纳米CMOS相关论文
基于65nmCMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了一种互连线耦合串扰分布式RLC解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在......
进入纳米尺度后,单粒子瞬态(SET)成为高能粒子入射VLSI产生的重要效应,准确、可靠的SET模拟对评估VLSI的可靠性有着重要的影响。以......
基于65nm CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了一种互连线耦合串扰分布式RLC解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在......
基于65nm CMOS工艺，综合考虑电容耦合与电感耦合效应，提出了一种互连线耦合串扰分布式RLC解析模型．采用函数逼近理论与降阶技术，在斜阶......
介绍了纳米CMOS器件及其新技术，同时利用安捷伦公司的ADS软件，基于台积电0．18μm的RFCMOS工艺，设计了中心频率为5．2GHz的纳米CMOS低噪声......
随着超大规模CMOS模拟集成电路工艺技术进入纳米阶段,模拟集成电路面临着日益严峻的可靠性挑战,可靠性仿真设计技术已经成为提升电......
高速高精度数模转换器作为无线通信技术领域和数字电视领域里的核心器件,直接影响着整个系统的信号性能。但随着数模转换器应用要......
全加器(Full-Adder)作为基本的运算单元,在很多VLSI系统中都有很广泛的应用,是构建CPU和DSP等运算电路的核心,其速度和功耗以及面......
随着集成电路的特征尺寸进入纳米级,互连线所带来的问题已经成为其发展最大障碍。首先,纳米级的互连线延时和门延时已经在同一个量......
高速低功耗电路目前已经成为VLSI技术的发展趋势。因为具有恒定的静态功耗,MCML(MOS Current Mode Logic,MOS电流模逻辑)引起了人......
提出一种低功耗低电源线噪声的纳米CMOS全加器。采用电源门控结构的全加器来降低纳米CMOS电路的漏电功耗,改进了传统互补CMOS全加......
