石英衬底相关论文
采用分层溅射法在石英衬底上制备了结晶良好的Mg2Si多晶薄膜.当Si膜的溅射时间均为25min、Mg膜的溅射时间为18～22 min、退火温度为3......
本文提出了一种基于ST-X石英衬底制作的双端谐振器进行压力测量的优化设计方案，并在此基础上进行了谐振器的研制，谐振器的中心频率设......
半导体激光器可比发光二极管 (LED)更亮 ,这个优点肯定要得到回报。现在 ,伊利诺思州西北大学的研究人员已演示高度无序膜和粉末的......
Xerox研究中心已成功地在石英衬底上长出简单的多晶氮化物半导体发光二极管。在近来的实验中 ,David Bour和同事从氮化物 L ED中获......
讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量,采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组Zn......
可调光衰减器(VOA)是波分复用(WDM)系统中最重要的器件之一,它的主要功能是控制和衰减光信号。设计并制备了基于石英衬底的4通道马......
采用RF磁控溅射技术在石英衬底上生长了厚度可调的锐钛矿相TiO_2薄膜,继而采用光刻技术在薄膜上生长了Ag叉指电极,获得了MSM结构Ti......
本文叙述了用椭圆偏振法测定Sm-Co非晶垂直磁化膜厚度的列线图法和搜索法,并对该膜样品进行了测量,结果表明这两种方法是简便可行......
本文采用微波等离子体化学气相沉积方法（MWPCVD），以C60膜作为过渡层，在石英（StO2）衬底表面，首次在等离子体预处理中无衬底负偏压条件下生......
层状钙钛矿SrBi_2Ta_2O_9(SBT)铁电薄膜具有无疲劳和在亚微米(...
双光束双波长激光干涉（ＤＤＩ）法采用自行设计的可调双波长氦氖激光器作光源，可在同一光路中通过两次测量获得薄膜样品两个波长（０．６３３μｍ，３．３９μｍ）下的光学......
利用金属有机物分解法在非晶石英衬底上成功地制备了具有 (202)择优取向的多晶 La1－ x－SrxMnOz薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有......
本工作利用磁控溅射技术在石英衬底上生长出沿c轴择优取向的未掺杂ZnO薄膜,利用X射线衍射,光致发光,X射线光电子谱和Hall效应测量......
采用直流磁控溅射法在石英衬底上制备了氮化铝(AlN)薄膜。用 X 射线衍射仪分析了薄膜结构。利用椭圆偏振仪和紫外/可见/近红外分光......
采用射频磁控溅射用x=0.00～0.45的MgxZn1-xO陶瓷靶在Si(100)和石英衬底上生长MgxZn1-xO薄膜。采用X射线衍射谱(XRD)、透射谱和光电......
室温下采用RF磁控溅射技术在石英衬底上制备了多晶ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,通过XRD,AFM,AES,Hall效应及透射光谱等测试研究了RF溅......
本文利用LB技术,以花生酸为辅助成膜材料,在疏水石英衬底上制备了聚N—乙烯咔唑LB膜,并对其荧光光谱进行了研究。发现聚N—乙烯咔......
采取射频磁控溅射法在硅和石英衬底上淀积Ag–TiO2纳米薄膜,利用X射线衍射仪和紫外可见分光计分析薄膜的相结构和光学性能,研究银......
利用射频磁控溅射在石英衬底上生长出铟磷共掺氧化锌薄膜(ZnO:In,P),所用靶材为掺杂五氧化二磷(P2O5)和氧化铟(In2O3)的氧化锌(ZnO......
采用对靶磁控反应溅射技术以N2和H2为反应气体在硅(100)和石英衬底上制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜.利用台阶仪、原子力显微......
使用快速热化学气相沉积(RTCVD)系统在石英衬底上制备了多晶硅薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(......
使用射频磁控溅射,在正方形石英衬底上沉积透明导电掺Al的ZnO(AZO)和Si共掺AZO(AZO:Si)薄膜.系统研究了靶-基底距离(Dst)和Si共掺......
研究了衬底温度（Ｔｓ）从室温至６２３Ｋ生长的氢化非晶硅（ａ—Ｓｉ：Ｈ）的光电导的温度依赖关系，首次发现了出现光电导的热淬灭（ＴＱ）的温度区随ａ—Ｓｉ：Ｈ的Ｔｓ的降低系统地移向......
非晶硅的二步快速退火固相晶化董会宁，杜开瑛，谢茂浓（物理系）我们采用二步退火法，对由等离子增强化学汽相淀积法（ＰＥＣＶＤ）制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜进行退火处理，并......
由于光学薄膜的透射光谱和反射光谱受表面粗糙程度的影响很大,因此在确定表面粗糙薄膜的厚度及光学常量时,如果不考虑这种影响必然......
为了进一步改善二氧化钒(VO2)薄膜的光学特性,基于有效介质近似理论和VO2在不同温度和波长下的折射率和消光系数,建立了研究VO2纳......
以无机盐为原料制备得到纳米微晶ＳｎＯ２薄膜。由透射比曲线计算发现，随热处理温度的升高，薄膜的折射率、消光系数均增大。研究表明，掺Ｔｉ的ＳｎＯ２薄膜......
利用射频磁控溅射法分阶段调制溅射气压在石英衬底上沉淀ZnO∶Ga薄膜。实验分为四组,分别是0.7 Pa/1Pa,1 Pa/1 Pa,1.5 Pa/1 Pa,2 P......
本文提出用SnCl_2·2H_2O或SnCl_4·5H_2O作固态源进行低温化学汽相淀积SnO_2薄膜.文中分析了影响SnO_2薄膜电学性质的有关因素,测......
引言高纯金属一般是用氢还原其卤化物来制备的。钼和钨虽然是高熔点金属,但能够在温度低至500℃下方便地制取。因此研究这些低温......
制出了稀土硫氧化物薄膜,这种薄膜本征阴极射线发光效率与同样的粉末状材料相等。这些薄膜可承受电子束装置的最大功率密度7W/mm~2......
ZnxCd_1—xS固熔体薄膜在太阳能电池和光导传感器等光电器件的应用上已显得愈来愈重要。这种薄膜通常是采用真空蒸发和喷溅技术来......
利用化学气相沉积法在石英衬底上合成了高质量的CdS 纳米盘结构.在光泵浦下观测到单个纳米盘中有绿色激光产生,激光阈值低至2m......
用超薄型薄膜晶体管(SFT)研制出具有103k 个象素的0.7英寸(对角线)LCD。在石英衬底上形成单片水平和垂直驱动器。为降低功耗,同时......
利用自主搭建的磁控溅射系统在氧化镁，蓝宝石和石英衬底上外延生长了Mg0.50Zn0.50O 薄膜.薄膜中Mg 组份与衬底关系不大，都是50％.X......
利用脉冲激光沉积技术，选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材，在非晶石英衬底上研究氧气流量对Mg1-xZnxO合金薄膜生长取向的影响。研究......
利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体......
研究了在无定型衬底上采用MBE手段生长的GaAs薄膜.在玻璃衬底上,400℃直接生长的GaAs薄膜为无定型态,但经过2个小时的原位恒温(400......
本文主要报道对用普通炸药爆炸法合成的纳米金刚石粉进行特殊处理后,制成载粉液,然后涂敷于石英衬底上,在10Pa真空度下进行场电子......
