【摘 要】
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本文描述了用于制作三维集成电路（３Ｄ－ＩＣ）的激光再结晶工艺的实验装置和工艺过程，报道了反射条结构样品的单条扫描定域再结晶的实验结果并作了相应的讨论。实验表明，再结晶质量与激光功
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本文描述了用于制作三维集成电路（３Ｄ－ＩＣ）的激光再结晶工艺的实验装置和工艺过程，报道了反射条结构样品的单条扫描定域再结晶的实验结果并作了相应的讨论。实验表明，再结晶质量与激光功率、预热温度、高反区条宽以及激光扫描速率等因素有关，并受到工艺稳定性的影响；利用激光单条扫描定域再结晶技术已获得１２μｍ宽度、芯片长度的能用以制作高性能ＭＯＳ－ＦＥＴ的ＳＯＩ单晶条。
In this paper, the experimental setup and process of laser recrystallization process for 3D integrated circuit (3D-IC) are described. The experimental results of single-scan localized recrystallization of reflective stripe structured samples are reported and discussed. Experiments show that the quality of recrystallization is related to laser power, preheating temperature, high anti-zone width and laser scanning rate and other factors, and is affected by the process stability; laser single scan localized recrystallization technology has been 12μm width, the chip The length of the SOI single crystal can be used to make high performance MOS-FET.
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