分布式放大器相关论文
本文基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,采用分布式结构设计了一款工作在2～20 GHz的宽带低噪声放大器。在Cascode结构的基础上引入负阻抗......
碳纳米管（cnt）凭借其量子电容特性、高迁移率、截止频率在THz以上的潜能、弹道传输特性,被认为是制造RF晶体管的理想半导体材料,到目......
本文从分析比较微波并联FET分布式放大器与串联单级分布式FET放大器性能入手,通过对放大器增益函数分析,推导单级、多级放大器参数......
为实现低噪音放大器带宽的有效拓宽,依照分布型放大器的基础工作理论,应用0.13μmGaAs PHEMT工艺方法,工程技术人员开发了一类宽带......
首先对分布式放大器中L型和T型网络的频率特性进行了研究.分析表明,L型网络比T型网络在设计中具有更好的频率特性.基于稳懋半导体......
介绍了一种采用0.15μm GaAs PHEMT工艺设计加工的2～20 GHz宽带单片放大器,为了提高电路的整体增益和带宽,在设计电路时采用两级级......
采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一种基于抽头电感的四级分布式放大器.采用抽头电感,减小了片上电感的数量,减小了芯片面积,在保持良......
随着无线通信系统的发展,有源集成天线因其体积小,功能强,效率高等优点被广泛应用于军事和商业领域,如相控阵,功率合成,移动通信和......
在集成电路制造过程中，静电放电是众多可靠性问题中最重要的一项。随着集成电路尺寸的日益缩小和工作频率的快速增加，对于射频集成电......
随着无线通信系统带宽需求急剧增加，毫米波频段可观的频谱资源显得更加具有吸引力，也刺激了毫米波电路和系统框架的构建与发展。InP......
随着物理电子和加工制造工艺的高速发展,分布式放大器也有了长足发展。本文介绍了基于HEMT的分布式放大器原理,设计过程和设计方法......
基于0.25 μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种2～20 GHz的超宽带高效率功率放大器.该功率放大器采用非均匀分布式结构,可以为各级晶体管......
采用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了单级和两级两种结构的微波毫米波单片分布式放大器。在设计中采用电阻-电容结构代替传统分布式......
详细分析了适用于高频放大器四种有效扩展带宽的技术。分别为反比例级联技术、并联峰值技术、电容峰值技术和分布式放大器,分析了......
首先对分布式放大器中L型和T型网络的频率特性进行了研究.分析表明,L型网络比T型网络在设计中具有更好的频率特性.基于稳懋半导体......
基于T型匹配网络对分布式放大器的阻抗特性进行了分析,并设计了一个三级分布式功率放大器.设计中采用非均匀的T 型匹配网络结构使......
为有效扩展低噪声放大器的带宽,基于分布式放大器基本原理,使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了一种超宽带微波单片集成低噪声放大......
简要分析了光接收机分布式前置放大器所具有的宽带优势，研制出了一种利用南京电子器件研究所0．5μm标准GaA sPHEMT工艺实现的10Gb／s分......
采用了国内0．6μm标准CMOS工艺设计实现了一种单片集成的分布式放大器。放大器采用四级级联结构，单元电路采用管联（cascode）结构以提高......
为满足电子系统对放大器的带宽性能要求，基于2μm砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一种新的分布式放大器。设计采用了输入......
从普通分布式放大器的基本原理出发,指出了存在的问题;从等电压传输概念出发,给出了一种新的阶梯型变阻抗分布式放大器的工作原理,......
从等忆压传输概念出发，以提高分布式放大器的工作效率，改善分布式放大器性能为目的，提出了传输线视在匹配的概念。......
对于一种基于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的分布式放大器的设计原理做了较为详细的阐述。从增益单元的设计、匹配网络和低......
针对40 Gb/s 光通信系统对高速芯片的需求，设计出一种微波单片宽带驱动放大器。该放大器基于0．15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工......
