双极器件相关论文
工作在空间辐射环境下的双极器件和集成电路,受电离辐射特别是低剂量率电离辐射后,其电性能严重退化,极大的限制了空天电子系统的......
在现代高性能模拟集成电路设计中,噪声水平是影响电路性能的关键因素之一.研究了双多晶自对准高速互补双极NPN器件中发射板结构对......
区熔单晶硅与直拉单晶硅以及其他半导体材料相比杂质含量少,纯度和电阻率高,长期以来主要用于核探测器的研究与生产中.由于区熔单......
中车电气“回A”,碳化硅和IGBT瞩目2006年,中车电气在香港联交所主板上市,而今“回A”,在上海证券交易所科创板上市,成为又一家“A......
双极集成电路需要在不影响器件特性的前提下通过缩小基区面积提高电路密度。利用LTO淀积SiO2薄膜替代热氧化SiO2薄膜,用LTO较低淀......
把双极晶体管和CMOS FET制作在同一芯片上的Bi-CMOS技术越来越引人注目。本文对Bi-CMOS的结构、工艺,及其在逻辑电路、存贮器,模拟......
针对“SOI放大器型谱”项目设计中对高压SOI双极型器件交流模型参数的需要，探讨了一种利用商用BSIMPro参数提取程序进行SOI双极......
本文介绍典型双极晶体管在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应。实验测量了双极晶体管X射线辐射剂量增强系数,研究了双极器......
本文研究一种新型的高灵敏度γ探测器技术,利用对γ射线敏感的特种半导体材料及双极器件的电流放大特性形成的二次光电流,满足探测......
本文对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率......
电离总剂量是航天电子系统辐射效应研究的重要问题，其中双极器件因其特有的低剂量率损伤增强（Enhanced low Dose Rate Sensitivity,E......
IGBT结构及工作原理rnIGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化.由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一......
从双极器件在快中子脉冲辐射下Ｆｒｅｎｋｅｌ缺陷的产生及其退火机理出发，推导出器件β在中子脉冲作用下随ＡＦ（ｔ）和电荷浓度变化的数学模型。同时，给出器......
对硅片直接键合／绝缘体上硅（SDB／SOI）双极电路的退化机理进行了描述。在基极-发射极反向偏置的条件下，研究了应力作用时间与器件参数的......
文章针对器件的位移损伤效应,利用质子加速器产生的质子及反应堆中子对化合物器件和硅器件位移损伤进行试验研究,得到了GaAs光电耦......
本文作者结合自己的工作，综述了硅异质结和赝异质结双极器件的研究进展，指出ＧｅＳｉ ＨＢＴ将成为双极结构的主流技术，硅赝异质结器件也将在低温应......
<正> 东南大学微电子中心在国家自然科学基金委、机电部电子科学研究院和江苏省科委的资助和支持下,在国内率先研制成功了可在液氮......
介绍了金刚石器件的发展现状与技术，对金刚石双极器件和金刚石场效应管进行了分析，同时讨论了该领域未来的研究趋向。......
工艺综合是一种自顶向下的工艺、器件设计方法.文章通过应用于MOS器件和双极型器件的工艺与器件设计,介绍工艺综合并验证工艺综合......
着重介绍了三种测量基区电阻Ｒｂ的ＤＣ测量法，并通过反面实例说明其中两种方法（１．由Ｉ－Ｖ特性来提取Ｒｂ及Ｒｅ；２．基于碰撞离子产生的反向基区电流的ＤＣ法）的局限性......
低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)的发现引起了国际航天领域的关注。本文介绍了双极器件的辐照响应,综述了自1991年发现双极器件具......
介绍F124型四运算放大器1 000 h高温贮存前后4组γ总剂量辐射试验的结果,包括静态异地测试试验、动态原位测试试验结果。对4组试验......
CMOS IC依靠按比例缩小技术不断向前发展,现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅意味着Gbit规模的集成度、GHz的时钟频率以及系统芯......
为了寻找一种有效而又可靠的吸杂技术,研究了一种采用HCl氧化的三步预热处理工艺方法。在这种方法中,氧化引起的体内堆垛层错起看......
集ＣＭＯＳ与双极器件之优点于一体的ＢｉＣＭＯＳ，将逐渐成为９０年代ＵＬＳＩ的主流技术。本文从工艺、器件结构和兼容设计等不同侧面，阐述了ＢｉＣＭＯＳ技术所具有的突出特点及......
本文讨论了高速双极器件制造中的离子注入技术。重点讨论在双极器件制造工艺中的离子注入掺杂技术,离子注入形成浅结技术,以及离子......
基于通信系统中射频电路设计的特殊要求，对小尺寸（基区宽度低于100nm）、超高频（特征频率高于15GHz）双极晶体管工艺制程和器件的物理特性......
采用Si02钝化层的塑封双极晶体管在EIA／JESD22-A102-C规定的121℃、100％RH、29．7 psi压力的条件试验96 h后，直流增益HFE测试值会有明显......
塑封双极晶体管采用EIA/JESD22-A102-C规定的121℃、100%RH、29.7 psi压力的条件试验96 h后,测试发现直流增益HFE会有明显的下降,......
为验证元器件在空间综合环境特别是真实辐射环境下的可用性,需要开展在轨飞行验证。文中就双极器件和光电器件辐射效应的在轨飞行......
本文研究了多晶硅在双极器件上的应用。制作了多晶硅二极管,它的正向导通电压只有0.3-0.5伏;用多晶硅隔离代替通常的pn结隔离做出......
<正> 当考虑不同的MOS工艺时,要注意的两个最主要的特点是使用价值和成本。诚然,封装密度、功率、易设计性、可靠性、与TTL的匹配......
BiCMOS是双极的速度和驱动能力与CMOS的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，BiCMOS器件主要以CMOS为主。因此，双极器件通常并入CM......
本文论述了在常规CMOS工艺下制作Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法及制造工艺.首先通过对Bi-CMOS双极型晶体管版图结构的分析,探讨了......
JFET与双极器件相结合,可以获得高速/宽带/高输入阻抗的运算放大器。但由于工艺水平的限制,Bi-JFET单片兼容工艺中的场效应器件的......
针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐......
