随着微电子与微波通信技术的发展,国内外对射频集成电路性能的要求越来越高,人们对器件速度也提出了更高的要求。目前集成电路设计的大部分工作都是基于ADS(Advanced Design System)软件工具,而半导体器件的等效电路模型是影响电路设计精度的最主要因素,其中精确的模型参数又是电路仿真及优化的前提。GaAs场效应晶体管(MESFET)具有电子迁移率高、载流子漂移速度快,禁带宽度大、抗辐射能力强、工作温度范围宽等优点,并被广泛应用于光纤通信、移动通信、超高速计算机、高速测量仪器、航空航天等领域。因此,GaAs场效应晶体管的建模以及模型参数的精确提取已成为近几年国内外研究的热点。本论文对日本NEC公司生产的GaAs场效应晶体管—NE72084的小信号模型进行了研究。首先对器件进行小信号S参数测量,给出了偏置为Vds=3V,Ids=10mA条件下器件的测量参数。然后建立器件的小信号模型,对模型中的本征元件和非本征元件进行参数提取。最后将参数的提取结果导入ADS软件中进行仿真优化,在2-18GHz频段上的仿真结果与测量数据吻合良好,误差精度都在10%以下。利用器件NE72084实现了0-4GHz的低噪声分布式放大器。采用级联共源增益单元,并改进了电路结构,降低了低频增益,提高了放大器的功率增益。通过ADS仿真软件对分布式放大器进行了系统仿真和参数优化,电路仿真结果表明,该分布式放大器具有平稳的增益、较好的增益带宽积,良好的输入、输出匹配。最后,将器件模型带入分布式放大器中,讨论了本征元件值对电路增益的影响,从而验证了所提取的小信号模型参数的正确性。