高电子迁移率相关论文
通过离子束辅助沉积(IBAD)和射频磁控溅射(RFMS)的方法在低成本、柔性且轻质的金属箔基板上异质外延生长类单晶硅薄膜.在整个过程......
本文利用二维仿真研究了不同栅终端场板结构下的AlGaN/GaNHEMTs沟道电场的分布情况。仿真基于漂移扩散模型,考虑了迁移率的高场饱和......
AlGaN/GaN基HEMT(High Electron Mobility Transistor,高电子迁移率晶体管)器件在高温、高频、大功率方面具有广泛的应用前景,测量......
本文用MOCVD技术生长了非有意掺杂高迁移率GaN外延材料,研究并讨论了非有意掺杂GaN材料获得高电子迁移率的形成机理,给出了非有意......
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构......
本文将报道一种1~8.9GHz宽带负反馈放大器的研究结果.该两级放大器利用砷化镓高电子迁移率晶体管制作,PHEMT栅长0.25um、栅宽250um.......
本文对声电荷输运器件(Acoustic Charge Transport,简称ACT)的工作原理进行了简单介绍,阐述了声电荷输运器件材料选择的要求。文中介......
据国防科技信息网5月17日消息,美国麻省理工学院加州大学伯克利分校、美国劳伦斯伯克利国家实验室、台积电公司、台湾大学和沙特阿......
据国防科技信息网5月17日消息,美国麻省理工学院联合美国加州大学伯克利分校、美国劳伦斯伯克利国家实验室、台积电公司和沙特阿拉......
通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料。在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;......
免基质激光解吸/电离质谱(LDI-MS)已广泛用于小分子分析物(<700 Da)的检测。纳米硅材料具有低电子-空穴复合效率、高电荷载流子......
最近,包含供体和受体单元交替排列的手性共轭大环化合物在有机光伏(OPVs)中显示出独特的优点(例如:高吸收系数,宽吸收范围和高电......
石墨烯由于其独特的高比表面积、高电导性、高电子迁移率、高机械性能等性质,被广泛应用于生物及化学检测中。而将石墨烯与其他......
近年来,苝酰亚胺衍生物(PDIs)作为非富勒烯受体材料在有机太阳能电池中的应用受到世界范围的广泛关注,这是因其具有大的刚性共轭......
石墨烯基复合电极材料由于其高电子迁移率以及巨大的比表面积[1-3],在超级电容器的应用中具有巨大的潜力。本文采用水浴加热将......
石墨烯的狄拉克锥电子结构使其具有高电子迁移率等优异电学性质.除了单组元的石墨烯或硅烯,某些二元二维单层材料也拥有狄拉克......
共轭高分子在有机电子学领域具有广泛的应用,是非常重要的光电功能材料。相对比传输空穴的p-型共轭高分子,传输电子的n-型共轭高......
InP材料具有较大的击穿电压和电子迁移率,而且与其晶格匹配的In0.52A10.48As/In0.53GaO.47As异质结的导带具有较大的不连续性,可......
InGaAs是直接带隙材料,具有高电子迁移率、低背景载流子浓度、均匀的厚度、平整的界面,良好材料稳定性,是一种理想短波红外探测器材料......
半导体器件日益向高频、高速方向发展,赝质结高电子迁移率晶体以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速.在PHEMT的制作工艺......
有机薄膜电致发光作为一个新兴的研究领域正吸引着越来越多的目光,成为平板显示领域的一个研究热点。信息技术的飞速发展,对信息显示......
近年来,微电子技术与生物医学等领域的交叉研究引起了人们的广泛兴趣,并取得了很大的进展。高电子迁移率晶体管(HEMT)是基于调制掺杂......
本文开展了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的相关工艺和特性分析的工作。具体工作包括新型多层Ti/Al欧姆接触的优化以及物理机......
随着无线通信、雷达及空间技术的发展,人们对射频电路部分的技术指标要求越来越苛刻,低噪声放大器在整个射频电路部分处于不可或缺的......
Gab/基HEMT器件具有较宽的禁带,高二维电子气浓度,高电子迁移率以及高击穿电压等特性因而在高微波功率器件上有着极大的应用潜力。为......
学位
石墨烯和硅烯的电子能带结构都呈现狄拉克锥特征,使纳米电子器件具有潜在的高电子迁移率。狄拉克锥是否存在于由碳和硅组成的二......
本文主要是利用深低温强磁场条件下的变磁场霍耳效应和多载流子输运理论分析—迁移率谱分析技术,研究了硅量子点结构、硅量子点薄膜......
本论文《GaAs基与InP基化合物半导体材料MBE生长与特性的研究》的主要内容包括:MBE系统的建立与辅助设备系统设计,AlGaAs/GaAs二维电......
日本筑波大学研制成功β铁硅化物连续膜,其电子迁移率为目前多层膜的数倍甚至数十倍,接近理论极限。该多层膜制备时在FZ硅(001)基板用R......
高电子迁移率晶体管(HEMTs),是以异质结材料为基础而制造的器件.与传统的MESFET器件相比,HEMTs具有高跨导、高饱和电流以及高截止......
通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料.在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;......
在国家自然科学基金委、科技部、中国科学院的大力支持下,中科院化学研究所有机固体院重点实验室研究人员与美国佐治亚理工大学科研......
膜晶体管(Thin-film transistors,TFTs)是一类重要的半导体器件,在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年,宽带隙氧化......
本文介绍两种制作毫米波低噪声HEMT 短栅(0.1~0.25μm)的工艺:(1)采用电子束曝光三层抗蚀剂制作T 形栅;(2)采用常规光刻、结合倾斜......
在Ⅲ—Ⅴ族半导体中,InSb化合物具有最窄禁带宽度、最高电子迁移率、最小有效质量和最大g因子,是制备高速低功耗电子器件、红外光电......
近日,北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授课题组与合作者首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备......
阐述了毫米波段低噪声GaAsPHEMT课题的研究过程,报道了研究结果,研制出的器件最高振荡频率超过150GHz这是国内第一个频率进入3毫米波段的半导体三端有......
据1987年Phys.Rev.报道,纳米硅薄膜(nc-Si:H)是从上世纪80年代末兴起的一种新型人工功能纳米半导体材料.中国科学(A辑)记载,沈文忠......
对InAs沟道InAlAs-InAs高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究,器件样品性能良好,1μm栅长InAlAs-InAs HEMT器件的最大跨导300K时达到250mS/mm。这是国内首......
由于GaN具有大禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强等优点,GaN HEMT成为新一代功率器件研究的热点。由于极化作用,AlGaN/GaN异质结......
石墨烯自问世以来,因其优异的性能已在电子领域取得了显著的成果,成为全球研究的热点。兼具高电子迁移率以及优良机械韧性的优点,石墨......