电子束光刻相关论文
窄线宽激光器具有高时间相干性,低相位噪声,在光通信、光传感、光谱学以及测量和检测等领域中具有重要应用。现有半导体激光器具有......
电子束光刻技术（EBL）是一项在半导体和纳米技术领域都起着重要作用的微细加工技术,相比于普通光学光刻技术,其具有着高分辨率、制掩......
采用电子束光刻技术制备出了深刻蚀的GaAs基微纳光栅.针对电子束曝光过程中存在的由邻近效应引起的光栅结构图形失真和变形的问题,......
窄线宽半导体激光器相比于传统激光器,具有光谱线宽窄以及相干性好的优势,是半导体激光器新兴应用,包括原子钟、医学传感、激光制......
设计合成了一种共价键合光致产酸剂（PAG）的单分子树脂（molecular glass）材料HPS-MSF,该材料具有良好的热稳定性和成膜性。以该单分子树......
表面增强拉曼散射（Surface-enhanced Raman Scattering,SERS）是一种高灵敏度的表面检测技术,入射光和待检测分子发生相互作用后,根据......
超材料指的是一些天然材料所不具备的超长物理性质的人工复合结构或复合材料,它不存在于自然界。它是一种具有亚波长周期性结构的......
偏振成像探测技术为特殊环境下提高对目标的探测能力提供了新的成像手段。根据偏振信息收集方式以及观测成像场景的不同,常用的偏......
提供F7000多用途电子束光刻系统和E3310晶圆多维影像测量扫描电镜,可满足下一代半导体技术的加工和检测的需求.F7000电子束光刻系......
在国产的GaN/AlGaN外延材料上,通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,制作出具有T型栅的GaN HEMT(high-e......
电子束直写是深亚微米加工技术的重要手段,但是由于电子散射、背散射现象的存在以及电子束高精度扫描成像曝光低效率的问题影响了......
本文在对纳米结构与纳米器件特种加工技术一电子束光刻(E-Beam)和聚焦离子束(FIB)研究的基础上，实现了多种纳米结构与纳米器件的加......
纳米梁谐振器是某一维度上的特征尺度小于100nm纳米级谐振器。纳米梁谐振器以其超小的体积与质量，超低的功耗，超高的灵敏度，体现了NEM......
在激光等离子体诊断等领域中,以平焦场光栅为核心器件的软X射线光谱仪发挥着重要作用。利用电子束光刻-近场全息法制作的平焦场光......
软X射线平焦场光谱仪具有消像差、平焦场、结构紧凑等特点，广泛应用于同步辐射、强激光等领域。软X射线变间距光栅是平焦场光谱仪的......
电子束光刻是下一代光刻技术中的有力竞争者,在微纳加工尤其是光刻掩膜制造上具有显著的竞争优势。开发高性能的光刻胶并优化出最......
通过预先建立校正过程中需要的各种规则表,校正过程中需要的参数通过查表获得,快速、准确地实现用电子束曝光技术加工MEMS微器件中......
新加坡南洋理工大学的科学家讨论了以电子束光刻，用混合体溶胶-凝胶玻璃加工折射微透镜。根据研究人员分析，使用该方法减小了传统的......
已提出的各种可能机理有束流引起的化学反应,高电流密度使表面局部区域内原子加热导致的局部原子的蒸发、熔化、再结晶等,有些结......
用ＳＥＭ改装成的电子束光刻线宽１０ｎｍ及套刻精度不足５０ｎｍ的器件图形美国明尼苏达大学电子工程系的Ｐ．Ｂ．Ｆｉｓｃｈｅｒ和Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ等人利用一台ＪＥ－ＯＩＬ－８４０Ａ型扫描电镜（ＳＥＭ）改装成一台电子束直接......
本文侧重分析电子束纳米光刻中的若干限制因素，包括电子光学系统中的象差、电子束与抗蚀剂的相互作用（散射与二次电子效应）、衬底条件......
近年来，电铸在微细加工中的应用得到了较快发展，尤其在近几年高速发展的ＬＩＧＡ技术的掩模加工和其应用产品中，该技术充分体现出了它的优越性......
