刻蚀工艺相关论文
阐述CMOS技术进入深纳米工艺节点,鳍式场效应晶体管以其优异的电学性能成为目前的主流器件。当工艺发展到Fin周期小于40nm时,开展自......
为优化束斑直径在微米级的大气压微等离子体射流刻蚀工艺,自制搭建一种结构简单、操作方便的大气压微等离子体射流装置,以典型聚合......
采用氢氟酸刻蚀法制备了Ti3 C2 MXene,研究了刻蚀温度和刻蚀时间对Ti3 C2结构、形貌及电化学性能的影响.研究结果表明,室温下制备......
本文通过分析工程中影响曲面频率选择表面设计过程中性能指标的因素,讨论了制板工艺的误差对频率选择表面的影响,并以十字环型单元......
本文利用ICP硅深层刻蚀工艺,制备了一种全新的LIGA掩模板.与一般的LIGA掩模板比较,该掩模板的最大特色在于其支撑层和吸收层都是由......
本文主要分析评述了半导体材料中的硅及其化合物的刻蚀工艺及反应机理,对硅及二氧化硅、氮化硅的不同刻蚀工艺进行了对比分析,并就......
本文就Al2O3陶瓷表面金属化制造工艺中,在提高结合力上取得显著进展的两个方面:熔融NaOH刻蚀和磁控溅射Ti/Pd活化进行文献综述.......
介绍了聚酰亚胺薄膜的制备工艺,研究了薄膜的刻蚀特性,发现湿法腐蚀得到的聚酰亚胺薄膜图形受最小尺寸的限制。对于O2等离子刻蚀,改变......
天线的频率属性与其外在形貌关系紧密,将具有几何上自相似的分形概念应用于天线的设计制作中可以得到多频段的小型天线.PCB(Printe......
现代光学中,如何实现在纳米尺度上对光的调控是人们长期研究的问题,这对于能源和信息等领域的发展有着十分重要的研究意义。随着理论......
随着CIS技术的发展和广泛应用,小透光率(Transmission rate,TR)的浅沟槽刻蚀得到最为广泛的应用。针对浅沟槽刻蚀,特别是小透光率......
高性能石英玻璃材料及制品是半导体集成电路制造过程不可或缺的关键配套辅材.论文介绍了半导体刻蚀工艺原理、刻蚀过程用石英玻璃......
利用改进的刻蚀工艺实现了无微沟槽、侧壁近似垂直的刻蚀台面形貌,并在此基础上制造了单MESA结构的4H-SiC PiN二级管.器件外延的漂......
随着PCB的板厚:孔径比的不断提高,使图形电镀工艺对小孔孔壁镀铜能力下降,为进一步改善孔壁镀铜状况,越来越多的板子要求采用全板......
采用二维数值仿真工具对带刻蚀型结终端扩展(JTE)的4H-SiC结势垒控制肖特基二极管(JBS)进行研究,研究了单步和多步JTE对器件反向阻......
近年来,电铸在微细加工中的应用得到了较快发展,尤其在近几年高速发展的LIGA技术的掩模加工和其应用产品中,该技术充分体现出了它的优越性......
掺磷(砷)多晶硅形成NPN晶体管发射结是提高fT及双极集成电路工作速度的最佳途径之一,目前被广泛应用。通过对LPCVD多晶硅生长、掺杂、......
描述了真空微电子荧光平板显示器件的工作原理,提出了采用反应离子刻蚀法制作大规模场致发射阵列的工艺,在动态真空系统中测定了荧光......
讨论等离子体刻蚀及其等离子体源在微电子工业中的作用,介绍四种高效等离子体源,并讨论这一领域亟待解决的问题。
Discuss the ro......
研制了一台具有二级透镜的聚焦离子束(FIB)装置。它利用液态金属离子源:镓和金硅合金。离子束束斑在0.3μm左右,最小束斑达0.21μm。能稳定、长时间......
