微波功率器件相关论文
本文针对微波功率器件特殊的封装形式,分析了测量夹具引入误差的不可忽略性,进而对测量夹具的误差校准及整个测量系统的校准进行了介......
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电......
GaN器件已开始步入实用化阶段,具有优越性能的GaN器件的频率范围已从L波段覆盖到Ka波段,将为其在无线通信中的应用展示了极为广阔......
本文介绍了德国Pfeiffer QMA200四极滤质器的简明性能,并论述该仪器在阴极研究中的应用情况.研究不同气体对阴极的不同作用以及不......
针对微波功率器件,建立了一套动态试验系统,采用每个器件独立的内腔式加热技术,研制了6个工位的试验台硬件系统,编制了计算机实时......
介绍了某型号S波段微波功率器件在动态加速寿命试验中的主要失效模式,分析了失效机理.从失效样品的参数测试结果及解剖分析看,造成......
高体积分数碳化硅颗粒/铝基(SiC/Al)复合材料,由于它的热膨胀系数在一定范围内精确可控、导热率高、重量轻的三大特性,能与各种材......
1995年国际微波会议(1995 International MicrowaveSymposium——IMS)于5月14~19日在美国佛罗里达州奥兰多召开,同时举行的还有微......
本文报道了采用多晶硅电阻和扩散电阻组合而成的复合镇流电阻对硅微波功率器件进行二次发射极镇流的实验结果.
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本文研究了Al金属化系统中的回流效应,提出了一种全新三层金属化系统抗电迁徙结构,同时对新旧两种结构的金属化系统进行了各种动态应力......
本文介绍了当前微波固态功率放大器(SSPA)的性能,并对今后十年其远景性能做了预测。此预测结果对评价未来十年固态技术和真空技术之间的竞......
论述了微波固体功率放大器(SSPA)的现状,并预测了它们在以后10年内的性能。所给出的结果对于评价固体技术和真空技术在未来10年内的竞争是很有......
南京电子器件研究所研制成功工作频率3.1~3.4GHz,脉冲宽度300μs,占空比10%,输出功率大于50W,功率增益大于7dB,效率大于40%的硅脉冲功率晶体管。该器件在脉冲宽度为......
学 术 论 文期 页新世纪固体电子学发展展望林金庭 1 1……………………………………………………………………19W C-波段......
利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究.通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化,研制出高性能的SiCMESFET.......
微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室依托于中国电子科技集团第55研究所,主任高涛研究员,学术委员会主任委员郑有炓院士......
利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W、功率增益大于9dB、......
基于Ga N微波功率器件工艺制作了大栅宽Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻......
基于GaN微波功率器件工艺研发了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片。采用场板结构提高芯片的击穿电压,采用多子胞结构改善热分布,使......
由于晶格的反转和随之而来的极化场的反转,N极性面氮化物材料已经成为微波功率器件应用的理想材料之一。在2英寸(1英寸=2.54cm)偏......
中国电科(CETC)第五十五研究所(NEDI)4月12日报道,该所重点实验室张凯博士发表在国际半导体器件权威期刊《IEEE Electron DeviceLe......
随着大功率晶体管逐步进入微波领域以及整机对晶体管,特别是微波功率器件要求的日益提高,原有的管壳另件已越来越不能满足要求。......
本文旨在介绍一种新型微波功率器件——Si垂直沟道功率场效应管,它能在0.8GHz输出10W,在1GHz输出8W功率;增益和效率分别为9分贝、4......
一、前言随着微波技术的迅速发展,半导体微波技术在整机中的应用日益广泛。现代化的整机要求半导体微波技术开辟一些更高的频段以......
一、引言 硅微波单片集成电路(MMIC)是近年来发展起来的一种微波电路。它具有结构简单,频带宽,易级联,外接元件少,可靠性高,工作......
为了有效实现对微波功率器件的热特性分析,本文在瞬态红外设备基础上开发了一套用于微波功率器件降温曲线测量的系统.分析了瞬态红......
氮化镓(Ga N)作为新一代半导体材料,具有输出功率大和效率高等特点,因此,Ga N微波功率器件成为近几年研究的热点。随着Ga N功放管......
有源区温度是考核微波功率器件性能的重要参数,针对当前微波功率器件温度测试过程中存在的问题,本文对比介绍了红外热像法和电学法......
利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W,功率增益大于9dB......
对已经研制出的S波段连续波状态下输出功率为10 W的Si与SiC功率器件进行了对比分析,SiC微波功率器件无论是在微波功率增益、功率附......
利用国产2英寸半绝缘SiC单晶衬底,实现了高性能GaN HEMT外延材料。室温下最高二维电子气迁移率2138 cm2/V·s,平均方块电阻281.5Ω......
大信号S参数是进行微波功率放大器设计的重要参数,但是功率器件厂商所提供频段的S参数并不一定能满足设计者的要求,因此文章提出了S......
本文介绍了硅双极型微波功率晶体管的发展历史和应用现状。针对硅脉冲微波功率器件增益退化的失效模式,通过对硅脉冲微波功率器件......
微波功率模块(MPM)一种新型微波功率器件,其中主要微波功率部件是行波管,而行波管的供电系统则是MPM正常工作的必要保证,本文首先......
本文通过研究SiGeHBT的共射级输入特性曲线随温度的变化关系,发现SiGeHBT的BE结正向电压随温度的变化率小于SiBJT,从而在温度特性......
针对微波功率器件,建立了一套动态试验系统,采用每个器件独立的内腔式加热技术,研制了6个工位的试验台硬件系统,编制了计算机实时......
本文首先介绍了四极滤质器的简明性能,然后论述了四极滤质器在微波功率器件阴极研究中在残气分析、气体中毒试验、放气特性以及阴......
本文主要介绍微波功率器件的性能特点,重点介绍前向波放大器即正交场放大器(CFA)具有工作电压低、频带宽、效率高、体积小、成本低......
随着现代通信的发展,通信系统朝着大功率驱动和更加复杂调制方案发展。这种大信号状态下的微波器件的非线性特征变得更加明显,这类......
宽禁带GaN基半导体材料由于其独特的物理和化学性质,特别适合制备高温、高频、大功率高性能微波功率器件。GaN基HEMT是目前国际上的......
半导体微波功率器件在高频、大功率的应用中具有显著的优势,在现代社会中的应用也越来越广泛,通信、航天、计算机信号处理等领域都......
异质结双极晶体管(HBT)以其高效率、高功率密度的优势成为微波功率应用的关键器件之一。本论文对C波段InGaP/GaAsHBT直流特性、高......