负载电容相关论文
随着集成电路工作频率的不断提高以及晶体管的特征尺寸的不断缩小，对ESD(Electronic Static Discharge)保护电路的性能要求越来越高......
本文研究纳米工艺下低功耗时钟树的设计和优化方法.以时钟信号的转换时间和负载电容作为实现时钟树低功耗的两个设计变量,基于时钟......
脉冲电源静电除尘器特别适合高比电阻的烧结厂灰尘，比普通的静电除尘器节电６０％以上。该项技术于９０年代初起步于欧洲，目前，在北美发达国家及......
提出了一种新型温度补偿晶休振荡器，它是利用两种温度补偿电容器在较宽的温度范围内进行温度补偿的．制备了两种温度补偿电容器材料，根......
降低电源电压可以大大减小器件的动态功耗，因此近年来电子系统中大量应用３．３－Ｖ器件。在某些情况下，必须进行电平转换，才能与５－Ｖ器件联合使用。......
使用通用的阻抗计法测量石英晶体谐振器的谐振频率和其它电参数，由于分布参数的存在，其实际电参数模型不同于理论模型，这种差别是造成......
当设计新的无线系统时,首先要做的决策之一就是到底采用晶体加独立振荡器电路的方式,还是直接选用预封装的成品振荡器。尽管设计人......
现场可编程门阵列(FPGA)技术因其提供的设计灵活性,已为系统设计人员广泛采用。非晶硅反熔丝FPGA技术尤其有用,它可以提供一种高电......
电子工程技术人员进行集成电路设计应用已很普遍,然而集成电路的功耗和散热是专用集成电路(ASIC)芯片发展的较突出问题。从理论上......
针对中大规模红外焦平面对高速读出的需求,研究并设计了一款20MPixel/s红外焦平面高速读出电路。读出电路单元电路由电容负反馈运......
对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通......
1.功能特点 X1203是具有时钟、日历和闹铃的一种专用电路。它有以秒、分、时、日、星期、月以及年为单位跟踪时间的基本功能,并有......
老的C~2mos逻辑系列的特性同TTL电路相比较至今仍处于低速开关领域,这是由于老的CMOS逻辑系列对负裁电容躯动弱所造成的。 本文叙......
综述了高速运放ＶＦＡ和ＣＦＡ的特点，容性负载驱动技术和几种典型应用。
The characteristics of VFA and CFA in high-speed operational amp......
叙述了具有最优传输延迟和最小芯片面积的输出器件,为了减少传输延迟,确定了一种锥形输出级。最小延迟同负载电容与节点电容之比及......
本文介绍用大温度系数电容作为晶体振荡器的负载电容,从而达到温度补偿目的,屏弃了传统的用热敏电阻网络控制变容二极管电容的补......
一、概述CMOS是英文Complementary MetalOxide Semiconductor的缩写,意即互补金属氧化物半导体。亦有称为COS/MOS的,这是Compleme......
同样一个逻辑功能可以用不同类型的器件来实现,例如可以用TTL电路来实现,也可以用CMOS电路来实现。又例如TTL的D型触发器和CMOS的......
本文讨论直接注入混成红外CCD的输入等效电路,提出了红外CCD有效注入效率的概念。着重分析了红外光伏二极管反偏结电容、CCD输入栅......
通常的晶体振荡器的温度补偿技术是在分立元件组成的电路上进行的。随着集成电路的出现,及日益广泛的应用,很多电路中包含着振荡......
LSTTL电路是一种新型的双极型数字电路,其特点是工作速度快、功耗低、抗干扰能力强、可靠性高、温度特性好,用LSTTL电路代替常规T......
用一批最高工作频率f_(max)为8MHz 的高速CMOS 电路,准备组装工作频率为3MHz 的CMOS系统。调试时发现:当负载为四个CMOS 门电路(......
本报告就20～22兆赫 VCX0在宽工作条件下(包括更换晶体单元以选择信道和温度不容许情况)所有中心频率容限达到±5×10~(-6)的情况评......
CMOS电路是互补金属氧化物半导体集成电路的简称。其全称是Complementary MetalOxide Semiconductor。这种电路由美国无线电公司(......
(一)引言 激光电光调制技术以及其它一些物理实验需要重复频率高、电压幅度高、宽度可变的快速高压矩形脉冲发生器。根据需要,我......
众所周知,石英晶体振荡器最显著的优点是具有很高的频率稳定度,可以达到1×10~(-10)/天～1×10~(-11)/天量级。而在LC或RC振荡器中......
采用WN栅自对准GaAs MESFET工艺成功地制造出2k门DCFL GaAs门阵列。芯片尺寸为4.59mm×4.73mm。基本单元由一个耗尽型FET(DFET)和......
本文介绍一种低成本、小体积、高可靠、易生产的晶体振荡器。它是用 PTC 陶瓷片作晶体简易控温源,再用温度系数合适的主负载电容进......
本文报导了沟道长度为5μm的高速硅栅CMOS电路,门电路平均延迟时间为10nS,触发器最高工作频率为30—40MHz。文中给出了CAD模拟计算......
报道了对基本CMOS逻辑单元在25～250℃(结)温度范围内的开关速度性能的研究结果;把两种标准的4μmCMOS工艺制作的电容负载反相器和与......
本文利用双晶体进行频率温度补偿,详细地论述了其补偿的原理和计算方法,并给出了补偿后频率特性曲线与单个晶体特性和负载电容的关......
研究了一种适用于高速Bi-CMOS VLSI的隐埋双阱多晶硅发射极结构,已用标准的2μCMOS工艺在同一芯片上制造出一种高截止频率(f_T=4GH......
高速CMOS电路54HC/74HC系列是八十年代初开发的一种性能优异的集成电路.这种集成电路采用3.5μ硅栅工艺,其开关速度比标准铝栅CMO......
ＨＣＭＯＳ集成电路的接口和使用沈毅使用ＨＣＭＯＳ集成电路的目的，是要充分利用它功耗低和速度高等优点．如果有可能的话，整个系统都应该全部选用ＨＣＭＯＳ器件。如......
优化双极器件的改善ＢｉＣＭＯＳ电路延迟的ＣＡＤ方法＝ＡＣＡＤｐｒｏｃｅｄｕｒｅｆｏｒｏｐｔｉｍｌｚｉｎｇｂｉｐｏｌａｒｄｅｖｉｃｅｓｒｅｌａｔｉｖｅｔｏＢｉＣＭＯＳｃｉｒｃｕｉｔｄｅｌａｙ［刊．英］／Ｄｅｓ－ｏｕｋｌ．Ａ，Ｓ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃ...
Optimized bipolar devices to improve BiCMOS circuit delay CAD method = ACADpr......
本文研究了双极型电路传输延时的约束机理。用灵敏度分析法导出了ＥＣＬ电路传输延时的修正公式。指出：为了提高高速数字电路的集成密度，降......
本文对折叠式共源共栅运算放大器的SET效应进行了研究，基于电路级SET轰击实验，指出了低带宽折叠式共源共栅运算放大器(Folded Ca......
何谓鳍线在鳍线结构中,纵向金属片和介质层悬挂在壳体矩形波导管内的E平面中,从而对于准——TE_(10)模实现电容加载。这种负载电......
本文讨论了传输线分支所引起的反射波形、干线上的波形畸变和附加延迟等与分支长和信号边沿的关系;说明了当传输线分支较短时,开路......
本文讨论高频射极跟随器的性能。假设电流增益为线性,且形式为β(s)=β_0/(1+sτ),文中导出了射极跟随器推动电阻和电容负载的等效......
