为国际研究的热点。在实验上已经观察到了最大离子能量随靶厚度的变化关系。要想解释最大离子能......
本工作利用串列加速器提供的 7Li离子束与生物体中 H原子发生内靶核反应 ,根据核反应产物 7Be的可探测性和可示踪性 ,研究了 7L i......
本文指出高能磷离子对多晶硅异常深的穿透导致在MOS器件中产生高浓度空穴陷阱。在某些情况下,离子注入产生的缺陷不能根据照射前的......
对美国测试与材料学会提供的二氧化硅标准样品,用四台电子能谱仪进行了氩离子对二氧化硅的溅射产额的会测。在1KeV、3KeV 和5KeV ......
用离子束溅射方法制成了非晶态软磁薄膜,具有良好的软磁特征。本文研究了离子能量、氩气压强、沉积速率和入射角对磁膜性能的影响......
本文对磷离子能量在0.5—7.5MeV、剂量在2.0×10~(12)—1.0×10~(13)/cm~2范围内注入硅中的载流子剖面进行了研究,发现在此条件下,......
本文论述了强发散场卡夫曼离子源的基本设计考虑,给出了一些决定源性能的实用计算公式,对主要参数结合实例给出了定量结果。重点是......
本文研究了Kornelsen型离子枪的离子束束流,束流密度和最小束斑随源压强P,离子能量E的变化规律,并给出了斑点大小随离子能量、源压......
本文应用背散射沟道技术研究了低能离子轰击不同晶向表面所引起的晶格损伤与离子能量、剂量的关系,讨论了损伤形成的动力学过程。
......
半导体中等离子激发的能量与其载流子浓度有一定的关系。利用高分辨率电子能量损失谱仪(HREELS)检测到的等离子激发能量的变化则可......
作者正在研制一种在直流方式下工作,可输出离子束截面很大的金属气化真空弧(以下简称Mevva)离子源。在初步试验中,采用一组直径为1......
低能离子溅射半导体表面会引起表面结构和成分的变化,导致器件电学性能变差。本文用俄歇电子谱研究了轰击离子能量和束流密度对GaA......
用金属蒸汽真空弧离子(MEVVA)源注入金属离子,能以较低的离子能量而获得较厚的注层.掺杂浓度高,容易诱生金属间化物沉淀,是一种有......