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本文论述了基于0.18μm GaAs PHEMT工艺的超宽带单片有源二倍频器的设计,其电路结构包含了有源巴仑、倍频以及宽带放大器三个部分.......
本文论述了基于0．18μm GaAs PHEMT工艺的超宽带单片有源二倍频器的设计,其电路结构包含了有源巴仑、倍频以及宽带放大器三个部分。......
