共振隧穿相关论文
量子隧穿效应在实际技术中具有重要应用,本文首先展示了如何求解一维任意边界非对称以及对称双方势垒的透射系数,然后研究了对称双......
在极低温的条件下(T-20mK)，对Nb/AlOx/Nb构建的超导磁通量子比特进行微波辐照，观察到了光子辅助隧穿。光子辅助隧穿的现象和共振隧穿......
采用等离子体氧化技术和逐层(layer-by-layer)生长方法在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了纳米硅(nc-Si)浮栅存储......
利用传统、简易的离子束溅射技术,在不同Si单晶衬底温度条件(650,700和750℃)下,自组织生长了一系列Ge/Si量子点材料。分别利用原......
本文分析了由负介电常数材料和负磁导率材料交替排列组成的一维三层结构中的电磁波模式，包括传播模及波导模．传播模对应于入射的行波......
由把反响的通道系列与电容电压(C-V ) 相结合在相片刺激下面的特征，我们为在原子价探查量井的使量子化的层次开发了相片激动的、电......
基于微带线理论采用加载集总元件的方法设计单负材料,当两材料的波阻抗和有效相移相等时出现共振隧穿模.针对实验制备中集总元件频......
1970年,Esaki和Lsu提出了半导体超晶格的概念,旨在获得一个全新物理范畴的电子性质.由于超晶格中电子态之间的耦合,导致微带形成,......
本文综述了微电子技术向纳米空间（＝１０－９米）的进展所必将引起的一系列新的变化及其在半导体领域中蕴酿的一场技术革命，同时还论述了这一场技......
用ＰＥＣＶＤ法在Ｓｉ衬底上沉积了纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，其室温暗电导可达１０－３～１０－１Ω－１ｃｍ－１，高于本征单晶硅的电导，将其制成遂道二极管，其Ｉ－Ｖ曲线在７７Ｋ呈现出量子台阶，对这一新颖物理......
用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表......
研究了一维不规则多重垒结构中电子共振隧穿的相对论效应．结果表明系统同时存在两类共振隧穿，一类由能量量子化和长度量子化同时决定......
我们研究了７７Ｋ温度下掺杂弱耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运，发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同．当在压力下ＡｌＡｓ垒层中的Ｘ基态子......
本文围绕镜像势对双势垒共振隧穿系统电流—电压特性的影响作了系统的分析探讨，并在考虑和不考虑像势影响的两种情况下对该特性作了......
利用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）设备，在单晶Ｓｉ片上淀积出了一层ＳｉＣ薄膜．这种ＳｉＣ薄膜可以用作场致发射的阴极，该文报道了其场致发射的Ｉ～Ｖ特性测试结果．结果表......
采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向......
制备了含两层绝缘层的双势垒结构隧道发光结,介绍了其结构特点,分析了电子在结中的共振隧穿特性。结合电子隧穿特性及结的发光机理......
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研究了电子隧穿出射端嵌入1.2μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构,观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰.研究证......
基于分子线耦合到电极的构成特点,采用简化的非对称多势垒连续隧穿模型模拟复合分子器件偏压下的电子隧穿过程,推导电子透射谱的解......
第三届半导体超晶格微结构学术讨论会于1990年10月16日至18日在中国科学院半导体研究所召开.会议收到文章 120篇,出席会议代表共 9......
为了理解在三势垒结构中准束缚能级Ez和隧穿寿命对磁场的依赖性,采用传输矩阵的方法研究了在三势垒结构中的共振隧穿过程。分别研......
采用分子束外延技术生长GaAs/AlAs三量子阱,并在中间的GaAs阱中δ-掺杂浅受主杂质Be原子,制作出量子限制受主远红外Teraherz原型电......
非对称多势垒可获得比双势垒更大的共振隧穿电流及更良好的峰谷比。通过分析单电子对任意势垒透射的理论模型,建立了任意非对称三......
针对高介电常数(k)栅堆栈金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)实际结构,建立了入......
在有效质量近似和绝热近似下,利用转移矩阵法研究了电子通过In As/In P/In As/In P/In As柱形量子线共振隧穿二极管的输运问题,分......
对倍增型共振隧穿弱光探测器(RTDPD,resonant tunneling diode as photodetector)的噪声性能进行研究。设计了具有倍增区的RTDPD结......
本文研究了三元准周期超晶格的电子共振隧穿性质。结果表明：准周期超晶格结构的自相似性导致了电子透射率谱的自相似性；随着代数的增......
本文描述隧道谱仪的测量原理,并给出一个隧道谱测量系统的结构。利用该系统测量了硅隧道二极管和分子束外延单晶态CoSi_2/N~+-Si肖......
本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理，阐述了其Ｉ－Ｖ特性中的负阻现象。简单介绍了ＭＩＭ结构负阻的几种解释，根据热像仪照片和低温测......
本文在Ｐ－ｉ－ｎ结构的ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ应变层短周期超晶格的调制光反射谱中观察并确认了超晶格微带电子的Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ振荡，通过对Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ振荡的分析，推算出超晶格区内建电场大小......
文中通过求解薛定谔方程得到抛物形量子阱的变换矩阵与透射系数。利用这一结果计算透射系数可以达到任意高的精度。最后，讨论了结构......
在极低温的条件下(T-20mK)，对Nb/AlOx/Nb构建的超导磁通量子比特进行微波辐照，观察到了光子辅助隧穿。光子辅助隧穿的现象和共振隧穿......
讨论了硅基双势垒金属绝缘层金属绝缘层半导体(MIMIS)隧道发光结的结构、制备方法及发光特性.所制备的样品最大发光亮度达到1.9 cd......
期刊
全光开关技术有着多方面的应用价值。现有手段实现的全光开关体积较大,这样就不利于未来全光器件的集成,而且有些方法对实验条件的......
为了突破传统的机电转换效应的宏观物理局限,需要研制新一代基于新原理、新效应的具有更高灵敏度、更低功耗的微/纳机电器件。本文......
本文根据国内外研究现状,设计了一种GaAs基共振隧穿压阻式压力传感器,使用计算机软件对其进行了结构尺寸设计及相应的力学和电学方......
该文报道了在等离子增强化学汽相淀积(PECVD)系统中,用高倍氢稀释硅烷作为反应气体,在射频和直流双重功率源作用下制备了纳米硅薄......
