漏极电流相关论文
使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在2英寸半绝缘6H碳化硅衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。2英寸HEMT外......
意法半导体推出了采用先进的Power FLATTM 5mm×6mm双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密......
通过研究60Coγ射线对MOSFET的线性特性和输出特性的影响,定性地描述了氧化物电荷积累和Si/SiO2界面态增加分别与P-MOSFET和N-MOSFET的迁移率μ退化、跨导gm下降以及输出......
综述了近年来微波GaAsMESFET可靠性的研究进展。重点介绍了影响其可靠性的因素如栅肖特基结和源/漏欧姆结的相互扩散及表面效应等。
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在室温~200℃的不同温度下测量了薄膜全耗尽CMOS/SIMOX(SeparationbyImplantedOxygen)的P沟,N沟MOSFET的亚阈特性曲线,分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系,并同相应的体硅器件作了比......
提出一种完全新型的VDMOS-NMOS全兼容功率集成结构的设计方法.该结构采用与VDMOS工艺兼容的对接(ButJoint)沟道结构形成NMOS器件,利用VDMOS工艺中p+区反刻过程形成NMOS器件的有......
本文在考虑到界面态陷阱的基础上,建立了HEMT的静态和交流小信号解析模型,该模型能够正确地描述HEMT的Kink效应和低频偏移效应,并和实验符合相当好......
通过对绝缘栅双极晶体管(IGBT)直流参数温度特性的测试分析并与VDMOSFET进行比较,从中得出IGBT能够承受更大的电流密度,其导通压降在高温下较之VDMOSFET有较大的......
Philips Semiconductors自从1996年推出TrenchMOS技术以来已利用这一种先进的硅工艺研制出一系列令人刮目相看的N信道功率MOSFET......
提出了一种GaAs 双栅MESFET的PSPICE直流模型.分析了GaAs 双栅MESFET漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系,给出了漏极电流表达式.通过提取适当的模型参数,其直......
本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度......
通过求解经修正的二维泊松方程,并考虑了主要的短沟效应和高场效应,得到一个描述短沟道MOSFET器件I-V特性的统一物理模型。该模型适用于包括亚......
2.绝缘栅场效应管结缘栅型场效应管与结型场效应管的不同点在于它们的导电结构:结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽层的宽窄来控......
除N沟道结型场效应管外,还有P沟道结型场效应管,其结构及符号如图198所示。P沟道管中参与导电的是“空穴”,它的工作情况与N沟道......
(5)场效应管与晶体三极管的比较: ①晶体三极管在正常放大工作状态,其发射结为正向偏置,输入端需要向信号源吸取电流,其输出电流......
日前,NEC 面向准毫米波频带(30GHz)试制出了 GaN 系半导体功率晶体管,最大功率约为以前的3倍,实现了2.3W 的功率放大。主要面向无......
MOS器件的自加热效应将影响器件的性能 .漏极电流将减小 ,长时间的可靠性也会受到影响 .在SOI器件中 ,自加热甚至比埋葬式氧化物引......
把石英钟作为计时系统用到光记录短周期地震仪上,对石英钟的时、分号讯号系统只须作一点改进就可进行运用(已有文作介绍),可是,短......
本文分析了线性功率MOSFET的结构及其性能,并对其在线性模式下的应用进行了介绍。
This paper analyzes the structure of the li......
5 功率模块的参数 5.1 功率MOSFET模块 5.1.1 最大定额 1)漏源电压Vns MOSFET芯片中,漏源极间的最大允许电压。此时,栅源回路为开......
介绍了利用MMT等离子体氮化工艺和炉管NO退火氮化工艺制备的超薄栅介质膜的电学特性和可靠性.结合两种氮化工艺在栅介质膜中形成了......
本文分析了线性功率MOSFET的结构及其性能,并对其在线性模式下的应用进行了介绍。
This paper analyzes the structure of the li......
NEC电子宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD),使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK......
通过实验在室温下同时测量纳米MOSFET器件样品漏源电流和栅电流的低频噪声,发现一些样品器件中漏源电流不存在明显的RTS噪声,而栅......
完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作。使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
本文研究了0.8μm SOI NMOS晶体管,经剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应,分析了器件在不同辐照条件和测量偏置......
场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件,它有P型和N型两种导电沟道,并且还有结型和绝缘栅(金属氧化物)型两种结构。结型是利用PN......
现如今我国的工业自动化程度也在不断的提高,VDMOS器件的重要性也不断的显现出来。针对我国当前的VDMOS发展现状,相关的学者也进行......
利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关......
在SiO_2/Si(P~(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 m......
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5×6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已......
一、前言许多电子仪器都要用稳定的交-直流转换器来精确地测量各种频率的交流电压。一般说来,对用于上述目的的交-直流转换器的基......
前言在医药卫生,生物医学物理,环境科学,原子能工业,半导体工业以及地质科学等各个领域,均需要对微弱的电流进行放大。为此,研制......
电源部分在扫描中的作用是非常重要的,其性能的好坏真接影响着扫描仪的工作质量,本文首先介绍了扫描仪电源的工作原理,然后详细分......
漏栅寄生电容是IGBT管的一个重要参数,能引起意外的栅源电压尖峰,击穿栅源间的硅氧化膜,导致器件永久失效。对此种影响的过程进行了分析,并......
本文给出了以电流反馈运算放大器构成的新型模拟除法器,并用PSPICE进行了仿真分析.
In this paper, a new analog divider made up of cur......
本文介绍了电荷俘获的原理以及直流特征分析技术对俘获电荷进行定量分析的局限性,同时介绍了脉冲I-V分析技术,其能够对具有快速瞬......
针对高性能数字集成电路的应用需求,本文采用应变技术设计了一款3级环形振荡器电路,分析了该电路的频率、功耗等特性,建立了相应的......
在推挽线路中,采用一时VMOS FET,即可进行B类(线性放大)工作,又可进行D类(高效放大)工作。采用宽带耦合可工作在1.8—54兆赫的频率......