单片微波功率放大器在无线通信以及微波测试设备等众多领域中有着广泛的应用,而分布式功率放大器是实现宽带功率放大器的有效方法......
随着无线宽带通信技术的迅速发展,宽带放大器在无线宽带通信领域有了更加重要的价值。分布式放大器凭借其较宽的工作频率范围、适......
对分布式放大器的工作原理和人工传输线的阻抗特性进行了分析，在此基础上采用0．18μmCMOS工艺设计并实现了一种具有三级增益单元的分......
采用0.25μm GaAs pHEMT工艺研制了一款分布式功率放大器,详细介绍了电路设计和优化过程。通过增加低频交流终端,使得该放大器低频......
近年来对于不断增长的数据传输量和速率的需求推动了现代无线通信系统的发展。超宽带(UWB)无线通信系统利用超宽带宽以高比特率传......
超宽带低噪声放大器作为接收机的重要组件,在军事雷达、光通信、5G通讯及测量仪器等领域都有重要的应用。为满足宽带系统中低噪声......
V波段高速率收发芯片在军事和民用两方面都可以得到广泛应用。军事上,V波段收发芯片可应用于线性调频雷达,例如导弹引信系统通过收......
宽带低噪声放大器是5G无线通信系统中的关键模块。针对6GHz以下5G通信应用频段,基于65nm CMOS工艺,设计了一种三级均匀分布式宽带......
随着微电子与微波通信技术的发展,国内外对射频集成电路性能的要求越来越高,人们对器件速度也提出了更高的要求。目前集成电路设计......
针对超宽带、高功率和高效率放大器的设计和制作难点问题,设计了一种基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管技术(......
针对传输线理论在分布式放大器设计的应用中存在的问题进行了讨论,并基于阻抗匹配的思想,采用0.18μm CMOS工艺设计了一种均匀式宽......
现代通信发展迅速,正在建立一个被称之为信息或数据高速公路的信息基础结构来满足多种通信业务的需求。目前,光纤通信传输网构成了......
研究应用于超宽带无线通信系统中的宽带分布式放大器设计方法.采用电感替代传输线对晶体管寄生电容进行补偿的方法实现带宽拓展.分......
长久以来,放大器的设计都是射频前端设计中的重点和热点。近年来,通讯技术的飞速发展大大改善了我们的生活质量,但是,随之而来,我......
学位
前置放大器是光接收机前端中最重要的组件之一,它直接影响光接收机的速度、噪声、灵敏度等整体性能。传统前置放大器由于受有源器......
采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC～20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测......
超高速集成电路是大容量光通信系统的关键部件之一。Ⅲ-Ⅴ族半导体光通信IC的最新进展,适应下一代40Gb/s/波长通道系统的发展需要......
作为一种宽带放大器的结构,分布式放大器结构能够实现高达多个倍频程的带宽,这种结构是由电感元件和晶体管的等效电容构成的栅极和......
从等电压传输概念出发，以提高分布式放大器的工作效率、改善分布式放大器性能为目的，提出了传输线视在匹配的概念，给出了一种新的阶梯......
近些年来,无线通信系统的飞速发展带动着微波、毫米集成电路的迅速成长。分布式放大器拥有高带宽,平坦增益,是人们追求高速度,高频......
学位
<正> 引言用于电子战的新一代天线正在由许多电子战系统供应商和政府机构进行研制。这些天线把相控阵的高有效辐射功率(ERP)能力和......
随着无线通讯技术和航空航天技术的飞速发展,对具有更高频率和更大输出功率的高性能半导体器件的需求日益增加。传统的Si和GaAs基......
微波单片集成电路就是把有源和无源元器件制作在同一块半导体基片上的电路。MMIC表现出体积小、重量轻、大批量生产成本低,同时兼......
毫米波以其可用频带宽、信息容量大、可实现高速传输的特点,成为了通信系统网络的研究热点,又因其保密性和抗干扰能力强以及可全天......
