SiNx相关论文
设计了一种基于SiNx填充的定向耦合器（DC）型偏振无关解复用器，用于分离1310 nm和1550 nm两个波长的光信号。采用等离子体增强化学气相......
针对氮化硅表面制作的剥离胶膜底切宽度不稳定的问题，采用碱溶液处理SiNx表面，研究SiNx表面状态与剥离胶膜底切宽度的关系。结果表明......
针对目前大部分偏振无关光功分器结构复杂和损耗大的问题，文章设计了一种基于Si/SiNx双层波导的偏振无关光功分器，用于1 550 nm波长......
思考历程所求结果是和角的正弦,如果将其化简:sin(2x+π/3)=sin2xcosπ/3+cos2xsinπ/3,你有何想法?再联系条件是否看出,只要求出s......
笔者曾利用课外时间组织学生练习过一道有趣的题目: 设f(sinx)=cos3x(1)求证f(cosx)==-sin3x。此题抄出约10分钟,当堂几乎没有学......
在三角函数解题中常用到(sinx±cosx)2=1±2sinxcosx,用这个公式解题,能够达到化繁为简,化难为易的效果. [例1] 已知sina-cosa=1/......
在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2和SiNX掩蔽层过程中,分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg-受主钝化,同时在p-GaN材料表......
在三角函数中,等式(sinx±cosx)2=1±2sinxcosx涉及如下三项:sinx+coxx,sinx-cosx,2sinxcosx.这三项中只要知道其中一项,就可求出......
文[3]利用构造平面几何的方法给出了函数f(x)=3cosx+2sinx(0xπ2)的最小值(323+223)32,但其构造及背景难与高二学生生活实际贴近,......
利用微波电子回旋共振等离子体增强非平衡磁控溅射法在不同N2流量下制备无氢SiNx薄膜.通过X光电子能谱、纳米硬度仪等表征技术,研......
本文讨论了a—Si:H/a—SiNx:H 超晶格材料拉曼散射的实验结果,指出半高宽的变化,是由界面数目变化和界面间相互影响的综合作用结果......
在过去的几十年里，微电子技术发展迅猛，到如今，它已成为当代计算机技术、通讯技术、自动控制技术等新兴技术的基础。随着微电子技术的......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
通过对比电特性曲线、阈值电压、亚阈值摆幅等参数的变化趋势,深入分析了低温真空制备的Si Nx介质层非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体......
针对目前基于p型硅片制备的单结太阳电池进一步提高表面钝化膜生产效率,利用氮化硅(SiNx)薄膜良好的钝化效果与价格低廉的二氧化钛......
在PECVD沉积SiO2和SiNx掩蔽层过程中,分解等离子体中存在较高浓度的H原子使得Mg-受主钝化和在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特......
分析了目前Low-E玻璃存在的问题,给出了解决办法及思路,介绍了碳化硅膜层的特性以及在镀膜领域尤其是低辐射膜层(Low-E)中的应用,......
利用管式PECVD在晶硅太阳电池上制备3种不同结构的SiNx∶H减反射膜:第一子层(靠近基底硅)折射率大于第二子层的双层减反射膜、第一......
系统研究了纳米量级的多孔 SiNx插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响.高分辨X射线衍射测量结果表明:SiNx插入层生长在CaN......
利用微波电子回旋共振增强磁控反应溅射法在不同基片温度下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶变换红外光谱、透射电子显微镜、台阶仪、......
采用射频磁控溅射法在Si（100）和含有SiOx缓冲层的Si（100）上制备SiNx薄膜。直接生长在Si（100）的SiNx薄膜几乎不发光;而SiNx/SiOx薄膜在650......
硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性,但钝化效果不稳定.我们利用硫钝化和PECVD SiNx钝化相结合的......
采用双离子束溅射法制备了SiNx薄膜,用XRD、XPS、FTIR等对薄膜的结构进行了表征,并且分析了样品的光致发光(PL)特性.发现在225 nm......
本文主要验证等离子体预处理对太阳能电池性能的影响，也就是SiNx：H层的性能。研究发现预处理的时间对于沉积物SiNx：H层影响比较小，较短......
采用原子层沉积工艺(ALD)生长均匀致密的三氧化二铝(Al2O3)薄层对氮化硅(Si Nx)绝缘层进行修饰,研究了铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TF......
探讨如何用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)设备制备非晶态氮化硅介质膜和光学膜.通过改变工艺条件中的微波功率、硅烷(SiH4)、......
利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜......
洛阳建材机械厂系国家生产玻璃成套机械装备和玻璃纤维设备的骨干企业,被国家确定为＂中国洛阳浮法玻璃技术的出口定点厂家＂。2004年......
<正> 在数学分析中讲重要极限■(sin)/x=1时,都强调角 x 必须以弧度为单位计算。但若以度为单位来计算,其极限又等于多少呢?分析教......
在偏振成像和激光功率测量技术领域，凡涉及偏振光的定量测量，都会由于光束的偏振态对探测器的影响而产生显著的误差。这种现象主要是......
在偏振成像和激光功率测量技术领域，凡涉及偏振光的定量测量，都会由于光束的偏振态对探测器的影响而产生显著的误差。这种现象主要是......
一个学过高中兰角的学生,完全可以从容地读懂下例: 证明:对于x∈(0,π/2)有sinx【x. 证:作单位圆如图,以x表∠AOB的弧度数,X∈(0,......
利用磁控溅射方法在Si（111）衬底上制备了厚度为1μm 的非晶 SiNx 薄膜，采用纳米压痕方法研究了薄膜的变形和断裂行为.傅立叶变换红外......
采用射频磁控溅射在二氧化硅衬底上沉积一层厚度200nm的非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜,并在IGZO膜层上沉积厚度分别为20nm、50nm、60nm......
报导了基于低应力自支撑SiNx薄膜结构的MEMS部分研究结果,包括从薄膜生长工艺、内应力和薄膜微观结构控制、薄膜的物性分析、镂空......
使用PECVD在单晶硅硅片表面沉积了非晶氮化硅（a-SiNx：H）薄膜，采用传统的退火炉和快速热退火炉进行了不同时间和温度下的退火比较，并研究......
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺在多晶硅片上生长SiMx：H膜，研究了不同反应气体压力对SiMx：H膜层性能的影响，以寻求SiNx：H膜光学......
利用管式PECVD工艺，通过调整气体流量比，得到减反射性能较佳的双层SiMx：H膜电池片，再对电池片封装成的光伏组件进行96h、300h的PID实验......
期刊
为了提高晶体硅太阳电池的光电转换效率,研究了用等离子增强化学气相沉积(PECVD)的SiNx:H作为晶体硅太阳电池的表面钝化及减反射膜......
系统研究了纳米量级的多孔SiNx插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。高分辨X射线衍射测量结果表明：SiNx插入层生长在GaN......
引例人教A版《普通高中课程标准试验教科书-数学选修2-2》32页B组第1题中第（1）小题,证明sin x......
作者制作了底部门非结晶的硅薄电影晶体管(a-Si TFT ) 用五步的平版印刷术过程的数组。设备显示出 0.43 cm2/ 的地效果活动性(V 吗......
在这个研究中，我们验证等离子体预处理对太阳能电池性能的影响，也就是SiNx：H层的性能。我们发现预处理的时间对于沉积物SiNx：H层影响比......