ＮＥＣ为１ＧＤＲＡＭ开发最小的存储单元日本ＮＥＣ公司已为１ＧｂＤＲＡＭ开发了世界上最小的ＤＲＡＭ存储单元─０．３７５μｍ２。这种单元与在ＩＳＳＣＣ９５＇上宣布的用在１ＧｂＤＲＡＭ样品的单元有所不同，这种０．３７５μｍ２的单元技......
同步辐射光刻技术是Ｘ射线光刻技术的重要发展，适用于深亚微米乃至纳米级图形的 超微细加工，特别是ＬＩＧＡ技术的出现大大拓展了同步辐射光刻......
本文概述了LB超薄抗蚀层用于光刻研究的历史及现状，指出：发展实用化的LB超薄抗蚀层技术对于微电子工业中深亚微米乃至纳米水平的微细......
本文描述了新型激光快速直写亚微米光刻系统。由准分子激光采用飞点扫描曝光的方法在片子上作图，制作了一种可编程相位调制的空间光......
回顾总结了ＭＯＳＶＬＳＩ的发展，展望了未来发展趋势，说明工艺技术的进步以及器件和电路设计的不断改进对ＶＬＳＩ发展的重要作用
Review the development......
介绍在光刻中使用２４８ｎｍ和１９３ｎｍ波长的一种新颖作图装置。设计该装置以抗蚀剂材料为其特征，应用在先进的存储器（６４Ｍｂ、２５６Ｍｂ）和高密度双极ＩＣ生产中。随着应用......
对于０１３μｍ以下几何作图，离子投影光刻是一种适用的技术。该技术没有光学衍射局限性和电子光刻接近效应，并能使几何图形缩减，进行动态畸......
前景诱人的半导体芯片制造业林莉译１概述回顾１９８５年，以微处理机和ＤＲＡＭ（动态随机存取存贮器）芯片为主的半导体器件，其销售额急剧减少３０％，因“消化道障......
在美国，由公司、政府部门、大学的技术领导人组成的半导体工业协会（ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩｎｄｕｓｔｒｙＡｓｏｃｉａｔｉｏｎ，ＳＩＡ），１９９２年、１９９４年和１９９７年，分别发布了１５年国家半导体技术指南（ｒｏａｄｍａｐ）．在１９９７年的指南中...
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１引言一年半以前，国际ＳＥＭＡＴＥＣＨ财团将光学光刻的接班技术选择缩小到４种：极紫外（ＥＵＶ）、离子投影光刻（ＩＰＬ）、限角散射投影电子束光刻（ＳＣＡＬＰＥＬ）和ｘ射线光刻技术。已证实......
随着器件尺寸的缩小，细线条的制作成为很关键的工艺，普通光学光刻已接近其分辨率的极限，而电子束光刻和Ｘ射线光刻技术复杂、费用昂贵。......
介绍了深紫外光刻技术、电子束光刻技术、Ｘ射线光刻技术以及与这些技术相关的一些单元技术的最新进展，概要介绍了这些技术最热门的研......
本文介绍了在微电子技术中广泛应用的光刻技术以及在微电子机械系统中颇有应用前景的LIGA技术、微立体光刻技术（MSL）的发展，并介绍了......
波带片的低衍射效率限制其在可见光波段的使用，可是在Ｘ射线波段，波带片是唯一达到衍射极限的光学元件，因而引起人们的极大兴趣。本文介......
报道了我们制作深亚微米 x射线掩模的工艺和同步辐射 x射线曝光工艺 ,并报道了我们在北京同步辐射装置 (BSRF) 3B1 A光刻束线所获......
Ｓａｎｄｉｎ国家实验室Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ麻省理工学院里的研究人员已经研制成功了一种可以在三个方向上控制光信号的二维光子晶体。这项工作使我们看到了可用单......
２００２０３０１８１曝光装置用G２０K型KrF准分子激光器＝露光装置用KrFエキシマレ－ザ“G２０K”犤日犦／中尾清春∥光アライアンス．—２０００，１１（１）．－３７～３８２００２０３０１８２新的真空紫外光源＝新しい真空紫......
多功能碳纳米管已成为纳米技术的重要一员。如今,荷兰 Delft 技术大学的 Adrian Bachtold、PeterHadley、Takeshi Nakanishi 和 C......
