磁敏晶体管相关论文
设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n+-π-n+晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时......
由于磁敏晶体管的β值小于1,而且输出阻抗比较高,所以在实际应用时,首先考虑的问题就是采用什么样的电路,以便使磁敏晶体管产生的......
本文重声、介绍了车载测量汽车传动轴扭矩的方法与技术,根据磁敏元件对微位移能准确测量的特点,利用单片机及其相应的接口电路测量弹......
本文介绍一种用标准CMOS工艺制作的横向双基极磁敏晶体管.工作机理是载流子在磁场作用下的偏转效应和注入调制效应,且以偏转效应为......
P-n-P 型双极硅磁敏晶体管是在长基区晶体管的磁敏感效应基础上设计的,具有平面结构的新型磁敏器件.它的放大系数β总是小于1,但它......
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一般情况下,磁场与敏感器很难严格垂直或平行,这就要求敏感器对磁场的三个分量都敏感.此时,只要磁矢的绝对值达到某一定值,敏感器......
本文提出了一种硅-MOS型三维磁场敏感器结构,它是将对B_z分量敏感的一维横向DMOS(LDMOS)与对B_x和B_y分量敏感的两维的纵向DMOS(VD......
介绍了一种新型的用CMOS标准工艺制作的具抑制侧壁注入效应的横向磁敏晶体管,理论分析及实测测量结果表明,该晶体管具有很高的灵敏度及很......
<正> 磁敏晶体管分为磁敏二极管和磁敏三极管两类。它们都属于PN结型器件,其电特性随外施磁场的改变有显著的变化。磁敏二极管出现......
磁敏三极管由于具有比霍尔器件更高的灵敏度故在电磁测量中有很大的应用前景,但其漂移较大限制了它的应用。本文针对国产4CCM系列磁敏晶......
设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n^+-π-n^+晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时......
本文介绍了一种用P埋层CMOS工艺制造的横向磁敏晶体管(LMT)。器件结构是双基极、双集电极npn晶体管。它具有抑制侧向注入效应,即将......