本文较全面地讨论了近几年来国外有关利用扫描探针显微镜进行纳米尺度表面改性和微细加工工作的现状和发展,重点讨论纳米尺寸光刻制......
公开号 CN1204698A 申请人 国际商业机器公司 地址 美国纽约州 公开了气相淀积的BARC和制备基于非晶碳薄膜的可调且可去除的抗反射涂......
本文介绍了一种全干法二步刻蚀制造高发射效率的场发射阵列(FieldEmitterArrary-FEA)的方法。首先利用等离子刻蚀(PlasmaEtching-PE)的各向同性在由SiO2掩模的硅衬底上刻出平顶尖锥......
文报道了近几年来 LIGA技术的改进 (如制备活动微结构和特殊形状侧壁以及与集成电路的准单元集成等 ) ,描述了用 L IGA技术制备的......
微电子机械系统中关键工艺之一就是刻蚀出高深宽比的图形。本文对掺磷多晶硅反应离子刻蚀(RIE)进行了研究。采用两步刻蚀工艺,SF6,CF4,C......
干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最......
自锁型2×2和1×4光开关是在{100}硅基片上采用各向异性湿刻蚀工艺技术在KOH中制备的微机械光开关。这种制备方法可以低成本一次投......
为了增加天线带宽,提高天线机械稳定性,改善天线性能,提出并设计制作了一种工作在35GHz的硅基MEMS渐变式缝隙天线。针对渐变式缝隙......
在0.13μm铜连线技术节点上,双镶嵌等离子体刻蚀的优化是最具有挑战性的问题之一。通过理论模型分析和实验对双镶嵌结构的刻蚀技术......
本文论述了下游式等离子体在多种 Cu/低 k 材料上去胶及去残留物的工艺应用,主要有3类低 k材料的实验数据——有机类、掺氮氧化物......
美国《科学》报道:美国新墨西哥州桑迪亚国家实验室的研究人员为GaN沉积层发明了一种工艺,这种工艺在蓝宝石衬底上横越刻蚀沟槽,......
在概述微机电系统刻蚀工艺模拟研究进展的基础上,讨论了微表面反应模型法、单元自动控制法、基于刻蚀速率数据库的三维各向异性刻......
介绍在等离子工艺中的等离子充电损伤,并且利用相应的反应离子刻蚀(RIE)Al的工艺试验来研究在nMOSFET器件中的性能退化。通过分析......
原位光学发射光谱仪(OES)已经成为等离子体刻蚀工艺控制过程中的一种非常有潜力的在线传感器系统。采用光谱仪实时采集高密度等离......
双重图形需要更新更苛刻的刻蚀能力,要求低于1.5nmCD均匀性、图形收缩和原位多层刻蚀。多数双重图形(DP)或多步图形化方法正处在研......
研究了背照式ZnO焦平面成像阵列制作的刻蚀工艺.该ZnO焦平面阵列为128×128阵列,每个单元面积为25μm×25μm,对该阵列的刻蚀结果......
AlN材料具有良好的压电特性和很高的声波速度,是制作性能优良薄膜体声波器件的首选材料之一。对氮化铝薄膜体声波谐振器原理进行了......
采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,......
针对反应离子刻蚀工艺,研究其状态监测与识别.采用主元分析(PCA)方法对原始数据进行降维,提取出有效的特征子集,再应用SVM建立失效......
分析了薄膜淀积工艺、光刻工艺和刻蚀工艺过程中引入的颗粒对光刻图形完整性的影响。采用三相三次多晶硅工艺,光刻制备沟阻或多晶......
现代可编程约瑟夫森电压基准的核心器件是约瑟夫森结阵.目前最具有优势的约瑟夫森结阵是Nb/Nb_xSi_(1-x)/Nb材料的结阵.Nb/Nb_xSi_......
报道了反应离子刻蚀转移图形过程中对Amonil光刻胶的刻蚀参数优化的结果.利用软膜紫外光固化纳米压印技术,首先制备了线宽/间距均......