原子层淀积相关论文
物联网“Internet of Things（IoT）”是引领全球电子信息产业发展的新引擎,在过去的几年里,物联网及物联网传感器的市场容量及贸易规......
本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中......
采用原子层淀积(ALD),实现超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/......
以三甲基铝(TMA)和氨气(NH3)为源,在原子层淀积设备上实现了氮化铝薄膜的制备.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪和原子力显微镜对......
为快速推动Micro-LED显示器产业化发展,结合Micro-LED微显示器的性能特点、制造工艺流程和产品应用优势,重点分析了基于硅/蓝宝石......
自摩尔定律提出以来,半导体行业在过去几十年里一直遵循摩尔定律稳步发展。到器件特征尺寸发展至45 nm技术节点时,传统的SiO2介质......
我们成功合成了TaN薄膜原子层淀积的高纯有机钽先驱物并使其特性化,同时对这些先驱物的汽压和热稳定性进行了研究.根据汽压分析发......
采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退......
本文采用原子层淀积(ALD)的方法在碳化硅(SiC)上生长(HfO2)x(Al2O3)1-xhigh-k栅介质材料,运用X射线光电子能谱(XPS)分析了样品各元......
介绍了一种基于原子层淀积(ALD)方法生长的高密度二氧化铪金属-绝缘体-金属(MIM)电容,获得的电容密度达到了9.76fF/μm2,漏电......
在原子层淀积高k栅介质工艺中,如何抑止Si衬底与高k栅介质的界面层生长非常重要.因为界面层的存在不仅降低了栅介质的有效介电常数......
随着集成电路制造技术节点进一步缩减,高 k介质层金属栅工艺得到广泛应用.该工艺中,减少高 k介质层淀积的微粒污染对后续膜层的生......
随着微电子技术的不断进步，金属-氧化物-半导体场效应晶体管的尺寸按照“摩尔定律”不断地减小。晶体管尺寸的减小成就了超大规模集......
本文主要包括“新型动态随机存储器设计”以及“Zn0纳米线／Si异质结的制备及特性研究”这两个部分。第一部分主要围绕“新型动态随......
随着煤、石油、天然气等传统能源的广泛使用与日益减少,全球能源问题与环境问题变得日益突出。如何有效地转化利用新能源、储存新......
非易失性快闪存储器在智能手机以及其它移动数码产品等方面具有广泛的应用,在最近几年得到了快速的发展。然而,传统的多晶硅浮栅存......
随着器件尺寸的进一步缩小，栅介质正变得越来越薄，由于隧穿效应引起的栅介质漏电流将急剧上升。为了抑制栅漏电流，高介电常数(high-k)......
CMOS器件按比例缩小要求SiO2绝缘层厚度越来越小，导致栅极漏电流急剧增加，器件的可靠性下降。高介电常数栅介质二氧化铪（HfO2）的应用可......
集成电路工艺的不断发展使得器件的特征尺寸接近电子的德布罗意波长,量子效应变得十分明显。电子的直接隧穿效应将导致栅介质的泄......
随着集成电路技术的飞速发展，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸遵循着“摩尔定律”不断缩小。根据“按比例缩小”......
在过去的几十年中，微电子技术的发展一直依循着摩尔定律稳步前进。金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能也随着器件尺寸的......
我们成功合成了TaN薄膜原子层淀积的高纯有机钽先驱物并使其特性化,同时对这些先驱物的汽压和热稳定性进行了研究.根据汽压分析发......
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反......
采用原子层淀积（ALD）的方法在Si（100）衬底上制备了铪铝氧（HfAIO）高介电常数介质，并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积......
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si（100）-2×1表面原子层淀积（ALD）初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反......
采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生......
我们成功合成了TaN薄膜原子层淀积的高纯有机钽先驱物并使其特性化,同时对这些先驱物的汽压和热稳定性进行了研究.根据汽压分析发......
氧化铪（HfO2）介质材料是目前用来取代SiO2的最有前途材料之一。介绍了HfO2的制备方法，对几种制备方法进行了比较，并分析了各种制备方法......
随着闪存技术即将达到尺寸极限而面临无法等比例缩小的问题,一种基于材料电阻转变特性的电阻式存储器(RRAM)由于其结构简单、可缩......
论文首先对GaN基MOS-HEMT器件的制作工艺方法进行了研究和优化,在器件表面钝化工艺中,提出了采用先低后高的起辉功率,提高了Si3N4......
随着微电子技术的飞速发展，作为硅基集成电路核心器件的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的特征尺寸一直按照摩尔定律不断地缩小......
随着大规模集成电路VLSI （Very Large Scale Integrated circuits）技术的迅猛发展，半导体器件的特征尺寸遵循着摩尔定律不断地减小，在......
随着半导体工艺技术的不断进步，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的特征尺寸也在不断的减小。当传统的SiO2栅介质层厚度减小到几......
随着集成电路器件尺寸的持续缩小,互连延迟越来越成为制约集成电路发展的瓶颈问题。在32nm及以下技术节点,互连工艺中磁控溅射制备......
以（MeCp）Pt（CH3）3和O2为反应源,采用原子层淀积（ALD）技术在A12O3衬底上制备Pt纳米颗粒,研究了在氮气中快速热退火对Pt纳米颗粒的特性的影......
采用原子层淀积(ALD)实现了10nmAl2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).通过对MOS-HEMT器......
研究了原子层沉积制备氧化铝薄膜的光学性能。以三甲基铝(TMA)和水为前聚体,分别在基板温度为250℃和300℃的K9和石英玻璃衬底上沉......
原子层淀积(ALD)是一种先进的纳米级薄膜生长技术,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景,尤其在提高太阳电池的光电转换效率方......
集成电路产业的不断发展促进着器件特征尺寸的进一步缩小,当器件特征尺寸缩小到45 nm以下时,为了抑制栅极泄漏电流的进一步增大,高......
随着集成电路的发展，摩尔定律一直驱动着集成电路的基本单元，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的等比例缩小。在等比例缩小中......
高介电常数栅介质材料在集成电路金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件和宽禁带半导体功率器件中的作用极其重要。当器件特征......
自上个世纪七十年代以来电路器件集成度按照摩尔定律的预测基本保持每十八个月翻倍,在这过去五十多年的时间里,在各个领域的研究者......
随着集成电路特征尺寸在摩尔定律的驱动下不断缩小,许多传统薄膜生长工艺都面临着挑战。而原子层淀积工艺作为一种新兴的薄膜生长......
