栅极漏电流相关论文
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有高击穿场强、高电子迁移率以及较强的抗辐射能力和良好的导热性能等优点受到人们的广泛关注......
基于非平衡格林函数(NEGF)的量子输运理论框架，对双栅MOSFET进行了二维实空间数值模拟。在对表征载流子电势的泊松方程自洽求解......
HKMG技术在CMOS器件中有着广泛的应用，并支撑着45nm、32nm、28nm及以下工艺代的发展；本文重点介绍了HKMG技术的重要技术分支情况，并对......
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境.研究了高温与电应力对0.25 μm GaAs pHEMT肖特基特......
期刊
采用反应磁控溅射方法，在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容。测量了器件的C-V和I-V特性，并进行了......
在N2/O2气氛中,使用Ti、Hf靶共反应溅射在衬底Si上淀积一种新型栅介质材料HfTiON,随后分别在N2气氛中600°C和800°C退火2......
利用非平衡格林函数法处理开放边界条件的薛定谔方程,与泊松方程自洽求解,在实空间实现了对纳米量级双栅MOS器件的二维量子模拟。......
本文从专利文献的角度对金属氧化物半导体场效应晶体管中HKMG技术的发展进行了统计分析，介绍了HKMG技术的专利布局情况，为国内相关行......
