掩模对准相关论文
国外光刻设备集锦ＰＡＳ５５００／５００型ＤＵＶ步进扫描光刻系统位于美国亚利桑那州坦佩市的ＡＳＭＬ子公司１９９７年初推出ＰＡＳ５５００／５００型步进扫描式光刻系统，拥有一个可变数值孔径＄Ｘ投影透......
详细介绍了二元光学元件制作的光刻技术和一些新的制作工艺，包括薄膜沉积法、激光束或电子束直接写入法和准分子激光加工法．针对用于......
半导体精密生产和测试设备的主要供应商SUSS MicroTec已为飞斯卡尔半导体公司安装了几套MEMS系统,该系统包括新型DSM200系列的前后......
半导体工业中甚大规模集成(VLSI)的进展同时要求改进光学检验显微术。随着临界线宽尺度的减少,这种要求已日益增长。今天,光学检......
由于高级集成电路接近甚至达到亚微米范围的设计标准,为了提供足够的工艺自由度,需要一种不工作在自身分辨率极限的掩模对准机。利......
美国 Cobit 公司继 CA—3000型1:1全反射扫描投影光刻机之后,最近又在此基础上研制出 CA—3400型改进型自动投影光刻机。CA—3400......
各种工件的传送发挥有机性能是保证和提高产品质量的一个途径,它能使本来已经自动化了的效率进一步提高。目前的工艺要求采用包含......
日本电电公司武藏野电气通讯研究所最近研究出一种能复印1微米图形的远紫外线掩模对准与曝光技术,该所采用PMMA抗蚀剂和软接触曝......
在制作先进的芯片图形时,人们总希望以最低的成本生产最高密度的集成电路。这就导致了混合曝光的新概念。就目前的生产线而论,这......
1.前言自从半导体平面制造技术发展以来,主要使用的是接触式掩模对准仪。集成电路从大规模发展到超大规模,其集成度迅速提高。而......
近几年内,投影式掩模对准装置已成为实用的生产设备,并已确认,用于大规模集成电路,较之标准的接触式设备优越得多。本文将讨论在......
在新兴的集成电路技术中技术革新搞得很快,而且经济效果也很显著。由于硅片尺寸的增大以及图形尺寸的微细化引起了集成度的不断提......
作为集成电路生产中的光刻工艺——照相制版工艺包括几个工艺,在各工艺中,使用以各工艺的处理为目的专用设备。比如:硅片涂胶工艺......
一、研究背景 1972年,英国的朗克精密机械公司发表了型号为Microliner的接近式掩模对准仪,后来,又有二、三家公司也发表了同样的......
一、无显影光刻工艺一般的光刻为涂胶、前烘、掩模对准曝光、显影、坚膜、湿法腐蚀和去胶七步工艺.无显影光刻工艺,省去了坚膜和显......
本文提出了成功地用于测量光刻工艺中重叠于硅片上的不同掩模图形对准精度的干涉方法。基于一种极其精密的电光相位测量技术的应用......
据《JEE》1990年4月号报导,东芝公司为了解决光通讯系统用高速GaAs IC,一直致力于开发GaAs HBT.该公司用蒙特·卡罗模拟,提出了在p......
采用短波长光源，制作小于０．５μｍ线宽的ＶＬＳＩ芯片，对准精度必须是０．１μｍ甚至更小。该报告介绍掩模对准台在机械方面的改进，诸如Ｘ、Ｙ向位移精度的提高，Ｚ向......
<正> 每一代新的半导体芯片都具有更精细的结构。因此,生产线通常也就需要更新的光刻设备。为组建经济实用的生产线,就必须考虑几......
