半导体光电器件相关论文
企业基本情况rn厦门市光莆电子有限公司成立于1994年12月,是专业从事半导体光电器件、一体化红外接收器、功率型LED等半导体应用产......
ZnO基半导体优越的光电性能使之成为发展紫外半导体光电器件的优选材料,但目前ZnO薄膜中高质量p型掺杂实现的困难使其光电器件......
会议
本文重点介绍了开设以内光电效应为理论基础的半导体光电器件的重要性和迫切性。并详尽介绍了内光电效应的理论与半导体光电器件的......
本文对曝光量国家计量基准技术改造进行了阐述。文章指出，随着光电技术的发展，感光材料已经不限定在光化学反应的传统材料，曝光量的应......
以短矩离彩色电视光缆传输系统为例，用元件应力分析法对光纤通讯系统的可靠性进行了预计和讨论。目前影响光纤通讯系统可靠性的主要......
随着中国加入WTO和全球经济一体化,国内制造企业正在面对更多的挑战。激烈的市场竞争要求企业整合内外各种资源,以较低的成本、优......
厦门华联电子有限公司是1984年成立的一家国内最具实力的半导体光电器件生产厂家，即将进驻厦门市光电园，准备开拓新未来，摆在企业面前......
近年来，新型半导体光电器件的广泛应用极大的改善了人们的生活，随之性能更优越的半导体器件的研发成为学术界新的焦点。目前处于实际......
半导体纳米线在新一代的电子和光电器件中有着巨大的应用前景。基于异质结纳米线的半导体光电器件已经成为当代科学研究的热点，如纳......
2004年石墨烯的发现打开了研究二维材料的大门。得益于石墨烯极高的载流子迁移率，基于它的电子器件的频率很高，光电探测器的探测带宽......
GaN基激光器(LD)和发光二极管(LED)在固态照明，宽带激光通讯，大容量光存储，激光电视等方面有巨大的市场需求和广泛的应用。GaN基半导......
采用金属纳米结构的局域表面等离激元共振特性（LSPR）可以实现半导体纳米复合结构表面光子的高效吸收，从而可以实现金属与半导体介质界......
引言rn发光二极管(LED)是近几十年来迅速崛起的半导体光电器件,作为一种能量转换效率较高的固体发光器件,LED具有低功耗、亮度高、......
发光二极管（LED）是近几年来迅速崛起的半导体光电器件，它具有体积小、重量轻、电压低、电流小、亮度高和发光响应速度快等优点，容易与......
用自动电子束蒸发设备，蒸镀用于光纤通信等中的ＧａＡｓ和ＩｎＰ系列双异质结红外发光二极管的增透膜。结果表明，对波长为０．８μｍ左右的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ发光二极管，蒸镀四......
为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不为扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单......
厦门哈隆电子有限公司的前身是厦门哈特电子有限公司，成立于1990年12月，是由黑龙江敏感产业集团和自然人共同出资兴建。主要从事红外......
MOCVD材料生长等重大装备项目当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段,是当今信息产业发展、国防高新技术突破不可......
用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙......
本文系统报道了间接耦合光电探测器奇异输出特性中四类工作区域的瞬态响应状部，当器件工作于峰域时，不仅能加快响应速度而且产生新的......
佛山市国星光电科技有限公司是专业生产半导体光电器件及LED应用产品的国家火炬计划重点高新技术企业、广东省高新技术企业。公司......
用Ｎ型硅单晶材料制作了点状ＰＮ结光电二极管，对二极管的光电参数进行了测量。若依平面结的受光面积计算，在同样的光辐射下，点状ＰＮ结光岂二极......
用高阻Ｐ型硅（ρ＝１２０００Ω·ｃｍ）单晶材料制作了ＰＮ结光敏二极管，对二极管的光电参数进行了测量。在激光辐射下，测出样管在光照前后的Ｃ－Ｖ实验曲线及样......
综述了GaN和ZnSe两大系列半导体光电子器件的研究与发展现状 ,重点讨论了材料的生长方法 ,给出了器件发展的最高水平。......
金属器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 是在在工业生产半导体 optoelectronic 设备和微波设备的一台关键设备。加热系统是 MOCVD 的重要......
用高阻ｐ型硅（ρ＝１２０００Ω．ｃｍ）单晶材料制作了ＭＯＳ结构器件，对样管的光电参数进行了测量，在激光辐射下，测出样管的光照前后的Ｃ－Ｖ实验曲线及样管在０．４Ｖ偏压下，光照......
在信息处理和通信技术中，光电子器件起着越来越重要的作用，然而，因为硅是间接湿润地导体，度图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却......
介绍了用烧结法或高熔封制作光窗。对高频熔封透镜应力作了分析，提出了阻止永久应力形成的新工艺，并研制出ＢＫ４－可伐高频熔封透镜。......
介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术。采用厚光致抗蚀剂作掩模，通过磁控溅射和真空蒸发相结合，解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成......
半导体发光器件由于它自身的诸多优点，在许多方面应用越来越广泛，作为职业教育应紧跟社会的发展，满足社会对各种专业技术人才的需求。......
由中昊光明公司自主研发的“一种深度脱除氧化亚氮中水和二氧化碳的装置与方法”获得国家发明专利授权，专利号为ZL201410360551．9。......
本文首次报道了在临界触发条件下观察到的高倍增ＧａＡｓ光电导开关中的光激发畴现象。分析了畴的产生与辐射发光在Ｌｏｃｋ－ｏｎ效应中的作用。指出正是......
在介绍光－ＣＶＤ制备非晶硅膜的同时，简要介绍国外近几个报导的电子回旋共振微波等离子体低温ＣＶＤ，ＣＬＴ－ＣＶＤ，均持ＣＶＤ等技术制备非晶硅膜的状况及设备市场。......
我公司是电子工业部七四六厂和厦门联合发展(集团)有限公司共同投资创办的有限责任公司,是专门从事电子类高新技术产品开发、生产......
在电子设备中有越来越多的半导体光电器件得到应用，日常的实验中也经常能见到它们。半导体光电器件应用于光电性能检测仪可以快速地......
本文利用蒙特卡罗模拟方法计算了转移电子光电阴极的光电子输运特性，其中包括阴极的内部量子效率，电子的能量分布函数，是转移效率，同时......
电子回旋共振等离子体化学气相淀积法淀积介质膜是制备性能优良的光挑学膜和电介质膜的重要手段之一。本文报道了ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ法淀积介质膜的工......
期刊
发光二极管、数码管、半导体发光平面器件等是近几年来迅速发展起来的半导体光电器件。由于这些发光器体积小、重量轻、电压低、电......
有机金属化学气相沉积磊晶技术MOCVD（metal organic chemical vapor deposition）设备，是当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料......
通过建立数值模型,分析了垂直腔面发射激光器相干耦合阵列单元数量、单元间距、单元间相位差对光束质量及偏转角度的影响.仿真结果......
根据ＣＬＥＯ’９８ 会议报道的有关内容，综述了半导体激光器的发展状况。重点叙述了大功率ＬＤ、可见光ＬＤ、中红外ＬＤ 及垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬ） 的最......
本文计算了不同折射率膜层下，非对称法布里珀罗腔模式波长随膜层厚度的变化。分析了在膜层折射率较低时，模式波长随层厚的增加反而减......
