三维集成电路相关论文
考虑了三维异质集成系统中不同衬底层对通孔产生的寄生效应,分别提出了应用于单个和一对差分异质互连通孔的宽频带等效电路模型.在......
基于硅通孔(TSV)技术,提出了应用于三维集成电路的三维螺旋电感.在实际应用中,TSV电感存在电场、温度场和力场之间的相互耦合,最终......
电感是集成电路当中应用最为广泛的无源器件之一,硅通孔（Through-Silicon Via,TSV）技术作为三维集成电路（Three-Dimensional Interagt......
随着电子工业的指数级发展,集成电路正快速向小型化和高密度集成的方向发展,在芯片的功能和性能得到提升的同时,需要更加快速且密......
采用硅直通孔（Through-Silicon Via,TSV）实现堆叠形式的三维集成电路,被学术界和工业界认为是可能引发半导体技术发展方式变革的技术......
三维集成采用硅直通孔（Through-Silicon Via,TSV）实现堆叠式互连,满足高速低功耗的需求,成为延伸摩尔定律的突破性技术。然而,利用TS......
随着半导体技术的不断扩展,互连延迟和功耗等限制了工艺尺寸的进一步缩放。为了打破这些瓶颈,业界和研究机构正在探索三维集成,例......
随着半导体工艺尺寸的不断缩小,传统的集成电路互连线方式带来的延迟、能耗等问题逐渐成为制约半导体技术进一步发展的瓶颈。为解......
基于硅通孔(TSV)技术,可以实现微米级三维无源电感的片上集成,可应用于微波/射频电路及系统的微型化、一体化三维集成.考虑到三维......
传感器技术是现代信息的关键技术和智能技术的先导,被应用到社会发展及人类生活的各个领域,如环境监测、生物医疗等。其中硅纳米线......
晶圆黏着键合方法优点是工艺温度低,与标准IC工艺兼容,能使键合表面平坦化,同时还能够补偿表面小直径的微粒,工艺相对简单,成本低,......
三维集成电路是通过硅通孔将多个相同或不同工艺的晶片上下堆叠并进行垂直集成的新兴芯片集成技术。通过这种集成,芯片可获得更小......
现如今,高速发展的电子工业对微电子技术提出了更高的要求,希望微系统的功能密度和性能不断提高。由于集成电路器件特征尺寸逼近物......
基于TSV技术,提出了一种应用于三维集成电路的积累型NMOS变容二极管.通过与传统积累型NMOS变容二极管对比,证明了基于TSV的积累型N......
期刊
摘 要：硅通孔技术（TSV）是一种实现三维集成电路的方法。为了加快三维集成电路的制造测试速度，必须对TSV结构精确建模。该文提出了一种......
２１世纪新型三维集成电路日本《日经产业新闻》报道，电气公司最近研制成功一种有６层结构的三维集成电路。它采用首先分别制成２块集成电路......
在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO_2上......
ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）技术被认为是２１世纪的硅集成电路技术．近年来，国际上出现了一种引人注目的ＳＯＩ制备新技术———智能剥离（Ｓｍａｒｔｃｕｔ）技术．它的出现为解决ＳＯＩ技术中质量......
本文研究ＶＬＳＩ电路的ＮＰＩＲＡ结构及其成品率，分析间隙冗余阵列的（ｓ，８）类结构，提出最优的（ｓ，８）间隙冗余阵列的定义，同时给出了最优的（ｓ，８）间隙冗余的成品率的下界表......
基于2003ITRS、热阻经验公式、Elmore时延模型和三维集成电路互连模型,本文估算分析单栅SOI-CMOS三维集成电路的热阻θ,简介分析功......
据《中国电子报》2008年6月24日报道,亚微纳技术公司(AVZA)近日推出Versalis fxP系统。这是一个200mm/300mm集群系统,专为利用穿硅......
将以最先进的三维集成电路(3D IC)封测技术为研发主题,“日月光交大联合研发中心”日前成立,日月光总经理暨研发长唐和明表示,日月......
由于三维集成电路是集成电路发展的一个主要趋势,片上网络已经被讨论用于解决大规模三维集成电路的互连问题。在三维片上网络中,拓......
硅通孔(TSV)是三维集成电路的一种主流技术.基于TSV寄生参数提取模型,对不同物理尺寸的TSV电阻-电容(RC)参数进行提取,采用Q3D仿真......
结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的......
用数值模拟的方法,研究了散热面积为1cm~2带有层间微散热结构双面均热发热3D-IC内部流体层流流动与换热,对体积流量在36~290mL/min......
随着电路层的垂直堆叠,三维集成电路(3D-IC)的功耗密度成倍增加。具有良好散热能力的层间液体冷却是一种非常有效的方法。采用数值......
硅通孔中的缺陷不仅会导致硅通孔网络中传输延迟变化,也会引起对故障更为敏感的跳变延迟波动.本文基于时间数字转换原理提出一种非......
为避免传统的探针检测对硅通孔(TSV)造成损伤的风险,提出了一种非损伤的TSV测试方法。用TSV作为负载,通过环形振荡器测量振荡周期......
随着集成电路制造技术的发展，集成电路的集成度变的越来越高，芯片的尺寸变的越来越小，同时使得互连线时延问题变的突出，成为限制集成电......
集成电路(Integrated circuits,ICs)已经成为各行各业实现信息化,智能化的基础,同时它也存在于我们生活的方方面面。随着科技的进......
随着工艺技术不断发展,工艺尺寸仍会继续不断缩小。在深亚微米的设计中,互连线的延迟和功耗成为设计时需要考虑的重点。三维集成电......
三维集成电路是指利用硅通孔(Through Silicon Via,TSV)作为电学连接,将多个同质、异质的芯片或电路模块在垂直方向上堆叠起来,共......
基于硅通孔(Through-Silicone Via,TSV)的三维芯片技术是作为延续摩尔定律的重要技术之一。三维集成电路(Three dimensional integ......
半导体集成电路经过几十年的快速发展,受到元器件尺寸、芯片功能、成本效益等方面的严重制约。作为一种系统级架构的新型设计方法,......
在集成电路领域,三维集成电路(Three Dimensional Integrated Circuit)内部堆叠了多层晶片,并使用穿透硅通孔(Through Silicon Via......
与以前的H.264/AVC数字视频编码标准相比,高效率视频编码(H.265/HEVC)具有优越的视频压缩率。同时,超高清(UHD)视频应用在显示技术......
随着超大规模集成电路技术的发展,芯片集成度和规模急剧增加。集成电路按比例缩小的发展已逼近极限,最有可能解决降低互连延迟、提......
随着半导体技术的不断发展,互连和功耗问题制约了芯片尺寸的缩小。基于TSV的三维集成电路结构可以提供高密度的连接和高速率的传输......
随着集成电路产业的快速发展,通过硅直通孔(Through Silicon Via,TSV)实现的三维集成电路(Three Dimensional Integrated Circuits......
工作报告期页在管壳柯伐柱上敷铝—以铝-铝系统代替金-铝系统……一(19)提高平行缝焊封帽合格率的初步探讨……一(23)混合集成电路......
一九八一年,日本国际贸易部和工业部(MITI)制定了一项未来工业基础工艺的研究和开发计划。这是一项综合性计划,其中一个方面就是有......
