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为满足电子系统对放大器的带宽性能要求，基于2μm砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一种新的分布式放大器。设计采用了输入电容耦合技术和L型传输线结构，有效提升了放大器的频率性能。测试结果显示，该放大器的3dB带宽达到14GHz，在1．2GHz～10．5GHz频率范围内增益为6．6dB，带内增益平坦度为±0．5dB，输入回波损耗小于-14dB，输出回波损耗小于-8．8dB，表现出了高增益和大带宽的特性。